TD 2
semi-conducteurs quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la plus faible ? 2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2.
L3 Physique et Applications CORRIGE Partiel de Physique des
29 févr. 2016 Exercices / Réponses courtes ... Sinon expliquez pourquoi et donnez les régions. (approximatives) où le semiconducteur est soit « dégénéré » soit ...
Physique des semi-conducteurs
des semi-conducteurs. Page 4. Page 5. Physique des semi-conducteurs. Cours et exercices corrigés. Christian Ngô. Hélène Ngô. 4e édition. Page 6. © Dunod Paris
Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
mv) la masse effective de densité d'états dans la bande de conduction (resp. dans la bande de valence). Pour un semi-conducteur à gap direct mc (resp. mv) vaut
polycopié physique des semi-conducteurs.pdf
Le sixième chapitre est une introduction aux transistors bipolaires. Afin de permettre aux étudiants d'assimiler le cours j'ai traité plusieurs exercices d'
Sans titre
20 juin 2021 c) sans importance pratique. Exercice 2 (10 pts). 1. La mobilité des porteurs dans un semi-conducteur dépend de :.
Physique des Matériaux I Devoir 7 : Semi-conducteurs et
Devoir 7 : Semi-conducteurs et supraconducteurs- Correction. Exercice 3 : Conductivité d'un cristal de silicium. 1.a. = √2821025 × 1
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6
proche de l'isolant que du conducteur on l'appelle alors semi-isolant. Le • Exercice 12 : Champ dans un semiconducteur en équilibre. Un semiconducteur ...
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TD 2
Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2. Le Germanium est caractérisé par : masse atomique M = 726 g. masse volumique d = 5
Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé. 25. Page 26. Exercices. B.
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6.9 Semi-conducteurs extrinsèques. 114. Exercices. 116. Corrigés. 117. CHAPITRE 7 • DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS. 119. 7.1 Dérive dans un champ électrique.
L3 Physique et Applications CORRIGE Partiel de Physique des
29 févr. 2016 commence à se comporter comme un semiconducteur intrinsèque. II. Exercices / Réponses courtes. 1. Définir ce qu'est la masse effective d'un ...
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6
Cours et exercices corrigés Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique ……………..………. 54 ... Semiconducteur extrinsèque à la température ambiante …
Correction de lExamen du physique des semi-conducteurs
23 janv. 2022 Correction de l'Examen du physique des semi-conducteurs. Question de cours la concentration de porteurs intrinsèques de InSb (Eg=0.18 eV) ...
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Courant dans les solides : cas particulier des semi-conducteurs mécanique statistique : la fonction de Fermi Dirac et la fonction de. Maxwell – Boltzmann.
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Corrigé Type : (EXAMEN DE PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS). Questions de cours. 1. A = 0 un semi-conducteur intrinsèque se comporte comme un isolant car à
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Exercice 3 : décomposition à partir de l'activité de. TiO2. Le dioxyde de titane TiO2 est un semi-conducteur. Son comportement est décrit via la.
Physique
des semi-conducteursPhysique
des semi-conducteursCours et exercices corrigés
Christian Ngô
Hélène Ngô
4 eédition
© Dunod, Paris, 1998, 2003, 2007, 2012
ISBN 978-2-10-057896-2Illustration de couverture : © DJM-Photo - Fotolia.comTable des matières
AVANT-PROPOSxi
RAPPELS UTILESxiv
CHAPITRE 1PHYSIQUE QUANTIQUE1
1.1 Dualité onde-corpuscule2
1.2 Relation de de Broglie3
1.3 Postulats4
1.4 États stationnaires6
1.5 Mesures simultanées d"observables6
1.6 Relations d"incertitude7
1.7 Nombres quantiques8
1.8 Spin8
1.9 Bosons et fermions9
1.10 Quantique ou classique ?9
1.11 États liés et états du continu10
Exercices15
Corrigés16
CHAPITRE 2PHYSIQUE STATISTIQUE17
2.1 Postulats17
2.2 Entropie statistique18
2.3 Travail, chaleur20
2.4 Conditions d"équilibre21
2.5 Ensembles24
2.6 Théorème d"équipartition de l"énergie27
2.7 Statistiques quantiques27
2.8 Gaz parfait de Fermi29
Exercices33
Corrigés34?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit viiiTable des matièresCHAPITRE 3STRUCTURE CRISTALLINE39
3.1 Le cristal idéal39
3.2 Réseaux cristallins40
3.3 Diffraction par un réseau cristallin49
3.4 Défauts cristallins54
Exercices56
Corrigés57
CHAPITRE 4BANDES D"ÉNERGIE59
4.1 Approximations59
4.2 Méthode des liaisons fortes62
4.3 Symétries65
4.4 Approche des liaisons faibles67
4.5 Propriétés statiques des électrons71
4.6 Schéma réduit de Brillouin72
4.7 L"équation centrale74
4.8 Surface de Fermi75
4.9 Métaux, isolants, semi-conducteurs76
4.10 De l"isolant au métal79
Exercices81
Corrigés82
CHAPITRE 5DYNAMIQUE DU RÉSEAU83
5.1 Vibrations du réseau83
5.2 Phonons87
5.3 Propriétés thermiques88
Exercices92
Corrigés93
CHAPITRE 6SEMI-CONDUCTEURS À L"ÉQUILIBRE956.1 Notion de trou95
6.2 Gap96
6.3 Masse effective98
6.4 Structure des bandes d"énergie102
6.5 Densité d"états104
6.6 Densité d"électrons et de trous105
Table des matièresix
6.7 Semi-conducteurs intrinsèques107
6.8 Dopage108
6.9 Semi-conducteurs extrinsèques114
Exercices116
Corrigés117
CHAPITRE 7DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS119
7.1 Dérive dans un champ électrique120
7.2 Réponse à un champ électrique123
7.3 Diffusion des porteurs126
7.4 Potentiel externe et bandes d"énergie129
7.5 L"effet Hall129
Exercices131
Corrigés133
CHAPITRE 8DISPOSITIFS ÉLÉMENTAIRES (I)1378.1 La jonction pn137
8.2 Perturbations dues à la surface144
8.3 La jonction métal-métal147
8.4 La jonction métal-semi-conducteur148
Exercices151
Corrigés153
CHAPITRE 9DISPOSITIFS ÉLÉMENTAIRES (II)1579.1 Le transistor bipolaire157
9.2 La diode tunnel161
9.3 Transistors à effet de champ162
9.4 Structures MIS et MOS166
9.5 Le transistor MOS168
9.6 Hétérojonctions172
Exercices174
Corrigés175
CHAPITRE 10PROPRIÉTÉS OPTIQUES177
10.1 Absorption de photons177
10.2 Émission spontanée de photons185
10.3 Émission stimulée187?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit
xTable des matièresExercices190
Corrigés191
CHAPITRE 11VERS L"ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE19311.1 Systèmes mésoscopiques194
11.2 Puits, fils et boîtes quantiques195
11.3 Densité de niveaux196
11.4 Puits quantiques197
11.5 Multipuits quantiques et superréseaux199
11.6 Transmission résonante sous la barrière200
11.7 Le blocage de Coulomb201
11.8 Dispositifs à un électron204
11.9 Effet Hall quantique204
11.10 Spintronique206
11.11 L"électronique moléculaire208
11.12 La technologie208
11.13 Conclusion209
Exercices210
Corrigés210
CHAPITRE 12DU NANOMONDE AUX APPLICATIONS211
12.1 La nano-électronique : pourquoi ?212
12.2 Voir et manipuler l"infiniment petit215
12.3 Nouvelles formes de carbone217
12.4 À l"échelle du nanomètre, le monde change219
12.5 Top-down ou bottom-up ?221
12.6 La nanomédecine225
12.7 Nanoparticules et santé228
12.8 Nano-électronique et libertés individuelles229
Exercices230
Corrigés230
BIBLIOGRAPHIE233
INDEX235
Avant-propos
Les dispositifs électroniques à semi-conducteurs ont maintenant une importance éco- nomique et stratégique considérable pour le traitement de l"information et de la com- munication. Ils ont un rôle clef dans la réalisation et le fonctionnement de beaucoup de biens de consommation. Leur importance est née avec la découverte, en 1948, du transistor. Le développement de l"industrie électronique s"est par la suite accé-léré avec, dans les années 1970, l"arrivée des circuits intégrés. Le silicium occupe la
position dominante parmi les semi-conducteurs et cette situation devrait encore durer longtemps. Les circuits intégrés concentrent, sur une faible surface, un nombre de plus en plus grand de transistors et leur puissance augmente sans cesse. Ils répondent à une demande du consommateur qui souhaite avoir de plus en plus de confort dans la vie courante en se débarassant des tâches fastidieuses. Pour cela il faut des dispositifs de traitement de l"information de plus en plus puissants. Une simple carte de cré- dit contient environ 2 millions de transistors et une automobile actuelle embarque plus d"électronique que les premiers avions Airbus. Les circuits intégrés peuvent être fabriqués simultanément en grand nombre si bien que leur coût de production dimi- nue considérablement alors que leurs performances augmentent. L"industrie micro-électronique est gouvernée par la nécessité de réaliser des composants électroniques
(mémoires ou circuits intégrés) toujours plus rapides, plus petits et moins chers. L"électronique a beaucoup évolué depuis la réalisation du premier transistor. En vingt-cinq ans les performances des microprocesseurs ont été multipliées par 25000. Sur une surface inférieure à celle du premier transistor, on peut maintenant en mettre plus d"un million. Le prix d"un million de transistors était d"environ 75 000?en 1973, soit le prix d"une maison. Il est descendu à 6 centimes d"euros en 2000 puis, en 2005, à seulement 0,5 centime d"euro. Alors que le premier microprocesseur d"INTEL,le4004, contenait 2300 transistors, le Pentium IV des années 2001 en contenait 55 millions, les premiers centrinos d"INTEL plus de 77 millions et le core duo plus de 150 millions sur une surface de moins de 100 mm 2 . Entre 1964 et la fin des années 1970 le nombre de transistors d"un circuit intégré doublait tous les ans. Depuis cette date, il ne double plus que tous les 18 mois ce qui reste une performance impressionnante. Cette observation, ?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit xiiAvant-propos connue sous le nom de loi de Moore, montre l"extraordinaire vitalité de l"électronique des semi-conducteurs. L"intégration croissante des composants est en grande partie due à la possibilité de graver des motifs de plus en plus fins dans le silicium. La célèbre série de micropro- cesseurs 8086 (environ 29000 transistors), développée par la société INTEL pour les premiers micro-ordinateurs PC, était réalisée avec une technologie dans laquelle on gravait le silicium avec une précision de 4 mm. En 1982, le microprocesseur 80286 était fabriqué avec des règles de dessin de 2mm. Il fut suivi par les i386DX et i486Dx fabriqués, respectivement, avec une technologie de 1,2mmet 1mm. Le Pentium IV basse consommation des années 2000 utilisait une précision de gravure de 0 ,13mm. On est aujourd"hui descendu à des finesses de gravure de 65 nm. Les mémoires ont également connu une évolution impressionnante. La première mémoire DRAM (1970) ne faisait que 1 ko mais on atteignait une capacité de 4 ko en 1979. En 2001, on réalisait industriellement des DRAM de 512 ko. On en trouve maintenant qui ont des capacités de plusieurs dizaines de Go et l"on dépasse les 100 Go. L"objectif de cet ouvrage est de présenter la physique des semi-conducteurs à des physiciens et des chimistes dont le niveau est celui d"un premier cycle universitaire ou équivalent. Il s"agit d"un cours d"initiation pour tous ceux qui veulent acquérir rapidement des bases élémentaires dans ce domaine. Il pourra être complété par la lecture d"ouvrages plus complets dont certains sont cités dans la bibliographie. Les composants de l"électronique moderne sont, pour la grande majorité d"entre- eux, réalisés à partir de semi-conducteurs cristallins. Leur fonctionnement est basé sur des phénomènes de la physique quantique et statistique. Ces sujets sont rappelés dans les deux premiers chapitres. Le troisième introduit la physique des cristaux, le chapitre 4 montre que l"arrangement périodique des atomes dans un cristal conduit àdes bandes d"énergie qui gouvernent ses propriétés électriques et le chapitre 5 étudie
les vibrations des atomes du cristal. Les propriétés électriques des semi-conducteurs sont gouvernées par celles des électrons les moins liés de l"édifice cristallin. Leurs propriétés statiques et dynamiques sont respectivement étudiées dans les chapitres 6 et 7. Les chapitres 8 et 9 abordent, de manière qualitative, la physique des composantsélectroniques élémentaires. Le chapitre 10 est consacré à l"interaction des électrons
et des photons qui est à la base des composants optroniques. Le chapitre 11 introduit le domaine des systèmes de dimensions nanométriques qui préparent l"électronique du futur. En effet, l"évolution de l"industrie micro-électronique rencontre des défis technologiques et physiques nouveaux lorsque l"on descend à des dimensions infé- rieures à quelques dizaines de nanomètres. Elle devra les résoudre pour continuer à se développer mais elle pourrait aussi être ralentie avant pour des raisons économiques si les investissements deviennent trop grands pour être rentabilisés. Le dernier chapitrequotesdbs_dbs20.pdfusesText_26[PDF] exercice corrigé semi groupe fortement continue
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