Epreuve délectronique analogique N°4 (correction)
Epreuve d'électronique analogique N°4 (correction). Vendredi 4 Juin 2010. Durée : 1h30. ❑. Cours et documents non autorisés. ❑. Calculatrice de l'école
Epreuve délectronique analogique N°4 (correction) ( )
9 jui. 2009 Il existe plusieurs méthodes pour obtenir un signal d'horloge. Cet exercice met en œuvre un. AOP utilisé en comparateur 3 résistances ...
Epreuve délectronique analogique N°2 - CORRECTION
30 mar. 2012 A l'aide de la figure (I.1) décrivez le fonctionnement interne du transistor bipolaire suivant ses trois régimes : bloqué (a)
ASINSA - 1ère année
Epreuves d'électronique analogique N°3 - 2011-2012 ...................................... 131. Epreuves d'électronique analogique N°4 - 2011-2012 ...
Conversions analogique - numérique et numérique - analogique.
Définition : Un convertisseur analogique – numérique (CAN) est un dispositif électronique permettant la conversion d'un signal analogique en un signal numérique
Epreuve délectronique analogique N°3 - CORRECTION
11 mai 2012 = 4 V > VCEsat. I.1.6. Dans quel régime est polarisé le transistor ? (05 pt). Régime : Bloqué. X Linéaire.
SCIENCES DE LINGENIEUR
Enfin dans l'attente d'un manuel officiel nous espérons que cette version électronique de ce manuel vous sera utile et vous poussera à chercher plus
TRAVAUX DIRIGES DELECTRONIQUE ANALOGIQUE 1ère année
4. 4 pts. 5. 4 pts. I - QCM dont le contenu n'est pas à prendre qu'au second degré…. 1. Lors d'un examen si un élève ne connaît pas la réponse
Baccalauréat Professionnel Systèmes Electroniques Numériques
Donner en vous aidant de l'ANNEXE N°4
Epreuve délectronique analogique N°4 (correction)
Cycle Initial Polytech. Première Année. Année scolaire 2009/2010. Epreuve d'électronique analogique N°4 (correction). Vendredi 4 Juin 2010. Durée : 1h30.
Epreuve délectronique analogique N°3 - CORRECTION
11 mai 2012 = 4 V > VCEsat. I.1.6. Dans quel régime est polarisé le transistor ? (05 pt). Régime : Bloqué. X Linéaire.
Epreuve délectronique analogique N°4 (correction) ( )
9 juin 2009 Epreuve d'électronique analogique N°4 (correction) ... Forme générale de la tension aux bornes de la capacité d'un circuit R.C :.
Epreuve délectronique analogique N°2 - CORRECTION
30 mars 2012 A l'aide de la figure (I.1) décrivez le fonctionnement interne du transistor bipolaire suivant ses trois régimes : bloqué (a)
Electronique analogique Examen – Lundi 25 novembre 2019
NOM : CORRECTION. Prénom. Rendre le sujet avec votre copie. Test Electronique Analogique – ISMIN EI19 p. 2 b) La tension d'entrée Ve(t) est donnée
ASINSA - 1ère année
Epreuves d'électronique analogique N°3 - 2011-2012 ...................................... 131. Epreuves d'électronique analogique N°4 - 2011-2012 .
ASINSA - 1ère année
Epreuve d'électronique analogique N°4 - CORRECTION N. Schéma électrique équivalent du transistor bipolaire NPN en régime de petit signal.
TRAVAUX PRATIQUES DELECTRICITE ET DELECTRONIQUE
CONSIGNES POUR LES TRAVAUX PRATIQUES D'ELECTRONIQUE s'assurera que votre circuit est correct. ... TP n°4 : La diode et ses caractéristiques.
problemes_corriges_delectroniq
4. Exercices et problèmes corrigés d'électronique analogique. Remarque La tension V NM d 'un réseau électrique comportant n branches en.
Conversions analogique - numérique et numérique - analogique.
signal analogique d'entrée comme l'illustre le tableau II.1 pour une tension de pleine échelle de 5V. 8. 195 mV quantum. 10. 12. 14. N. 4
Epreuve d’électronique analogique N°4 (correction) - unicefr
Epreuve d’électronique analogique N°4 (correction) Mardi 9 Juin 2009 Durée : 1h30 Cours et documents non autorisés Calculatrice de l’école autorisée Vous répondrez directement sur cette feuille Tout échange entre étudiants (gomme stylo réponses ) est interdit Vous êtes prié : • d'indiquer votre nom prénom et groupe
Epreuve d’électronique analogique N°4 (correction) - unicefr
I 2 2 On considère que le courant qui circule dans R 4 est négligeable devant celui qui circule dans R 3 Donner la valeur de la tension V A On n’oubliera pas de vérifier si le transistor est saturé (2 pts) IC2 = ? IB2 = 75 mA VCE = V A = V DD – R 3 IC2 = 45 V > V CEsat donc le transistor est en régime linéaire I 2 3
NOM : CORRECTION Prénom
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Test Electronique Analogique - ISMIN EI19 p. 1
Electronique analogique
Examen - Lundi 25 novembre 2019
Une attention particulière sera portée au soin lors de la correction et de la notation (écrire proprement,
utiliser plusieurs couleurs, entourer vos résultats avec une règle, ...) Aucun document n'est autorisé - Calculatrice autorisée Exercice 1 - Structure à transistor MOS - 3 pointsLe transistor Mos M1 canal N et M2 canal P. Ils possèdent respectivement une tension de seuil de 1,2V
et de -1,2V. a) Donner les allures des courbes Id(Vgs) pour M1 et M2 pour un VDS et un VSD donnés. -4-3-2-101234IDVGSID(VGS) pour MOS canal N et PCanal NCanal PNOM : CORRECTION Prénom
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Test Electronique Analogique - ISMIN EI19 p. 2
b) La tension d'entrée Ve(t) est donnée ci-dessous. Donner l'allure de la tension de sortie Vs(t)
c) Justifier votre réponse en détaillant l'état des MOS et leur tension VDS sur une période du
signal d'entrée. t Ve(t) +5V -5VVe(t) Vs(t) +5V -5V +5V -5V M2 ON VDS2=0V M1 OFF VDS1=10V M2 OFF VDS2=-10V M1 ON VDS1=0V M2 ON VDS2=0V M1 OFF VDS1=10V M2 OFF VDS2=-10V M1 ON VDS1=0V
NOM : CORRECTION Prénom
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Test Electronique Analogique - ISMIN EI19 p. 3
Exercice 2 - Amplificateur MOS à source commune - 12 pointsLe but de cet exercice est de déterminer les éléments de la polarisation d'un transistor MOS afin de
réaliser un amplificateur donné en fi gure 2.1 . Le transisto r utilisé est un MOS canal N dont le s
caractéristiques sont données en figure 2.2.a) Quel est l'intérêt des capacités C1 et C2 ? Capacités de liaison servant à isoler la polarisation
continue b) Donner le schéma petit signaux de ce montage. c) Déduire de la caractéristique Id(VGS) la transconductance de MOS. g m = 10 mA/V - cf graphe d) En déduire l'expression du gain. On négligera la résistance de sortie r 0 du MOS en la considérant très élevée. Gain = g m *(r 0 //RD//RL) ; r 0 négligée d'où Gain = g m *(RD//RL) e) Déterminer la résistance RD pour obtenir un gain de 5. *+,-∗/012∗/03*+,-
4∗5,4∗78
978∗78
:9 ∗5,4∗78 9 3475,4
58
∗10 =625W
f) Tracer sur la caractéristique ci-dessous la droite de charge pour cette valeur de RD et indiquer le
point de fonctionnement Q pour un VGS = 2V. ID 0 = 8mA ; VDS 0 =5V -cf graphe g) Déterminer R 1 et R 2 pour avoi r ce point de f onctionnement av ec une consomm ation de polarisation limitée à 0,1 mA. R2=2/0,1*10 -3 = 20 kW ; R1=(10-2)/0,1*10 -3 = 80 kWR1//R2 gm*vgs r0 RD RL Vin Vs G D S
NOM : CORRECTION Prénom
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Test Electronique Analogique - ISMIN EI19 p. 4
Figure 2.1 - Amplificateur à source commune.
Figure 2.2 - Caractéristiques ID(VDS) et ID(VGS) du MOS M1. g m = 10 mA/VNOM : CORRECTION Prénom
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Test Electronique Analogique - ISMIN EI19 p. 5
Exercice 3 - Commande d'une diode électroluminescente (DEL) par modulation de largeur d'impulsion (MLI) - 15 pointsOn considère le montage de génération d'un signal triangulaire de la figure 3.1 utilisant un comparateur
de type MAX942 et un amplificateur opérationnel MCP6022. On note v Scomp la tension en sortie duMAX942 et v
TRI la tension en sortie du MCP6022.On donne : R
1 = 3,3 kW, R 2 = 82 kW, R 3 = 120 kW, C 1 = 2,2 nF. On considérera que les tensions de déchets du MAX942 valent 0,2 V et que celles du MCP6022 valent 20 mV. Figure 3.1 - Génération d'un signal triangulaire. a) Quels sont les modes de fonctio nnement du MAX942 et du MCP60 22 da ns ce montage ?Identifier les fonctions réalisées par les 2 blocs fonctionnels implém entés autour de ces
composants. b) Étude du comparateur : Exprimer v TRI en fonction de v Scomp . Calculer les seuils de basculement du comparateur (v TRI low et v TRI high ). Tracer la fonction de transfert v Scomp = f(v TRI ) (en considérant que v TRI peut varier sur l'intervalle 0 V - 5 V). c) Étude du MCP6022 : Mettre en équation v TRI en fonction de v Scomp et en déduire la forme de v TRI ainsi que sa fréquence. Tracer les chronogrammes de v TRI et v Scomp sur quelques périodes.Le signal triangulaire v
TRI est utilisé pour générer un signal PWM selon le schéma de la figure 3.2. Le signal de commande v IN considéré est une valeur constante pouvant être réglée entre 0 V et 5 V.Figure 3.2 - Génération d'un signal PWM.
d) Pour quelle plage de valeurs de v IN a-t-on v PWM = 0,2 V ? Pour quelle plage de valeurs de v IN a-t- on v PWM = 4,8 V ? Donner la valeur de v IN pour laquelle, v PWM a un rapport cyclique de 1/2.Dessiner v
PWM pour v IN = 3 V. On considère maintenant le montage de la figure 3.3 permettant l'allumage et l'extinction d'unediode électroluminescente (DEL). Le signal PWM est utilisé pour commander un transistor NMOS en
MCP6022VDD= 5VgndR1vTRI2,5 VC1MAX942VDD= 5VgndR22,5 VR3vScompMAX942vINvTRI(t)vPWM(t)
NOM : CORRECTION Prénom
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Test Electronique Analogique - ISMIN EI19 p. 6
commutation. La DEL a une tension de polarisation directe V F = 2 V et elle fonctionne de façon optimale lorsqu'elle est traversée par un courant I D = 28 mA. Le transistor NMOS a une tension de seuil de 1,5 V et on considèrera que sa tension V DS est négligeable lorsque le transistor est passant. Figure 3.3 - Commande d'une diode électroluminescente par un signal PWM. e) Quelle valeur faut-il choisir pour R D afin d'avoir I D = 28 mA lorsque la diode est allumée ? f) Décrire le fonctionnement de ce montage. Calculer la puissance dissipée par la DEL lorsque v IN = 3 V.VDD= 5VNMOSvPWM(t)RDDEL
vScomptvTRIt0,2 V4,8 V5 V0,93 V4,07 V5 V10 µs10 µsvPWMt5 V10 µs0,2 V4,8 VvIN= 3 Vquotesdbs_dbs10.pdfusesText_16[PDF] epreuve d`espagnol - Mexique Et Amérique Centrale
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