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Exercice I : Jonction PN à l'équilibre thermodynamique I 1 Rappeler fonction de la concentration intrinsèque ni, du niveau de Fermi EF et du niveau de Fermi induite Vb Calculer Vb entre les deux zones du semi-conducteur à l'équilibre
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Exercice I : Conduction dans les semi-conducteurs, Approche documentaire Remarque : la 2 Densité de porteurs dans un semi-conducteur intrinsèque
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Question du cours (4pts) Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques de InSb (Eg=0 18 eV) est de 1x10 Exercice n°1 : (8pts) Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1,1eV et pour lequel les
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1) L'énergie de ermiF ayant une aleurv donnée calculer la densité d'électrons libres n dans la bande de conduction et la densité p de trous libres dans la bande de avlence On posera E c ?E v = W Expliciter la densité de porteurs intrinsèque n i 2) Sachant que le matériau est un semi-conducteur intrinsèque calculer n p et
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