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Temperature Dependence of Semiconductor Conductivity

Materials Engineering 25 10San Jose State University LabNotes Semiconductor Resistivity LN 8-3 n i T 2 2SkT h 2 ª ¬ º ¼ 3 2 m n *m p * 3 4 exp E g 2kT ª ¬« º » (3)



DM n 3 : Matériaux semi-conducteurs et diffusion thermique

2 Densité de porteurs dans un semi-conducteur intrinsèque La statistique de Fermi-Dirac permet d'estimer les densités n d'électrons de conduction et p de trous à tempé-rature T donnée Pour un semi-conducteur pur ( intrinsèque ), on dé nit n i la concentration intrinsèque en porteurs comme : n = p = n i = AT 3 = 2 exp E g kT



Activité documentaire Conducteurs - Semi-conducteurs

covalentes avec quatre atomes voisins Un semi-conducteur au silicium a une conductivité quasi nulle Afin d'augmenter sa conductivité, on insère dans la struc- ture cristalline des atomes d'autres éléments, appelés dopants Pour un semi-conducteur au silicium dopé au phosphore, un atome de phosphore,



Electrical Resistivity as a Function of Temperature

conductivity available, with insulators on one end and superconductors on the other (Semi-conductors, thermoelectric materials, opto-electroni c materials and magneto-resistive materials are whole other matters) Between these extremes are ma terials which offer a small degree of resistance



UE6020100 UE6020100 la CondUCtion ElECtriqUE dans lEs sEMi

conductivité électrique mesurable qu’à des températures élevées Cette dépendance de la température est due à la structure de bande des niveaux d’énergie électroniques avec une bande de valence, une bande de conduction et une zone intermédiaire qui, dans le cas d’un matériau semi-conducteur pur et non dopé, ne



CATION CONDUCTIVITY TEMPERATURE COMPENSATION

1 CATION CONDUCTIVITY TEMPERATURE COMPENSATION DAVID M GRAY, Thornton Associates, Inc , Waltham, MA ANTHONY C BEVILACQUA, Ph D , Thornton Associates, Inc , Waltham, MA



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Une analyse semi-quanti­ tative entre 20 K et 300 K montre l'évolution continue des paramètres structuraux avec la tempé­ rature en liaison avec les variations de conductivité électrique

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