Plusieurs technologies sont utilisées pour développer les transistors hyperfréquences : transistors bipolaires, à effet de champ, à hétéro jonctions, ... L’état de l’art actuel permet d’obtenir des fréquences de fonctionnement supérieures à 500 GHz avec des matériaux semi-conducteurs de type AlGaAs (Arséniure de Galium et d’Aluminium).
Synthèse en hyperfréquences à l’aide de lignes (paragraphe 4.3). La partie 1. concernant la méthode de synthèse, qui constitue en principe un rappel, devra être étudiée « à la maison » par chaque étudiant. Figure 4-1. Méthode de synthèse d’un filtre. Définition du gabarit du filtre à réaliser (filtre en projet).
La conception d’un amplificateur en hyperfréquences se fait en considérant les paramètres S du transistors mesurés sous une impédance caractéristique de 50 . Il s’agit, à partir de la connaissance de ces paramètres S, d’adapter correctement le transistor en entrée et en sortie afin qu’un maximum de puissance puisse être délivrée.
On se place dans l’hypothèse d’une ligne l de propagation sans pertes. Cette hypothèse ne modifie en rien la conclusion de l’étude mais permet de la simplifier. Le résultat obtenu pourra être généralisé au cas des lignes à pertes. En l’absence de j . D’autre part, l’impédance caractéristique de la ligne étant réelle, le l réel.