[PDF] chapitre 05 jonction pnpdf
La jonction p-n Caractéristiques de base A l'équilibre Zone de charge d'espace caractéristiques courant-tension Champ de claquage Hétérojonction
[PDF] Les semi-conducteurs - Jonction PN
La relation entre le courant I D et la tension V D théorique de la jonction polarisée est : 1 Avec I S : courant inverse ou courant de saturation
[PDF] 1 La Jonction PN en Circuit Ouvert
Dans ce chapitre nous allons examiner les propriétés d'une jonction P N Ce Dans ces deux expressions on note que le courant de saturation inverse est
[PDF] Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN
un courant de saturation inverse Is créé par les porteurs minoritaires lorsqu'ils sont capturés par le champ électrique de la ZCE Page 17 17 I – Matériaux
[PDF] Physique des Composants – La Diode à Jonction PN
Théoriquement le seul courant inverse est le courant de saturation IS correspondant au déplacement des charges minoritaires des zones N et P attirées par le
[PDF] LA-JONCTION-PNpdf
semi-conducteurs et de la jonction PN on va se suffire du modèle représenté par la figure 2 est appelé courant de saturation inverse et il est
[PDF] HOMO-JONCTION À SEMI-CONDUCTEUR
Mécanisme de formation de la jonction PN À l'équilibre courant nul ? deux composantes (diff et cond) est le courant de saturation de la diode
[PDF] La diode à jonction
Une diode est réalisée par la jonction de deux semi- conducteurs un dopé P (en manque d'électron on Avec: Is le courant de saturation qui dépend
[PDF] Chapitre 1 : La diode à jonction - ISETN
IDSS : courant drain de saturation maximale ( à VGS = 0) VP : tension de pincement gm : pente en un point de la caractéristique ID = f (VGS) On distingue
Les semi-conducteurs - Jonction
PN Les semi-conducteurs• Un semi-conducteur est un élément qui présente une conductivité électrique intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants • Exemples (Silicium, germanium,...) • Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit viala théorie des bandes • Dans la suite, nous utiliserons des modèles simplifiés pour prévoir et analyser le comportements des diodes et des transistors (se reporter au cours sur les semi- conducteurs pour avoir une explication physique et quantitative des phénomènes de conductionSemi-conducteurs intrinsèques (purs)• Les semi-conducteurs appartiennent à la 4èmecolonne de la
classification périodique des éléments - Par exemple les atomes de silicium qui possèdent 4 électrons sur leur dernière couche se regroupent entre eux en échangeant leursélectrons de valence (liaison de covalence)
- Chaque électron est mis en commun par deux atomes voisins de manière à ce que le noyau se trouve entouré par une couche de 8 électrons - Cette structure est très stable. • A la température de 0K, tous les électrons de valence sont utilisés dans des liaisons de covalence - Pas d"électrons libresaucune possibilité de conduction - le cristal est un isolant • Quand la température augmente, l"agitation thermique donne à certains électrons un supplément d"énergie suffisant pour briser la liaison de covalence - Ces électrons libres peuvent alors se déplacer sous l"action d"un champ électrique extérieurle cristal est devenu conducteurSemi-conducteurs extrinsèques - le dopage• Le dopage d"un cristal intrinsèque consiste à substituer
des atomes de semi-conducteurs du réseau par des atomes étrangers - Deux cas peuvent se présenter : •Des semi-conducteurs de type P Introduction d"atomes trivalents (3 électrons sur la dernière couche càd dans la bande de valence) Il manque un électron à l"atome pour qu"il puisse s"entourer d"un octet complet donc chaque impureté créé un trou (absenced"électron) qui ne demande qu"à être comblé par un électron libre•Des semi-conducteurs de type N
Introduction d"atomes possédant 5 électrons sur la dernière couche (dans la bande de valence) L"atome d"impureté a un électron de trop pour constituer un octet. Cet électron excédentaire est libre dans le cristaltrouélectron excédentaire Atome d"impureté sa représentation symbolique- Atome d"impureté sa représentation symbolique La jonction PN• Mise en contact d"un semi-conducteur de type P et d"un semi-conducteur de type N Diffusion : les électrons de la zone N viennent combler les trous dans la zone P Création d"une zone dépourvue de porteur mobile (zone de déplétion ou zone de charge d"espace) - Il existe alors une différence de potentiel et donc un champ interne qui s"oppose à la diffusion desélectrons de la zone N vers la zone P
PN Rappel : les électrons se déplacent dans le sens opposé du champ électriqueZone de charge d"espace
Polarisation d"une jonction par une femextérieure• Polarisation dans le sens inverse + du générateur est relié à la zone N et le - à la zone PLe champ électrique extérieur
appliqué par le générateur a le même sens que le champ interne de la jonction dont il renforce l"actionAucun courant ne circule (en réalité un courant très faible existe de l"ordre du nano-ampère) PN Polarisation d"une jonction par une femextérieure• Polarisation dans le sens direct - du générateur est relié à la zone N et le + à la zone PLe champ électrique extérieur
s"oppose au champ interne si , un courant important peut traverser la jonction. PNLa relation entre le courant I
D et la tension V D théorique de la jonction polarisée est : 1Avec I
S: courant inverse ou courant de saturation
q = 1,6 .10 -19 C k : constante de Boltzmann k = 1,38 .10 -23 J/K : facteur d"idéalitéEn fonctionnement direct
En fonctionnement inverse
Polarisation d"une jonction par une femextérieure PN VDIDCourant I
Den fonction de la tension V
DEffet avalanche
(destructif diode classique) PN VDIDCourant inverseEffet zener
ID V D Finquotesdbs_dbs21.pdfusesText_27[PDF] courant humaniste
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