[PDF] Aucun titre de diapositive Adaptation d'impédance et





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5-adaptation dimpédance

Adaptation des réactances Le but du réseau d'adaptation d'impédance est de ... Le facteur de qualité Q du circuit a une importance.



Etude et réalisation de réseaux dadaptation dimpédances

Jul 17 2013 La Figure I-34 montre la caractéristique de la résistance équivalente dans un varactor en fonction de la tension appliquée



Lignes de transmission

Coefficient de réflexion et Impédance le long d'une ligne figure suivante montre un exemple d'adaptation selon ce principe.



Adaptation dimpédance des applicateurs de champ HF servant à l

qu'une mauvaise adaptation d'impédance est responsable d'un niveau important de puissance réfléchie entraînant perte de puissance et dommage au circuit.



Aucun titre de diapositive

Adaptation d'impédance et transformation d'impulsion dans le domaine temporel Il est donc important de modéliser la propagation d'ondes au travers d'un.



Paramètres S - Antennes

Dec 3 2008 On dit qu'il y a Adaptation lorsque l'impédance de charge est conjuguée ... en profiter pour montrer en quoi la non unidirectionalité d'un ...



Conception dune tête radiofréquence auto adaptative au milieu de

Apr 13 2011 2.2.3.2 Architecture du réseau d'adaptation d'impédance variable . ... important (selon qu'il soit un pacemaker ou u défibrillateur)



GELE5223 - Chapitre 5

important qui affecte la performance des circuits hyperfréquences. Par la suite quelques avant de faire l'adaptation d'impédances.



sYNTIFÈsE DES CIRCULTS DADAPTATION ET DE

nouvelles topologies des circuits d'adaptation d'impédance et de filtrage micro-ondes La figure 2.1 1 montre une topologie d'un transformateur monotone.



Travaux Dirigés et Travaux Pratiques de Lignes de transmission T

Exercice supplémentaire : montrer que l'impédance ramenée à 4.8 cm de la charge vaut (95-j 159) I. Adaptation à l'aide d'un élément à constante répartie.

>G A/, i2H@yy398e3R ?iiTb,ffi?2b2bX?HXb+B2M+2fi2H@yy398e3R am#KBii2/ QM Rd CmH kyRj >GBb KmHiB@/Bb+BTHBM`v QT2M ++2bb `+?Bp2 7Q` i?2 /2TQbBi M/ /Bbb2KBMiBQM Q7 b+B@

2MiB}+ `2b2`+? /Q+mK2Mib- r?2i?2` i?2v `2 Tm#@

HBb?2/ Q` MQiX h?2 /Q+mK2Mib Kv +QK2 7`QK

i2+?BM; M/ `2b2`+? BMbiBimiBQMb BM 6`M+2 Q` #`Q/- Q` 7`QK Tm#HB+ Q` T`Bpi2 `2b2`+? +2Mi2`bX /2biBMû2 m /ûT¬i 2i ¨ H /BzmbBQM /2 /Q+mK2Mib b+B2MiB}[m2b /2 MBp2m `2+?2`+?2- Tm#HBûb Qm MQM-

Tm#HB+b Qm T`BpûbX

S*" 2i bBHB+BmK *JPa- TQm` /2b TTHB+iBQMb 2M

`/BQ7`û[m2M+2b hQ +Bi2 i?Bb p2`bBQM,

HBMûB`2b 2i MQM HBMûB`2b- bm` S*" 2i bBHB+BmK *JPa- TQm` /2b TTHB+iBQMb 2M `/BQ7`û[m2M+2bX mi`2X

Pour obtenir le grade de

SpécialitéOptique et Radiofréquences

Arrêté ministériel

Présentée par

Thèse dirigée par "

préparée au sein du Laboratoire l'École Doctorale Electronique, Electrotechnique, Etude et réalisation de réseaux d'adaptation devant le jury composé de

M. Michel P

Professeur des universités, Limoges

M. Eric KERHERVE

Professeur des universités, Bordeaux, Rapporteu M. Th Professeur des universités, Toulouse, Rapporteur

M. Alexandre GIRY

Ingénieur, CEA

M. Philippe FERRARI

Professeur des universités, Grenoble, Directeur de thèse

M. Jean

Maître de Conférences, Grenoble,

2 3 "Le courage, c'est d'aller à l' 4 5

Remerciements

ce trava seulement proposé un cahier des charges très intéressant et actuel qui m'a obtenir c ont côtoyer amitié et soutien à 6 7

Sommaire

Introduction Générale

I.1 Introduction

I.2

I.2.1 Principe

I.2.2 Topologies de RAA

I.3 Eléments Accorda

I.3.1 Capacitance variable

I.3.2 Inductance accordable

I.4 Technologie intégrée CMOS SOI

I.4.1 Comparaison des technologies Bulk et SOI

I.5 Conclusions

II.1 Introduction

II Théorie

II.2.1 Principe du RA et transmission maximale de puissance I.1.1. Paramètres fixant la performance des RA linéai

II.2.3 Analyse des principales topologies de RA

II.3 Démonstrateur hybride

II.3.1 Contexteǣ 4—‡" †ǯƒ-‡‡

I.1.2. C

II.3.2 Conception et caractérisation des RAA

II.3.3 Résultats mesures/simulat

I.2. Conclusions

III.1 Introduction

III.2 Les enjeux du fort signal

III.2.1 Comportement fort signal de varactors et "

III.2.2 Impact du fort signal sur le RAA

8 III.3 Démonstrateur intégré en technologie CMOS SOI 130

III.3.1 Technologie SOI 130

III.3.3 Eléments passifs en SOI 130

III.3.4 Enjeux du RA de sortie

III.3.5 Conception du RAA de sortie pour le démonstrateur sur SOI 130 III.3.1 Bilan de Performance du PA chargé par le RA en SOI

III.4 Conclusions

Conclusion générale

Bibliographie

9

Introduction Générale

Devant les besoins croissants en termes de débit, pour le transport des données, de la voix, et

terminal mob e1 surface et du coût des front difficultés. Le premier se situe au niveau des antennes. Mêm

filtre accordable possédant les caractéristiques de sélectivité nécessaires pour un

permet leur rendement est acceptable

reconfigurables étudiés durant mes travaux de thèse consiste à adapter le lien amplificateu

puissance des signaux émis varie dans une gamme pouvant attein réfléchir au développement de réseaux d puissance sur une large gamme de puissance (10 dont le rendement est optimisé pour tous les cas de fonctionnement. Par contre dans le cas géographiques, Japon, Etats 10 savoir la gestion de la linéarité du réseau, et même, comme nous le verrons au sein Le puissances à la sortie des amplificateurs de puissance des front RAA mesures de paramètres de b puissance et des LNA (" différents composants RF qui peuvent être employés pour rendre accordable un RA, tels que uissance de simultanée de son entrée et sortie, serait la plus PAE

IMD3) ne doit

s 11 fonctionnant entre 20 et 30 ordable par rapport à un fixe.

I.1 Introduction

I.2

I.2.1 Principe

I.2.2 Topologies de RAA

a) RAA comme " b) RAA ligne forte impédance et capacité variable par MEMS c) RAA avec MEMS pour LNA multi d) RAA large bande et forte couverture e) RAA pour les bancs de mesure de bruit f) RAA accordé par des varactors BST g) RAA pour amplificateurs de puissance h) RAA avec des éléments distribués pour l

I.3 Eléments Accordables

I.3.1 Capacitance variable

a) Diode Varactor b) Varactor MOS c) Capacité et " d) MEMS e) Matériaux ferroélectriques f) Lignes Accordables par des capacités

I.3.2 Inductance accordable

I.4 Technologie intégrée CMOS SOI

I.4.1 Comparaison

a) Varactor MOS SOI vs Bulk b) Swicth SOI vs bulk

I.5 Conclusions

I.1 Introduction

permettant de

minimiser les réflexions. De même, quand il est nécessaire de respecter plusieurs standards ou

. Cette structure proposée, sur différentes technologies et topologies.

technologie hybride. Par ailleurs, certains auteurs ont aussi réalisé des capacités variables à

même, nous allons montrer que les RAA peuvent être intéressants dans plusieurs contextes

à savoir, les diodes varactors, le

I.2.1 Principe

Le rése

plus

manière avec laquelle ces éléments sont disposés permet de réaliser une transformation

variables sont introduits et le RA devient accordable.

I.2.2 Topologies de RAA

Le choix de la topologie de RAA la plus appropriée dépend fortement du contexte de

ieurs critères, tels que la couverture L, alors que si on ajoute un deuxième étage, on a une topologie en

Figure I-1: Différentes topologies de RAA.

Les principales caractéristiques devant être prises en compte, afin de choisir la topologie de RAA la plus appropriée, seront traitées au sein du chapitre II.

RAA trouvés

a) RAA comme "ǽ †ǯƒ-‡‡

Les antennes de téléphonie mobile doivent être compactes et fonctionner sur plusieurs bandes,

Jon11 da

Figure e

en

Figure

rétroaction automatique est montré sur la rétroaction est constituée un microcontrôleur qui va qui er en moyenne de 2 coefficient de réflexion de l-

Figure

proposé lign

VSWR peut

proposé une structure de

Figure

Figure

La

850à

exemple à 700 b) RAA ligne forte impédance et capacité variable par MEMS

En 2009, Allen [

impédance et un varactor MEMS, disposé en L, pour

Figure

ligne 50 une ligne 50 c) RAA avec MEMS pour LNA multi

Les récepteurs multi

plusieurs LNA en parallèle, un pour chaque standard ou bande de fréquences. Toutefois, de assurée par des MEMS qui commutent des capacités MIM (Métal Isolant Métal),

Figure

On note que les RAA présentent une topologie en RAA 1 2quotesdbs_dbs47.pdfusesText_47
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[PDF] Montrer par récurrence que la suite (un) est croissante

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