5-adaptation dimpédance
Adaptation des réactances Le but du réseau d'adaptation d'impédance est de ... Le facteur de qualité Q du circuit a une importance.
Etude et réalisation de réseaux dadaptation dimpédances
Jul 17 2013 La Figure I-34 montre la caractéristique de la résistance équivalente dans un varactor en fonction de la tension appliquée
Lignes de transmission
Coefficient de réflexion et Impédance le long d'une ligne figure suivante montre un exemple d'adaptation selon ce principe.
Adaptation dimpédance des applicateurs de champ HF servant à l
qu'une mauvaise adaptation d'impédance est responsable d'un niveau important de puissance réfléchie entraînant perte de puissance et dommage au circuit.
Aucun titre de diapositive
Adaptation d'impédance et transformation d'impulsion dans le domaine temporel Il est donc important de modéliser la propagation d'ondes au travers d'un.
Paramètres S - Antennes
Dec 3 2008 On dit qu'il y a Adaptation lorsque l'impédance de charge est conjuguée ... en profiter pour montrer en quoi la non unidirectionalité d'un ...
Conception dune tête radiofréquence auto adaptative au milieu de
Apr 13 2011 2.2.3.2 Architecture du réseau d'adaptation d'impédance variable . ... important (selon qu'il soit un pacemaker ou u défibrillateur)
GELE5223 - Chapitre 5
important qui affecte la performance des circuits hyperfréquences. Par la suite quelques avant de faire l'adaptation d'impédances.
sYNTIFÈsE DES CIRCULTS DADAPTATION ET DE
nouvelles topologies des circuits d'adaptation d'impédance et de filtrage micro-ondes La figure 2.1 1 montre une topologie d'un transformateur monotone.
Travaux Dirigés et Travaux Pratiques de Lignes de transmission T
Exercice supplémentaire : montrer que l'impédance ramenée à 4.8 cm de la charge vaut (95-j 159) I. Adaptation à l'aide d'un élément à constante répartie.
2MiB}+ `2b2`+? /Q+mK2Mib- r?2i?2` i?2v `2 Tm#@
HBb?2/ Q` MQiX h?2 /Q+mK2Mib Kv +QK2 7`QK
i2+?BM; M/ `2b2`+? BMbiBimiBQMb BM 6`M+2 Q` #`Q/- Q` 7`QK Tm#HB+ Q` T`Bpi2 `2b2`+? +2Mi2`bX /2biBMû2 m /ûT¬i 2i ¨ H /BzmbBQM /2 /Q+mK2Mib b+B2MiB}[m2b /2 MBp2m `2+?2`+?2- Tm#HBûb Qm MQM-Tm#HB+b Qm T`BpûbX
S*" 2i bBHB+BmK *JPa- TQm` /2b TTHB+iBQMb 2M
`/BQ7`û[m2M+2b hQ +Bi2 i?Bb p2`bBQM,HBMûB`2b 2i MQM HBMûB`2b- bm` S*" 2i bBHB+BmK *JPa- TQm` /2b TTHB+iBQMb 2M `/BQ7`û[m2M+2bX mi`2X
Pour obtenir le grade de
SpécialitéOptique et Radiofréquences
Arrêté ministériel
Présentée par
Thèse dirigée par "
préparée au sein du Laboratoire l'École Doctorale Electronique, Electrotechnique, Etude et réalisation de réseaux d'adaptation devant le jury composé deM. Michel P
Professeur des universités, Limoges
M. Eric KERHERVE
Professeur des universités, Bordeaux, Rapporteu M. Th Professeur des universités, Toulouse, RapporteurM. Alexandre GIRY
Ingénieur, CEA
M. Philippe FERRARI
Professeur des universités, Grenoble, Directeur de thèseM. Jean
Maître de Conférences, Grenoble,
2 3 "Le courage, c'est d'aller à l' 4 5Remerciements
ce trava seulement proposé un cahier des charges très intéressant et actuel qui m'a obtenir c ont côtoyer amitié et soutien à 6 7Sommaire
Introduction Générale
I.1 Introduction
I.2I.2.1 Principe
I.2.2 Topologies de RAA
I.3 Eléments Accorda
I.3.1 Capacitance variable
I.3.2 Inductance accordable
I.4 Technologie intégrée CMOS SOI
I.4.1 Comparaison des technologies Bulk et SOI
I.5 Conclusions
II.1 Introduction
II Théorie
II.2.1 Principe du RA et transmission maximale de puissance I.1.1. Paramètres fixant la performance des RA linéaiII.2.3 Analyse des principales topologies de RA
II.3 Démonstrateur hybride
II.3.1 Contexteǣ 4" ǯ-I.1.2. C
II.3.2 Conception et caractérisation des RAA
II.3.3 Résultats mesures/simulat
I.2. Conclusions
III.1 Introduction
III.2 Les enjeux du fort signal
III.2.1 Comportement fort signal de varactors et "III.2.2 Impact du fort signal sur le RAA
8 III.3 Démonstrateur intégré en technologie CMOS SOI 130III.3.1 Technologie SOI 130
III.3.3 Eléments passifs en SOI 130
III.3.4 Enjeux du RA de sortie
III.3.5 Conception du RAA de sortie pour le démonstrateur sur SOI 130 III.3.1 Bilan de Performance du PA chargé par le RA en SOIIII.4 Conclusions
Conclusion générale
Bibliographie
9Introduction Générale
Devant les besoins croissants en termes de débit, pour le transport des données, de la voix, et
terminal mob e1 surface et du coût des front difficultés. Le premier se situe au niveau des antennes. Mêmfiltre accordable possédant les caractéristiques de sélectivité nécessaires pour un
permet leur rendement est acceptablereconfigurables étudiés durant mes travaux de thèse consiste à adapter le lien amplificateu
puissance des signaux émis varie dans une gamme pouvant attein réfléchir au développement de réseaux d puissance sur une large gamme de puissance (10 dont le rendement est optimisé pour tous les cas de fonctionnement. Par contre dans le cas géographiques, Japon, Etats 10 savoir la gestion de la linéarité du réseau, et même, comme nous le verrons au sein Le puissances à la sortie des amplificateurs de puissance des front RAA mesures de paramètres de b puissance et des LNA (" différents composants RF qui peuvent être employés pour rendre accordable un RA, tels que uissance de simultanée de son entrée et sortie, serait la plus PAEIMD3) ne doit
s 11 fonctionnant entre 20 et 30 ordable par rapport à un fixe.I.1 Introduction
I.2I.2.1 Principe
I.2.2 Topologies de RAA
a) RAA comme " b) RAA ligne forte impédance et capacité variable par MEMS c) RAA avec MEMS pour LNA multi d) RAA large bande et forte couverture e) RAA pour les bancs de mesure de bruit f) RAA accordé par des varactors BST g) RAA pour amplificateurs de puissance h) RAA avec des éléments distribués pour lI.3 Eléments Accordables
I.3.1 Capacitance variable
a) Diode Varactor b) Varactor MOS c) Capacité et " d) MEMS e) Matériaux ferroélectriques f) Lignes Accordables par des capacitésI.3.2 Inductance accordable
I.4 Technologie intégrée CMOS SOI
I.4.1 Comparaison
a) Varactor MOS SOI vs Bulk b) Swicth SOI vs bulkI.5 Conclusions
I.1 Introduction
permettant deminimiser les réflexions. De même, quand il est nécessaire de respecter plusieurs standards ou
. Cette structure proposée, sur différentes technologies et topologies.technologie hybride. Par ailleurs, certains auteurs ont aussi réalisé des capacités variables à
même, nous allons montrer que les RAA peuvent être intéressants dans plusieurs contextesà savoir, les diodes varactors, le
I.2.1 Principe
Le rése
plusmanière avec laquelle ces éléments sont disposés permet de réaliser une transformation
variables sont introduits et le RA devient accordable.I.2.2 Topologies de RAA
Le choix de la topologie de RAA la plus appropriée dépend fortement du contexte de
ieurs critères, tels que la couverture L, alors que si on ajoute un deuxième étage, on a une topologie enFigure I-1: Différentes topologies de RAA.
Les principales caractéristiques devant être prises en compte, afin de choisir la topologie de RAA la plus appropriée, seront traitées au sein du chapitre II.RAA trouvés
a) RAA comme "ǽ ǯ-Les antennes de téléphonie mobile doivent être compactes et fonctionner sur plusieurs bandes,
Jon11 daFigure e
enFigure
rétroaction automatique est montré sur la rétroaction est constituée un microcontrôleur qui va qui er en moyenne de 2 coefficient de réflexion de l-Figure
proposé lignVSWR peut
proposé une structure deFigure
Figure
La850à
exemple à 700 b) RAA ligne forte impédance et capacité variable par MEMSEn 2009, Allen [
impédance et un varactor MEMS, disposé en L, pourFigure
ligne 50 une ligne 50 c) RAA avec MEMS pour LNA multiLes récepteurs multi
plusieurs LNA en parallèle, un pour chaque standard ou bande de fréquences. Toutefois, de assurée par des MEMS qui commutent des capacités MIM (Métal Isolant Métal),Figure
On note que les RAA présentent une topologie en RAA 1 2quotesdbs_dbs47.pdfusesText_47[PDF] montrer l'exemple n'est pas la meilleure façon de convaincre c'est la seule
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