[PDF] chapitre 05 jonction pnpdf
polarise la jonction (un champ V extérieur est appliqué) Polarisation (directe: V>0 inverse V
[PDF] Les semi-conducteurs - Jonction PN
Les semi-conducteurs - Jonction PN Polarisation d'une jonction par une fem extérieure courant inverse ou courant de saturation q = 16 10-19 C
[PDF] 1 La Jonction PN en Circuit Ouvert
Polarisation Inverse Polarisation Directe V0 E Fig-3 Répartition du potentiel interne dans une jonction PN polarisée
[PDF] Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN
Avant de bloquer une jonction PN polarisée en directe il faut évacuer ces charges en excès par rapport à la situation d'équilibre ? courant inverse
[PDF] HOMO-JONCTION À SEMI-CONDUCTEUR
Jonction PN sous polarisation • Polarisation Inverse • Augmentation du champ interne par E externe dans le même sens • Injection d'électrons de P vers N
[PDF] Les diodes
Elle est réalisée par une jonction PN Symbole : Zone OE : la diode est polarisée en inverse c'est la dans le sens de polarisation inverse la
[PDF] LA-JONCTION-PNpdf
semi-conducteurs et de la jonction PN on va se suffire du modèle représenté Absence totale de courant lorsqu'une jonction PN est polarisée en inverse
[PDF] Les composants discrets La jonction PN
Plan de l'exposé La jonction pn ? Définition; ? Paramètres de base d'une jonction pn; ? Composantes du courant en polarisation directe et inverse;
[PDF] Physique des Composants – La Diode à Jonction PN
La polarisation U < 0 a pour effet d'augmenter la barrière de potentiel Le courant inverse présente plusieurs composantes : - Courant de diffusion Dans l'
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.01LES DIODES
I - La diode à jonction
I.1 - Constitution
Elle est réalisée par une jonction PN.
Symbole :
Composant physique :I - La diode à jonction
I.1 - Constitution
Elle est réalisée par une jonction PN.
Symbole :
Composant physique :
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.02LES DIODES
I.2 - Caractéristique d'une diode
Déifinition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes.I.2 - Caractéristique d'une diode Déifinition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes.viPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.03LES DIODES
I.2 - Caractéristique d'une diode
Déifinition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes. La diode est un composant non linéaire.I.2 - Caractéristique d'une diode Déifinition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes.La diode est un composant non linéaire.
Zone 0A:la diode est polarisée dans le sens directe, mais la tension est trop faible pour débloquer la jonction : zone de blocage directe. Zone AB:la tension V commence à débloquer la diode, c'est la zone du coude. Zone BC:la diode est passante, c'est une zone linéaire. Zone OE:la diode est polarisée en inverse, c'est la zone de blocage inverse. Zone EF: l'intensité croit brusquement, c'est la zone de claquage.viPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.04LES DIODES
I.2 - Caractéristique d'une diode
Déifinition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes. La diode est un composant non linéaire.I.2 - Caractéristique d'une diode Déifinition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode en fonction de la tension à ses bornes.La diode est un composant non linéaire.
Zone 0A:la diode est polarisée dans le sens directe, mais la tension est trop faible pour débloquer la jonction : zone de blocage directe. Zone AB:la tension V commence à débloquer la diode, c'est la zone du coude. Zone BC:la diode est passante, c'est une zone linéaire. Zone OE:la diode est polarisée en inverse, c'est la zone de blocage inverse. Zone EF: l'intensité croit brusquement, c'est la zone de claquage.viGrandeurs
Caractéristiques IFmax
Vinverse
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.05LES DIODES
I.3 - Etude d'un circuit simpleI.3 - Etude d'un circuit simpleOn veut déterminer V et I.
D'après la loi des mailles :
E = R.I + V
Connaissant E et R, il faut une deuxième relation pour déterminer V et I : la caractéristique de la diode.Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.06LES DIODES
I.3 - Etude d'un circuit simpleI.3 - Etude d'un circuit simpleOn veut déterminer V et I.
D'après la loi des mailles :
E = R.I + V
Connaissant E et R, il faut une deuxième relation pour déterminer V et I : la caractéristique de la diode. solution graphique Il faut représenter sur le même graphe i = f (v) : - caractéristique de la diode, - la droite représentant l'équation I = (E - V) / R.Pour I = 0, V = E.
Pour V = 0, I = E / R.
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.07LES DIODES
I.3 - Etude d'un circuit simpleI.3 - Etude d'un circuit simpleOn veut déterminer V et I.
D'après la loi des mailles :
E = R.I + V
Connaissant E et R, il faut une deuxième relation pour déterminer V et I : la caractéristique de la diode. solution graphiqueIl faut représenter sur le même graphe :
- caractéristique de la diode, - la droite représentant l'équation I = (E - V) / R.Pour I = 0, V = E.
Pour V = 0, I = E / R.
Le point de fonctionnement s'établit à l'intersection des deux courbes : .I0, V0Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.08LES DIODES
I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique.I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique.Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.09LES DIODES
I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique.I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique. dans le sens de polarisation inverse, la diode se comporte comme une résistance très élevée (à condition que V ne dépasse pas la tension de claquage). viPlusieurs MΩ
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.010LES DIODES
I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique.I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique. dans le sens de polarisation inverse, la diode se comporte comme une résistance très élevée (à condition que V ne dépasse pas la tension de claquage). viPlusieurs MΩrésistance dynamique : rd=dv
didi dvdans le sens passant (polarisation directe) : v = Vseuil + rd . iPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.011LES DIODES
I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique.I.4 - Modèles
Pour permettre une résolution analytique, il faut établir un modèle électrique. dans le sens de polarisation inverse, la diode se comporte comme une résistance très élevée (à condition que V ne dépasse pas la tension de claquage). viPlusieurs MΩrésistance dynamique : rd=dv
didi dvdans le sens passant (polarisation directe), la diode se comporte comme un générateur de Thévenin " pris à contre sens », - Vseuil : tension de seuil (Si : 0,6V), - rd : résistance interne de la diode vi rdVseuil v = Vseuil + rd . iivPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.012LES DIODES
I.5 - Etude d'un circuit simpleI.5 - Etude d'un circuit simpleOn veut déterminer v et i.
D'après la loi des mailles : E = R.i + v
solution analytique déterminer la valeur de E lorsque la diode est en limite de conduction : avec i = 0 et v = Vseuil, E = Vseuil. i v point de limite de conduction : i = 0 et v = VseuilPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.013LES DIODES
I.5 - Etude d'un circuit simpleI.5 - Etude d'un circuit simpleOn veut déterminer v et i.
D'après la loi des mailles : E = R.i + v
solution analytique déterminer la valeur de E lorsque la diode est en limite de conduction : avec i = 0 et v = Vseuil, E = Vseuil.La diode est passante si Vanode > Vcathode,
donc si E > Vseuil.La diode est bloquée si Vanode < Vcathode,
donc si E < Vseuil i v point de limite de conduction : i = 0 et v = VseuilPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.014LES DIODES
Exemple :
Pour le circuit précédent :
Lorsque E = + 5 V, E > 0,6 V, donc la diode est passante. On peut donc la remplacer par un générateur de Thévenin. Pour E = -5 V, E < 0,6 V, donc la diode est bloquée. On la remplace par une résistance de 100 M.Exemple :Pour le circuit précédent :
Lorsque E = + 5 V, E > 0,6 V, donc la diode est passante. On peut donc la remplacer par un générateur de Thévenin. Pour E = -5 V, E < 0,6 V, donc la diode est bloquée. On la remplace par une résistance de 100 M.i=ERrI
=-5100108=-50nA;V≈-5V
i=E-Vd R+rd =5-0,6100+1=43,6mA;V=Vd+rd⋅i=0,64V
E=±5V, R=100,
Vd=Vseuil=0,6V, rd=1.
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.015LES DIODES
Modèles simpliifiés :
résistance inverse nulle résistance dynamique nulle diode idéaleModèles simpliifiés : résistance inverse nulle résistance dynamique nulle diode idéalevi rdVseuil viRd = 0Vseuil
viRd = 0 et Vseuil = 0
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.016II - ApplicationsII.1 - Redressement
But : obtenir une tension continue à partir d'une ou plusieurs tensions alternatives.II - Applications
II.1 - Redressement
But : obtenir une tension continue à partir d'une ou plusieurs tensions alternatives.LES DIODESLES DIODES
V=V~Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.017LES DIODES
II.1.1 - Redressement mono-alternanceII.1.1 - Redressement mono-alternanceTransformateur permettant
d'abaisser la tensionV = VM sin .tPour 0 < .t <
V > 0 B VA > VK
B polarisation directe B D conduit si V > 0,6 V
UR = V - VD = V - 0,6et iR = UR / R
Pour < .t < 2
V < 0 B VA < VK
B polarisation inverse B D est bloquée
iR = 0 B UR = 0et VD = VPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.018LES DIODES
II.1.1 - Redressement mono-alternanceII.1.1 - Redressement mono-alternanceTransformateur permettant
d'abaisser la tensionV = VM sin .tPour 0 < .t <
V > 0 B VA > VK
B polarisation directe B D conduit si V > 0,6 V
UR = V - VD = V - 0,6et iR = UR / R
Pour < .t < 2
V < 0 B VA < VK
B polarisation inverse B D est bloquée
iR = 0 B UR = 0et VD = VPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.019LES DIODES
valeurs moyennes valeur eiÌifiÌicace tension inverse maximale aux bornes de Dvaleurs moyennes valeur eiÌifiÌicace tension inverse maximale aux bornes de DUR=1T∫0
TURtdt=1
T∫t1
t2UR≈1
T∫0
T/2VMsin⋅tdt=VM
IR=UR R=VM ⋅1 R=IDVDRM=-VM
U=1
T∫0
T UR2tdt
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.020LES DIODES
II.1.2 - Redressement double alternanceII.1.2 - Redressement double alternanceV1 = + VM sin .t
V2 = - VM sint .t
Pour 0 < .t <
V1 > 0, V2 < 0 B VA1 > VM > VA2
B VA1 > VK1 B D1 polarisation directe
B VA2 < VK2 B D2 polarisation inverse
si V1 > 0,6 V, D1 conduit ☛ UR = V1 - VD1 = V1 - 0,6et iR = UR / R ☛ V1 - VD1 + VD2 - V2 = 0B VD2 = V2 - V1 + VD1 e V2 - V1
à .t = /2, VD2 = - 2VM
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.021LES DIODES
II.1.2 - Redressement double alternanceII.1.2 - Redressement double alternanceV1 = + VM sin .t
V2 = - VM sin .t
Pour < .t < 2
V1 < 0, V2 > 0 B VA1 < VM < VA2
B VA1 < VK1 B D1 polarisation inverse
B VA2 > VK2 B D2 polarisation directe
si V2 > 0,6 V, D2 conduit ☛ UR = V2 - VD2 = V2 - 0,6et iR = UR / R ☛ V1 - VD1 + VD2 - V2 = 0B VD1 = V1 - V2 + VD2 e V1 - V2
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.022LES DIODES
valeurs moyennes tension inverse maximale aux bornes de Dvaleurs moyennes tension inverse maximale aux bornes de DUR=1T/2∫t1
t2URtdt
UR≈2
T∫0
T/2VMsin⋅tdt=2VM
IR=UR R=VM ⋅2 RVDRM=-2VMT = 2 = 2 / T
ID=VM ⋅1 RPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.023LES DIODES
II.1.3 - Redressement à pont de GraetzII.1.3 - Redressement à pont de GraetzPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.024LES DIODES
V = VM sin .t
Pour 0 < .t <
V > 0 B VA1 > VA2 ou VK3 > VK4
B B si V > 2 Vseuil , D1 et D4 sont passantes ☛ UR = V - VD1 - VD4 = V - 1,2 et iR = UR / R ☛ VD2 = VD1 - V e -V et VD3 = VD4 - V e -VVA1VK1D1pol.directe =VK2VA2D2pol.inversePolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.025LES DIODES
II.1.3 - Redressement à pont de GraetzII.1.3 - Redressement à pont de GraetzV = VM sin .t
Pour < .t < 2
V < 0D2 et D3 polarisation directe
D1 et D4 polarisation inverse
valeurs moyennes tension inverse maximale aux bornes de DUR=2VMVDRM=-VM
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.029II.2 - Filtrage But : obtenir une tension continue à partir d'une tension redressée.II.2.1 - Filtrage capacitif
Le dispositif le plus simple consiste à brancher un condensateur en parallèle avec la charge. si R → ∞II.2 - Filtrage But : obtenir une tension continue à partir d'une tension redressée.II.2.1 - Filtrage capacitif
Le dispositif le plus simple consiste à brancher un condensateur en parallèle avec la charge. si R → ∞LES DIODESLES DIODES rappel : iC > 0 ⇒ UC ↗, C se charge iC < 0 ⇒ UC ↘, C se déchargeiC=CdUC dtUCiC v=VMsin⋅t Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.030Dans la pratique R ≠ ∞ Dès que la diode se bloque, le condensateur se décharge dans la résistance. Redressement double alternanceDans la pratique R ≠ ∞ Dès que la diode se bloque, le condensateur se décharge dans la résistance. Redressement double alternanceLES DIODESLES DIODESVVM,V2VM =VV
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.032III - Diodes stabilisatrices de tension - diodes zénerIII.1 - Caractéristiques
On utilise la zone de claquage inverse de la jonction PN. Les diodes zéner sont caractérisées par leur tension de claquage et par la puissance maximale qu'elles peuvent dissiper.III - Diodes stabilisatrices de tension - diodes zénerIII.1 - Caractéristiques
On utilise la zone de claquage inverse de la jonction PN. Les diodes zéner sont caractérisées par leur tension de claquage et par la puissance maximale qu'elles peuvent dissiper.LES DIODESLES DIODES Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.033III.2 - Modèle Dans la pratique, on constate que Vz varie légèrement avec iz. Dans la zone de polarisation inverse :III.2 - Modèle Dans la pratique, on constate que Vz varie légèrement avec iz. Dans la zone de polarisation inverse :LES DIODESLES DIODESrz=dvz dizVZ=VZorZ⋅iZ
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.034III.3 - Applications source de tension constante alimentation stabiliséeIII.3 - Applications source de tension constante alimentation stabiliséeLES DIODESLES DIODESVZ : tension constante < E
Rp : résistance de polarisation de la diode
Il faut choisir RP tel que IZmin < I < IZmax
Polytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.035VI - Diodes électroluminescentes Les électrons libres traversant la jonction se recombinent avec des trous. Lors de cette recombinaison, ils perdent de l'énergie. Dans les autres diodes cette énergie est dissipée en chaleur, mais dans les diodes électroluminescentes (DEL, LED) elle est transformée en radiation lumineuse.Symbole :
Suivant les éléments de dopage (gallium, arsenic, phosphore, ...), les diodes émettent du rouge, du vert, du jaune, de l'orange, du bleu ou de l'infrarouge (invisible).VI - Diodes électroluminescentes Les électrons libres traversant la jonction se recombinent avec des trous. Lors de cette recombinaison, ils perdent de l'énergie. Dans les autres diodes cette énergie est dissipée en chaleur, mais dans les diodes électroluminescentes (DEL, LED) elle est transformée en radiation lumineuse.Symbole :
Suivant les éléments de dopage (gallium, arsenic, phosphore, ...), les diodes émettent du rouge, du vert, du jaune, de l'orange, du bleu ou de l'infrarouge (invisible).LES DIODESLES DIODESPolytech'Nice SophiaC. PETER - V 3.036LES DIODES
caractéristiques la tension de seuil dépend de la couleur la luminosité est proportionnelle au courant la tension inverse de claquage est faiblecaractéristiques la tension de seuil dépend de la couleur la luminosité est proportionnelle au courant la tension inverse de claquage est faiblequotesdbs_dbs1.pdfusesText_1[PDF] joradp janvier 2017
[PDF] jordan bebe fille
[PDF] jordan shoes femme
[PDF] jordan shoes homme
[PDF] jordan shoes pas cher
[PDF] jordanisation exercice corrigé
[PDF] jort juillet 2017
[PDF] jort loi de finance 2017
[PDF] jort n°68 du 22 août 2008
[PDF] jort recherche
[PDF] jort tunisie
[PDF] jort tunisie augmentation salaire 2016
[PDF] jort tunisie juillet 2016
[PDF] jort tunisie juillet 2017