[PDF] Coefficients de température de la conductivité des solutions





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La mesure de la conductivité est une méthode extrêmement répandue et 8 : La conductivité en fonction de la température.



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01-Jan-1979 décrite [23c] ainsi que le calcul théorique [24]. Fig. 3. - Variation de la conductivité d'(As2 Te3)9sGes amorphe en fonction de la température ...



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La permittivité et la conductivité augmentent en fonction de la température et du dopage pour atteindre un maximum pour le PAN 20 Page 4 REMERCIEMENTS Je 

  • Pourquoi la conductivité dépend de la température ?

    En effet, pour une solution, l'augmentation de la température augmente également la conductivité du fait que les ions ou molécules en solution sont plus libres de se déplacer, et donc de participer au passage du courant.
  • Pourquoi la conductivité diminue avec la température ?

    La conductivité d'une solution dépend de la température, de la nature des ions en solutions et de leur concentration : Si la température augmente la conductivité augmente. La conductivité d'une solution dépend de la nature des ions en solutions. La conductivité d'une solution ionique diminue après dilution.
  • Comment la température influence la conductivité de l'eau ?

    La température influence grandement la conductivité de l'eau. Pour comparer les valeurs de conductivité d'une saison à l'autre et d'un plan d'eau à l'autre, il faut qu'elles soient calibrées en fonction d'une température de l'eau de 25ºC. Une fois ajustées, elles deviennent des données de conductivité spécifique.
  • La conductivité électrique dans les solutions est fortement influencée par les ions supplémentaires et les gaz dissous. L'air ambiant se compose d'azote (N2), d'oxygène (O2), de dioxyde de carbone (CO2) et d'autres gaz nobels en concentrations inférieures.
Coefficients de température de la conductivité des solutions >G A/, DT@yykyNRkk ?iiTb,ff?HXb+B2M+2fDT@yykyNRkk

GQBb /2 p`BiBQMb 2i Q`/`2 /2 ;`M/2m` /2 H

+QM/m+iBpBiû Hi2`MiBp2 /2b +?H+Q;ûMm`2b KbbB7b MQM +`BbiHHBMbX hQ +Bi2 i?Bb p2`bBQM, 417

Lois de variations et ordre de

grandeur de la conductivité alternative des chalcogénures massifs non cristallins.

X. Le Cleac'h

CPM/PMT,

Centre National d'Etudes des Télécommunications,

22301 Lannion, France.

(Reçu le 25 août 1978,
révisé le Il décembre

1978, accepté

le 13 décembre 1978)

Résumé.

2014

L'étude de la conductivité alternative

03C3(03C9)

des chalcogénures massifs non cristallins (Se, As2S3, As2Se3, (As2Te3)1-xGex, Se1-xGex) a été effectuée dans de grands domaines de fréquence (1 kHz-35 GHz) et de tempéra- ture (100-300 K).

Deux effets de contact,

l'un observable aux basses fréquences et l'autre au-dessus de 1

MHz, ont

été décelés. On en déduit les lois de variations de

03C3(03C9) intrinsèques

aux chalcogénures massifs : (i) 03B4(03C9) est propor- tionnel à 03C9dans le domaine de fréquence considéré ; (ii) 03C3(03C9) est indépendant de la température aux basses fré- quences ; (iii) son ordre de grandeur est indépendant du matériau étudié. Les mécanismes de conduction par sauts d'électrons, tels qu'ils sont définis actuellement, ne sont pas compatibles avec la dépendance en fréquence observée expérimentalement.

L'accord avec le modèle des

systèmes

à deux niveaux semble

plus satisfaisant. Il impliquerait une distribution des hauteurs de barrière de potentiel indépendante de l'énergie, une quasi-symétrie des doubles puits et, selon notre calcul, un nombre de systèmes

à deux niveaux

compris entre 1019 et 1020 par centimètre cube.

Abstract.

2014

The a.c.

conductivity 03C3(03C9) of bulk amorphous chalcogenides (Se, As2S3, As2Se3, (As2Te3)1-xGex,

Se1-xGex)

is investigated at variable frequency, from 1 kHz to 35 GHz, and at variable temperature, from 77 to

300 K. Two contact effects are disclosed,

one at low frequencies, the other in the radiofrequency range.

The real

dependences of the a.c. conductivity obey the following common laws : (i) 03C3(03C9) is proportional to 03C9 in the fre- quency range scanned ; (ii) 03C3(03C9) is temperature independent at low frequencies ; (iii) the order of magnitude of 03C3(03C9) is independent of the material investigated.

The electronic

hopping models as they are actually defined, cannot explain the experimental frequency variation. Our results seem in good agreement with the model of two level systems. and this concordance would imply a potential barrier distribution independent of the energy and a quasi- symmetric double well configuration. According to our investigation, the number of systems per cubic centimeter is estimated to be (1019-1020).

LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME

40,
AVRIL 1979,

Classification

Physics

Abstracts

71.25 - 77.40 - 62.80

1. Introduction.

Depuis

fort longtemps, l'étude de la conductivité alternative des diélectriques en général,

à causé de leur utilisation en

électronique,

a été le sujet de nombreux travaux expérimentaux et théoriques [1].

Elle a

pris par la suite une orientation particulière en étant considérée , avec intérêt pour comprendre les mécanismes de conduction d'électrons entre états localisés dus aux impuretés dans les semi- conducteurs suite aux travaux de Pollak et Geballe sur du germanium en fonction du type de dopage [2-4]

Depuis,

on l'utilise souvent comme un moyen de caractérisation pour définir le nombre et la répartition des états localisés dans le gap des semiconducteurs non cristallins, du fait qu'une même variation en fréquence de conductivité u(o» en WS avec S compris entre 0,7 et 1 est obtenue dans les deux cas [5-9]. Ceci est

également

vrai pour les chalcogénures non cris- tallins à l'état massif auxquels nous nous intéressons dans cet article. La plupart des études ont été effectuées au-dessous de 1 MHz et sont généralement en accord, part quelques divergences observées par deux auteurs [10], [11] concernant la dépendance de (J(w) en fonction de la température pour deux matériaux de même compo- sition. Aux plus hautes fréquences par contre, la loi de variation en fréquence n'est pas clairement

établie,

certains résultats indiquent une montée en co entre 1 et 100 MHz suivie d'une saturation en hyperfré- quence [11] tandis que d'autres expriment une nette variation dans ce dernier domaine [12], [13]. L'objectif premier de notre étude est de mettre en évidence le pourquoi de ces différentes discordances avant tout essai d'interprétation.

En dehors du mécanisme de conduction

par saut d'électrons précédemment cité, un autre modèle, celui des systèmes

à deux niveaux, exprime également

une loi de variation linéaire en fréquence de la conduc- tivité [14].

Il est

également

utilisé pour expliquer l'excès

Adresse Permanente : Institut Universitaire de

Technologie,

22302 Lannion,

France.Article published online by

418
de chaleur spécifique [15], [16] et l'atténuation ultra- sonore [17] aux très basses températures de systèmes vitreux depuis 1972.
Bien quequotesdbs_dbs31.pdfusesText_37
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