LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI
Dans un métal certains électrons sont libres d'évoluer dans le réseau
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Un semi-conducteur
C'est cet agencement sous la forme de couches d'électrons différent selon les éléments
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conductivité thermique de la conductivité électrique d'un matériau. Toutefois germanium a une conductivité thermique trois fois plus faible que celle du ...
Détermination de lintervalle de bande du germanium
Les semi-conducteurs par exemple
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Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall conductivité électrique. (3) et la mobilité de Hall. (4). Les densités ...
1EXERCICE 1 : RESISTIVITE DU GERMANIUM PUR On considère
Ge Si et. GaAs en utilisant le graphe précédent. 1) A l'aide des deux lois fondamentales : • Loi d'action de masse. • Equation de neutralité électrique.
LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI
Ce sont des corps comme le germanium le silicium (éléments du groupe IV de la électrons sous l'effet du champ électrique appliqué
Étude expérimentale de la conductivité du germanium de type n à 4
courant pour une valeur critique du champ électrique. La croissance de la conductibilite avec le champ electrique [1] et 1'etablissement de l'avalanche sont.
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PhEnomEnES dE conduction. oBJEctiF. Calcul de l'énergie de gap (intervalle de bande) du germanium. GEnEralitES. La conductivité électrique est une grandeur
Travaux Pratiques de Physique du solide Master Physique NOA
semiconducteur au Germanium par une mesure de conductivité électrique en fonction de la température. I Théorie. La conductivité électrique ? d'un matériau a
Physique des Composants – Conductivité des semi-conducteurs
Ainsi le silicium et le germanium sont des semi-conducteurs IV. Toutefois La conduction électrique est schématisée sur la figure suivante.
1EXERCICE 1 : RESISTIVITE DU GERMANIUM PUR On considère
1) Calculer le nombre d'atomes de germanium par cm-3. 2) On donne l'expression de la concentration intrinsèque d'un semi-conducteur :ni = AT. 3.
Les semi-conducteurs
1 – Conduction électrique électrique E = V/L. Si µ désigne la mobilité on a : v = µ.E ... Pour le silicium et le germanium
PhySiquE dES SolidES / PhEnomEnES dE conduction - EffEt Hall
Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall. GEnEralitES. L'effet Hall intervient dans des matériaux conducteurs
ETUDE DU PROCESSUS DE RECOMBINAISON DES PAIRES
trou » en présence des défauts de structure introduits dans le germanium de type N fet Hall et de résistivité électrique en fonction de la température.
Coefficient de Hall et résistivité du germanium dopé à larsenic en
germanium dope a l'arsenic dont la concentration varie de 7 X 1013 cm-3 a 3 X 1017 cm-3 nous avons mesure le coefficient de Hall R et la resistivite p en.
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Germanium (semi conducteur) 2 cm 3 mm 1700 ? 060 ? m 010 ? m Les courbes d'évolution de la résistivité en fonction de la température sont les suivantes
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La conductivité électrique est une grandeur qui dépend fortement de la nature du matériau Par conséquent il est courant de classifier les matériaux en
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Étude expérimentale de la conductivité du germanium de type n à 42 °K en fonction du champ électrique Journal de Physique 1967 28 (10) pp 805-814
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La conduction électrique se fait par les électrons et/ou les trous ? Semi-conducteur pur ? intrinsèque dopé ? extrinsèque
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germanium Ge de la colonne IV du tableau périodique La conduction électrique résulte du déplacement des électrons à l'intérieur de chaque bande Sous
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25 sept 2015 · conductivité électrique est directement proportionnelle au « nombre valeurs des échantillons intrinsèques de Germanium et Silicium
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conductivité électrique Les électrons d'un atomes peuvent électrons de conduction : ceux-ci sont responsables de la circulation du courant électrique
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bande de conduction et un trou dans la bande de valence sous l'action d'un champ électrique E Physique des solides Phénomènes de conduction Effet Hall
Pourquoi l'utilisation du germanium dans les semi-conducteurs ?
Le germanium fait également partie des semi-conducteurs. De plus, tout comme le gallium, le germanium est l'un des rares éléments qui voit son volume augmenter lorsqu'il passe de l'état liquide à l'état solide. Tout comme l'acier, la structure du germanium ne peut pas être altéré par le rayonnement neutronique.Quelle sont les caractéristique des semi-conducteur ?
Un semi-conducteur est un matériau isolant, qui ne laisse donc pas passer le courant électrique, mais que l'on peut rendre conducteur dans certaines conditions (en augmentant sa température par exemple).Comment un matériau semi-conducteur peut devenir conducteur ?
Le dopage, c'est une technique qui vise à modifier l'énergie nécessaire pour rendre le semi-conducteur plus ou moins conducteur. Il consiste à injecter dans les cristaux de silicium des atomes bien choisis pour le rendre soit un peu plus conducteurs, soit un peu moins.- Le "gap" énergétique Eg est de l'ordre de 1eV pour les semi-conducteurs et de l'ordre de 6 eV pour les isolants. les électrons de valence participant à des liaisons, il n'existe pas d'électrons libres. La conductivité d'un monocristal de silicium est donc quasi-nulle.
805.ÉTUDE EXPÉRIMENTALE
DE LA CONDUCTIVITÉ DU GERMANIUM DE TYPE n A
4,2 °KEN FONCTION DU CHAMP
ÉLECTRIQUE
ParJEAN-FRANÇOIS
LE HIR,Centre National d'Études des
Télécommunications, Issy-les-Moulineaux.
Résumé. 2014 Nous avons relevé à 4,2
oK les caractéristiques j (E), densité de courant en fonction du champ électrique, sur une série d'échantillons en germanium dopé l'arsenic, les concentrationsND - NA
variant de 6 x 1013 cm-3 à 3 x 1017 cm-3.Lorsque
la conduction se fait par sauts, ces caractéristiques sont de la forme j E03B2 pour des champs électriques supérieursà E ~
0,1 V cm-1; par contre, pour des échantillons montrant une conduction par bande d'impuretés, j (E) est linéaire presque jusqu'à l'établissement de l'avalanche. Nous n'observons aucune magnétorésistance en dehors de la région d'avalanche pour une intensité maximale du champ magnétique de 6 160 G ; nous en concluons que les variations de la conduc- tivité sont dues à une variation de la conductivité par impuretés en fonction du champ électrique.Nous trouvons
pour le champ d'avalanche Ea en fonction de la concentrationND - NA :
Ea (ND 2014NA)1/2.Abstract.
2014We have measured at 4.2 oK the
characteristics j (E), density of current versus electrical field, on a set ofAs-doped germanium samples
with impurity concentrationsND - NA
from 6 x 1013 cm-3 to 3 x 1017 cm-3. When the conduction mechanism is by hopping, for electrical fields higher than E ~ 0.1 V cm-1 and up to breakdown we have j = E03B2 in contrast with characteristics obtained on samples showing impurity band conduction for which j (E) is linear almost up to breakdown. A magnetic field of maximum intensity6 160 G
does not affect the j (E) characteristics except in the breakdown region, we conclude that the observed variations of conductivity are a variation of impurity conductivity with electrical field.The breakdown field
Ea against
the concentrationND - NA is : Ea
(ND - NA)1/2. LEJOURNAL
DEPHYSIQUE TOME 28, OCTOBRE 1967,
1. Introduction.
A la temperature de l'helium liquide, il existe, d'apr6s la theorie classique des semi- conducteurs, tres peu de porteurs de charge libres dans le germanium et ce materiau, non d6g6n6r6, presente une conductibilite electrique tr6s faible.Neanmoins,
en presence d'un champ electrique, les quelques elec- trons libres de la bande de conduction peuvent acqu6rir une energie cinetique suffisante pour ioniser par chocs les atomes neutres d'impureté.Sur la
caracteristique densite de courant en fonction du champ 6lectrique, l'ionisation par chocs se traduit, aux basses temperatures, d'abord par une deviation de la loi d'Ohm, puis par le phenomene d'avalanche, ac- croissement extremement rapide de la densite de courant pour une valeur critique du champ électrique.La croissance de la conductibilite avec le
champ electrique [1] et 1'etablissement de l'avalanche sont des proprietes bien connues du germanium n ou p aux basses temperatures.L'avalanche fut mise en
evidence pour la premiere fois a la temperature de1'helium
liquide parBurstein et al.
[2] en1953, puis
Sclar et Burstein
[4] en donn6rent une etude detaillee.Depuis lors, l'étude
de ces propri6t6s a ete l'objet de tr6s nombreuses experiences [3 a 14], le germanium conte- nait soit des elements des colonnes III et V, soit des im- puret6s créant des niveaux plus profonds [4], [12], [14]. Sur dix-sept6chantillons en
germanium dope a l'ar- senic dont la concentration varie de 7 X 1013 cm-3 a3 X loll
cm-3, nous avons mesure le coefficients de Hall et la resistivite en fonction de la temperature.Ces me-
sures nous ont permis de determiner1'energie
d'ionisa- tion de 1'arsenic dans le germanium, la concentration des donneurs ND, celle des accepteurs NA (d'ou la compensation KND/NA) et
ont montre que la conductibilite due aux electrons de la bande de conduc- tion devient negligeable devant celle due au mecanisme de transport par " sauts » (ND1 X 1016
cm-3) ou par bande d'impuret6s (1X 1016 CM-3
ND 2 X 1017cm-3) au-dessous d'une certaine temperature, va-quotesdbs_dbs29.pdfusesText_35
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