Le transistor à effet de champ (TEC) Field Effect Transistor (FET)
Transistor à effet de champ se présente comme une résistance Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de saturation. ? Le transistor est ...
TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
La dénomination « transistor à effet de champ » (TEC ou FET) regroupe deux champ existant dans les jonctions. ... On en déduit le schéma équivalent :.
Chapitre 1 : Les transistors à effet de champ
L'entrée est par la grille et la sortie est par le drain. Donc c'est le montage source commune comme le montre la figure ci-dessous. b. Schéma équivalent en
Chapitre 1 : La diode à jonction
4- Le transistor à effet de champ en résistance commandée Figure 10 : Schéma équivalent à une diode Zener polarisée en inverse. Remarque:.
Les transistors à effet de champ
charge sera constituée par le transistor à effet de champ. 5 – Schéma équivalent en petits signaux. L'examen des caractéristiques d'un JFET polarisé dans la
Table des matières
Chapitre I: Transistor à effet de champ. Electronique Fondamentale 2. 10. I.1.7. Schéma équivalent du JFET: a) Schéma équivalent:.
Microsoft PowerPoint _ JFET6_PPT
6ème leçon : Le transistor à effet de champ à jonction : le JFET. • I. Structure et symbole. • II. Comportement du JFET Schéma équivalent petits signaux ...
Le transistor MOS à effet de champs - MOSFET
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 3 – Modèle équivalent petits signaux du MOS. Validité : - polarisation en régime saturé.
Le transistor bipolaire
Fonctionnement du transistor – Effet amplificateur de courant Jonction émetteur polarisée en directe pour créer un champ externe opposé au champ interne ...
TD délectronique analogique 1A : Diodes Ex 1 : Analyse statique
1) Etablir le schéma équivalent en continu et déterminer la composante continue du TD d'électronique analogique 1A : Transistors à effet de champ.
[PDF] Le transistor à effet de champ (TEC) Field Effect Transistor (FET)
Transistor à effet de champ se présente comme une résistance Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de saturation ? Le transistor est
[PDF] Chapitre 1 : Les transistors à effet de champ - opsuniv-batna2dz
? Schéma equivalent général : Page 12 Chapitre 1 : Les transistors à effet de champ 12 ? Schéma équivalent simplifié : A Amplificateurs source commune : a
[PDF] Les transistors à effet de champ
Le transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor unipolaire Le schéma équivalent du montage est alors le même
[PDF] Cours Electronique 1 : Les Transistors à Effet de Champ
En suite en arrive au schéma équivalent de se transistor pour les petits signaux tout en expliquant l'avantage et l'inconvénient de chaque montage ; montage
[PDF] Polycopié-Electronique-Fondamentale-2-bayadh-validépdf
Le canal N du transistor à effet de champ représente un chemin résistif Donc le schéma équivalent du transistor JFET est donné par la figure (Fig I 16)
[PDF] transistor bipolaire
Pour polariser correctement un transistor il faut que : la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct simplifier le schéma équivalent :
[PDF] Le transistor MOS à effet de champs - MOSFET
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 3 – Modèle équivalent petits signaux du MOS Validité : - polarisation en régime saturé
Transistor à effet de champ - Wikipédia
Un transistor à effet de champ (en anglais Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors
Comment fonctionne un transistor à effet de champ ?
Un transistor à effet de champ est un transistor unipolaire : son fonctionnement est basé sur l'action d'un champ électrique sur un canal composé d'un seul type de porteurs de charges mobiles. Ce canal est un semi-conducteur avec un excédent d'électrons (dopage de type N), ou de trous (dopage de type P).Quelle est la différence entre transistor bipolaire et effet de champ ?
Ils fonctionnent de la même manière que les transistors bipolaires : comme ces derniers, ils peuvent servir d'interrupteurs ou d'amplificateurs. Cependant, les transistors à effet de champ sont un petit peu différents du transistor bipolaire, ce qui fait qu'ils sont vus dans des chapitres à part.Comment calculer VGS ?
Comme le courant grille est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la résistance de source une chute de tension égale à RS.ID . La tension grille-source vaut donc : VGS = VGM – VSM = – RS.ID .- Il consiste à modéliser le transistor par une source de courant placée entre le collecteur et l'émetteur. Cette source de courant comporte deux composantes, commandées respectivement par la jonction BE et la jonction BC. Le comportement des deux jonctions est simulé par des diodes.
Le transistor à effet de champ (TEC)
Field Effect Transistor (FET)
1 2Présentation générale
•Transistor à effet de champse présente comme une résistance variable commandée par une tension extérieure •Comparaison avec le transistor bipolaire: - fonctionnement lié au déplacement d"un seul type de porteur (porteur majoritaire) - Très forte impédance d"entrée (MW) - Facteur de bruit inférieur au transistor bipolaireTransistor à canal N
Transistor PNP
Le sens de la flèche indique le sens du courant de grille GD SGD S 3 Présentation générale•Constitution du TEC à canal NSur un substrat de type P(
Grille
) fortement dopé (P+) sont déposées : Une zone N faiblement dopée qui constitue le canalDeux zones N fortement dopées (N
+) qui constitue des bornes d"entrée (Source
) et de sortie du canal ( Drain •Elément actifà3 accès :
Grille
(G) : électrode de commande,Source
(S) : électrode par laquelle les porteurs majoritaires entrent dans le canal, Drain (D) : électrode par laquelle les porteurs majoritaires quittent le canal. N+ P+ N+CanalSubstrat
Grille (G)
Drain (D)
P+NSource (S)
4 Fonctionnement du transistor à canal N•VGS= 0 V (grille et source reliées) - VDS= 0 V •VGS= 0 V (grille et source reliées) - VDS≥ 0 V faible N+ P+ N+ G D P+NS Zone de charge d"espaceLa mise en contact des zones P et N donne naissance à des zones de charges d"espace qui diminuent la largeur effective du canal La jonction grille drain est polarisée en inverse -Les zones de charge d"espace augmentent - Si VDSfaible, le canal se
comporte comme une résistance R DS le transistor à un comportement ohmique N+ P+ N+ G D P+NSZone de charge d"espace
5Fonctionnement du transistor à canal N•VGS= 0 V (grille et source reliées) - VDS≥ 0 V élevée
Si VDSla section conductrice du canal diminueRDSet le courant I Dentre le drain et la source commence à être limité - Lorsque les deux zones de charge d"espace se rejoignent le canal est pincé (VDS= Vp
N+ P+ N+ G D P+NSZone de charge d"espace
Zone ohmique
ID V DSVGS= 0IDSS
VPVDSmaxV
DSmax= tension de ruptureZone de saturation
Si VDS> VpIDconstant
zone de saturation du transistor 6 Fonctionnement du transistor à canal N•VGS< 0 V - VDS= 0 V Si |V GS| l"épaisseur du canal se rétrécit - le canal est totalement pincé lorsque VGS = -V p •VGS< 0 V - VDS> 0 V Si |V GS| < Vp le canal ne peut être complètement fermé le courant IDqui circule dépend de V DS et V GS Si V DS > VDScoude
= Vp - V GS le courant IDn"augmente plus
7Caractéristiques statiques du TEC à canal N
•La caractéristique de transfert est tracée lorsque le transistor est dans la zone de saturationVGS1VGS2
IDVDS > 0
VGS= 0
I DSSVPZone de saturation
VP+VGS2Zone ohmique
VGS < 0-V
P VGS1 Caractéristique de transfertCaractéristique de Kellog VGS2VP+VGS1
8 Paramètres statiques du TECParamètres obtenus en considérant le montage suivant :Paramètres d"entrée : I
Get V GSParamètres de sortie : I
Det V DSLa tension V
GS est toujours négative la jonction Grille-Source est polarisée en inverse donc IG»»»»0FTEC
IGVGS ID VDSTECGrille
Source
SourceDrain
9 Paramètres statiques du TEC•Loi de variation du courant IDZone ohmique : VDS < VDScoude= Vp+ VGS
avec Vp> 0 et VGS< 0Zone de saturation : VDS > VDScoude
1 avec V p> 0 et VGS< 0Dans ce cas I
Dest indépendant de V
DS •Résistance Grille-Source la jonction Grille-Source est polarisée en inverse doncIG»»»»0
»»»»10 MW W W W très grande 10 Paramètres statiques du TEC•Résistance Drain Source dépend de la zone d"utilisation du TEC •Pente de la caractéristique ID= f(VGS) dans la zone de saturation !avec 1Pour VGS= 0ID= IDSSgm= gm0(valeur maximale)
Pour -Vp< VGS< 0%
11 Polarisation du TEC à canal N en zone de saturationObjectif de la polarisation
: Fixer les valeurs des tensions VGS0, VDS0 et du courant ID0pour l"utilisation du transistor en alternatif
avec IGtrès faible (
IG»»»»0
RGélevée
R Det RSservent à limiter le continu
RDVDD> 0RS
RG IG IDIS GSDExemple : polarisation automatique en zone
de saturation 12 Polarisation du TEC à canal N - Droite de polarisation '()*+,-./01*/2-,+0/03-1*2,4*+,-. orIG»»»»0 et&
Equation de la droite
de polarisation ou droite d"attaque RDV DD> 0 RS RG IG ID ISSDExemple : polarisation automatique en zone de saturation VGS VDS IDSSVGS < 0-V
P VGS0 1 5 6 57ID0 13
Polarisation du TEC à canal N - Droite de charge statique Equation de la droite de charge statique
Car 8 9Equation de la droite de charge statique
RDV DD> 0 RS RG IG ID ISSDExemple : polarisation automatique en zone de saturation VGS VDSVGS0VGS2
ID VDSVGS= 0
I DSS VDS0 ID0 14Le TEC en régime dynamique•Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de saturation
Le transistor est considéré comme un quadripôle •Le quadripôle est décrit en utilisant les paramètres admittances ;"$< ;""Gpente de la caractéristique I
D= f(V
GS) A B=?@ A C> DLe TEC en régime dynamique
16 Schéma équivalent du TEC en alternatif BF•Schéma équivalent général H •Schéma équivalent simplifié I6 → ∞et I iG vGS iD vDS RGS gmvGSRDS GD S iG vGS iD vDS G g mvGS SD 17 Amplificateur à TEC à polarisation automatique• Montage source commune Les accès d"entrée et de sortie sont etLes capacités C
1, C 2et C s sont des capacités de découplage 1 2 RL 2C2 RDV DD> 0 RS RG SD Rg 1C1 v1(t) v2(t) C S e g(t) 18 Etude statique du montage (théorème de superposition)• Schéma équivalent en continu Le point de fonctionnement du transistor est imposé par leséléments du montage
ID0, VGS0et VDS0sont fixés
un signal alternatif vGS(t) peut être superposé au signal continu V GS0 RDV DD> 0 RS RG IG ID ISSDDétermination des droites d"attaque et statique de sortie (voir diapositives 12 et 13) VGS VDS 19 • Schéma électrique en régime sinusoïdal • Schéma équivalent (R GS et R DS sont négligées) Etude dynamique du montage (théorème de superposition) RL RD RG SD Rg v1(t) v2(t) e g(t) i1(t)i 2(t) iGvGS iD vDS G g mvGS SD RG Rg RL RD v1(t) e g(t) v2(t) i1(t)i2(t) 20 Etude dynamique du montage (théorème de superposition)• Droite de charge dynamique (d"après le schéma de la diapositive 19) La droite de charge dynamique DDDDest la droite passant par le point de fonctionnement de coordonnées (I D0 , V DS0 ) et de pente 8> D LMMD DL9D D LDéquation de la droite de charge
dynamiqueUne petite variation de la tension d"entrée v
GS(t) autour de V
GS0 entraine des variations de courant i DS(t) autour de I D0 et de tensions vDS(t) autour de V
DS0 N DLD D L9D O O IP I I PIQN 5 BR B 21tVGS0VGS2
IDVDS > 0
VGS= 0
I DSSVGS < 0-V
PVGS0VDS0
ID0 vGS(t)t iD(t) tDroite de charge dynamique
vDS(t) Analyse du circuit : application du théorème de superposition S % TQRU % VQR S % TQR 22Caractéristiques électriques de l"amplificateur en fonctionnement alternatifquotesdbs_dbs33.pdfusesText_39
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