[PDF] DEMANDE DE BREVET D’INVENTION



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DEMANDE DE BREVET D’INVENTION 01 !+(*230*4* 56/
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PIXELS

INTÉGRANTS

ET

PROCÉDÉS

DE

FONCTIONNEMENT

ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Bomamedel invention La présente invention concerne des circuits de capteurs d'images et plus 5 particulièrement, des cellules de pixels destinées, par exemple, à une matrice de

capteurs d'un i mageur. JB3

Descr3iption3de3l6art3connexe3De3nombreuses3techniques3d6imagerie3utilisent3des pixels intégrants qui

accumulent un courant photoélectrique produit dans un photodétecteur, par

10 exemple une photodiode, pour charger un condensateur d'intégration. La quantité

de signal que le pixel peut détecter avant saturation est appelée capacité de puits et est proportionnelle à la valeur physique du condensateur d'intégration. La sensibilité cf un pixëT intégrant (ou gain de conversion) est également liée à la valeur de capacité du condensateur d'intégration, mais est inversement 15 proportionnelle. En général, on souhaite à la fois une haute sensibilité et une . grande capacité de . puits, mais ces .paramètres de performance des pixels sont typiquement en concurrence directe. Avec3les3pixels3intégrants3classiques73on3a3tenté3de3résoudre3le3problème3en3 généralement un petit condensateur d'intégration pour le mode à haute sensibilité et on permet la connexion, par un interrupteur, d'un condensateur d'intégration supplémentaire, plus gros, pour activer le mode grande capacité de puits. Cet interrupteur est généralement mis en oeuvre par un ou plusieurs transistors qui 25
fonctionnent sur des modes binaires MARCHE ou ARRÊT. En outre, les architectures de capteurs sont généralement conçues pour que tous les pixels d'une matrice soient contrôlés de façon homogène, de sorte que tous les pixels fonctionnent uniquement en mode haute sensibilité ou en mode haute capacité. Les3pixels3intégrants3classiques possèdent une qualité d'imagerie limitée,

30 due en partie au compromis entre la sensibilité et la grande capacité de puits. Il BE2015/5204

2 existe un besoin, dans l'art, pour des pixels intégrants offrant une meilleure qualité d'imagerie. La présente invention fournit une solution à ce besoin. -RÉSUMÉ DE L'INVENTION Une3cellule3de3pixel3s3comprend3un3premier3condensateur3d6intégration73un 5 second condensateur d'intégration, un photodétecteur et un transistor. Le premier condensateur d'intégration comprend un premier fil couplé fonctionnellement au photodétecteur.

Lesecond

condensateur d'intégration comprend un premier fil. Le transistor est couplé fonctionnellement entre les fils des premier et second condensateurs d'intégration pour permettre la circulation de courait entre le

10 photodétecteur et I e second condensateur d'i ntégrati on seul ement une foi s qu' une

tension seuil a

été

atteinte aux bornes du premier condensateur d'intégration. Selon3certa6ns3 une3capacité3 supérieure3 â3 celle3 du3 de pixels peut également comprendre un miroir de courant couplé 15 fonctionnellement entre le photodétecteur et les condensateurs. Le transistor peut

être

un dispositif .de type.NMOS et/ou un dispositif de type PMOS. La cellule de pixels peut également comprendre un second transistor couplé fonctionnellement entre le photodétecteur et le premier condensateur d'intégration. Le photodétecteur peut

être

une

photodiode. 20 Les premier et second condensateurs d'intégration peuvent être couplés fonctionnellement

en série ou en parallèle par rapport au trajet de courant d'un signal. La cellule de pixels peut également comprendre un dispositif de réinitialisation de la tension et un amplificateur d'entrée. Le dispositif de réinitialisation de la tension peut être couplé fonctionnellement au premier 25
condensateur d'intégration. L'amplificateur d'entrée peut être couplé fonctionnellement entre le photodétecteur et un miroir de courant. Chacun des premier et second condensateurs d'intégrationquotesdbs_dbs2.pdfusesText_2