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Semi-conducteur pur ⇒ intrinsèque dopé ⇒ extrinsèque ▫ Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de Silicium ⇒ ρ passe
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1 Evolution de la concentration intrinsèque en représentation semi-log pour le silicium, le germanium et le GaAs a En fonction de la température
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Semi-conducteur extrinsèque Introduction La concentration (n ou p) en porteurs libres (électrons de la bande de conduction, trous de la bande de valence) et
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Semi-conducteurs extrinsèques – le dopage • Le dopage d'un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du réseau par des
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degré de pureté (moins de 1 atome étranger pour 1011 atomes de semi- conducteur) : on parle alors de S C intrinsèque 2 1) Liaison de covalence
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II 2 2 Semiconducteur intrinsèque II 2 3 Semiconducteur fortement dopé ( dégénéré) II 2 4 Semiconducteur dopé (ou extrinsèque) II 2 4 A Occupation des
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Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur) I – Matériaux semi-conducteurs Cristal de silicium : 4 e- de valence Si → association avec 4 atomes voisins pour
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Semi-conducteurs (intrinsèques et extrinsèques) ▫ Semi-conducteurs de type N et de type P ▫ La jonction PN ▫ Caractéristique de la jonction PN
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2 3 – Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques Dans un matériau pur, on introduit des impuretés par dopage Pour que celui-ci soit contrôlable, il faut que le
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