IAEC TOGO Institut Africain d’Administration et d’Etudes
Corrigé : R3 ETh R3 ETh Les deux schémas ci-contre sont identiques On reconnaît un pont diviseur de tension On en déduit donc que Lorsque El est remplacé par sa résistance interne (Pour une source de tension, c'est une résistance nulle), on reconnaît, entre les bornes A et B, deux résistances en parallèle Donc
Chapitre 13 : Correction des exercices
Exercice 2 : Illustrer des modes de transferts thermiques En été et par beau temps, l’eau d’une piscine est à la température de 25°C La température de l’air est de 30°C et celle du sol qui entoure la piscine est de 17°C (Rêvons un peu ) Dans cette situation où un transfert thermique a lieu : 1 Par conduction 2 Par
Exercice I: Effet d’amortissement sur les oscillations d’un
Exercice I: Effet d’amortissement sur les oscillations d’un pendule Résonance On place un solide de fer (M) de masse m 500g sur une table horizontale On accroche le solide à une extrémité d’un ressort de raideur k 2N/m et de masse négligeable, et l’autre extrémité du ressort est fixée au bord de la table
-EXERCICE 22-
EXERCICE -EXERCICE 2 2- • ENONCE : « Théorème de Kennely » A B C RAB RBC RAC A B C rA rB rC Soit un réseau comportant 3 bornes A,B,C et constitué de 3 résistances montées en « triangle » ; nous allons montrer qu’il existe un réseau équivalent pour l’extérieur, constitué de 3 résistances montées en « étoile »
1 UNIVERSITE SAAD DAHLAB DE BLIDA FACULTE DE MEDECINE
¾ § II-RESISTANCE MECANIQUE ET LOI DE LAPLACE • Exercice 8 En utilisant la loi de Laplace, calculer le nombre minimum de points nécessaires par cm pour suturer une incision longitudinale de l’aorte de rayon 1 2 cm; la paroi devant résister à une pression transmurale Ptm de 200 mm Hg Le fil de suture résiste à une force maximale de 0
Figure 43 - issammabroukweeblycom
exercice 13: 56 14 La diode Zener utilisée dans le circuit représenté Figure 59 est supposée idéale; sa tension de Zener est de 5 V 14 1 La tension V AB
TD N°1 : transistor bipolaire Exercice 1
Exercice 1 ETUDE STATIQUE ∆VB = 0 On choisit VB et RC et RE pour avoir un point de repos V CE0=7 5V 1 Donner l’expression de la droite charge statique Ic = f(V CE) ETUDE DYNAMIQUE ∆VB # 0 1 on fait varier VB de ∆VB pour avoir une variation ∆V BE ±25mV 2 déterminer graphiquement les variations ∆I B, ∆I C et ∆V CE 3
COMPOSITION DE SCIENCES PHYSIQUES (2 SEMESTRE)
Exercice 1 : Etude d’une pile (03 points) Une pile d'oxydoréduction est constituée en associant les deux demi-piles suivantes : - Une lame de zinc de 7,34 g trempant dans 100 mL d'une solution de sulfate de zinc à 0,1 mol/L - Une lame d'aluminium de 4,37 g trempant dans 100 mL d'une solution de sulfate d'aluminium à 0,1 mol/L
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1 TD N°1 : transistor bipolaire
Exercice 1
ETUDE STATIQUE DVB = 0
On choisit VB et RC et RE pour avoir un point
de repos VCE0=7.5V1. Donner l'expression de la droite charge
statique Ic = f(V CE)ETUDE DYNAMIQUE DVB # 0
1. on fait varier VB de DVB pour avoir
une variation DVBE ±25mV.2. déterminer graphiquement les
variations DIB, DIC et DVCE3. D'après la caractéristique de transfert
IC=b IB déterminer analytiquement les
variations DIB, DIC et DVCE pour avoir une variation DVBE ±25mV autour de VBE04. tracer
la droite de charge dynamiqueDIC =f ( DVCE)
5. déterminer DVCE en fonction de DVB et
déduire le schéma électrique équivalent pour les petites variations de la tension d'entréeExrcice 2
A- polarisation en courant
- calculer Rb - trouver le générateur Thévenin équivalent vu la base du transistor et déduire le générateurNorton
- montrer que la base du transistor est bien polarisé en courant ?B- polarisation en tension
- on choisissant Ip = 20mA calculer de polarisation R1 et R2 - trouver le générateur Thevenin équivalent vu la base du transistor - montrer que la base du transistor est bien polarisé en tension2 Exercice 3 ! EFFETS DE LA TEMPÉRATURE SUR LES TRANSISTORS La température modifie simultanément
- La jonction passante basse émetteur 15.2--=DDCmVTVbe
O - La jonction bloquée base collecteur 150-=DDCnATIcbo
O - Le gain en courant 1 %6.0-=DDC TO bb1. On rappelle : ()
()ICboIbIc1++=bbMontrer que variation DIc du courant Ic en fonction DVbe, DIcbo et Db engendrés par la variation de température peut être sous forme :2. CboIcboVbeISSVbeSIcD+D+D=Lbb
3. Déterminer les expressions des coefficients de stabilisation et monter qu'elles sont :
4. ()Re1ReRe01Re1ReRe1 b b bb b bRthRthVbeEthSRthVbeEthICbcarRthRthSRth
SICboVbe
5. la température du transistors évolue de 25°C à 125°C déterminer la variation du courant DIc des deux
types de polarisations étudiées précédemment et comparer6. refaire la question 4 en suppose qe Re= 0 conclusion
Exrcice 4 : ETUDE D'UN AMPLIFICATEUR On considère le montage schématisé ci-dessous.ETUDE STATIQUE
Déterminer les coordonnées des points de repos IB0, IC0, VBE0, VCE0 - déterminer les paramètres hybrides du transistor h11 et h21==bETUDE DYNAMIQUE
- Expliquer pourquoi le point de fonctionnement est inchangé par rapport à la question 1.- Identifier les rôles des différents condensateurs et donner un ordre de grandeur des capacités.
- Pourquoi ce montage est-il nommé émetteur commun ?- Donner le schéma équivalent du transistor en fonctions des paramètres hybrides hij, On suppose h12=h22=0
- En déduire le schéma équivalent du montage en régime de petits signaux. - Déterminer le gain en tension,- Déterminer les impédances d'entrée et de sortie du montage, le gain en courant et en puissance. Ces
grandeurs dépendent- elles de la charge ?- On enlève le condensateur Ce. Déterminer le gain en tension. Comparer et en déduire l'intérêt du découplage
en émetteur commun. 3TD N° 2 : transistor bipolaire
ANALYSE D'UN AMPLIFICATEUR POUR ANTENNE DE TELEVISION On se propose d'analyser un montage destiné à amplifier le signal fourni par une antenne de télévision (fréquence de l'ordre de 500
MHz). En effet, cette antenne est située dans une région trop éloignée de l'émetteur pour obtenir une réception de l'image et du son
dans de bonnes conditions. Aussi, l'amplificateur proposé permettra de palier à cet inconvénient.
PARTIE 1 : ADAPTATION EN PUISSANCE DU SIGNAL DELIVRE PAR L'ANTENNELe signal délivré par l'antenne, véhiculé par un câble blindé, est assimilable à un générateur sinusoïdal indépendant eg de résistance
interne RG de 75 W? Sachant que le signal eg possède une valeur efficace faible (inférieure à 100 µV), il est nécessaire de prévoir son
adaptation en puissance. À cet effet, on donne en figure 1 le schéma du générateur eg, Rg chargé par une résistance R variable.1. Déterminer en fonction de eg (eff), RG et R, l'expression de la
puissance efficace Peff qui est reçue dans la résistance R.2. On désire que la puissance efficace Peff soit maximale. Calculer
d'abord la dérivée de la puissance par rapport à R. Puis, en déduire la relation simple qui relie alors les résistances RG et R. Figure1 PARTIE 2 : ETUDE DE L'AMPLIFICATEUR Le schéma complet du montage amplificateur est donné en figure 2. La tension d'alimentation est fixée à VCC = 5V et la température de fonctionnement est de 25 °C. Les deux transistors NPN sont identiques avec un gain en courant b = 200. On négligera leur résistance dynamique (h22 =0)A - ETUDE DE LA POLARISATION
1. Dessiner le schéma d'étude en régime continu.
2. on fixe Vbe des transistors à 0.6V Montrer que la
tension VC1E1 du transistor T1 est égale à 1,2V.3. On supposera que les courants de base de T1 et T2
sont suffisamment faibles pour êtres négligés devant les courants de collecteur. En déduire la valeur du courant de repos IC1 du transistor T1.4. Calculer la valeur des tensions VE1M, VE2M et VC1M
qui seront reportées sur le schéma précédent. En déduire la valeur du courant de repos IC2 du transistor T2. Calculer la valeur du potentiel VC2M. figure 2B - ETUDE DYNAMIQUE AUX PETITES VARIATIONS On supposera qu'aux fréquences de fonctionnement du montage, les condensateurs sont équivalents à des courts-circuits. Le gain en
courant des transistors est fixé à 200.1. Déterminer le type de montage amplificateur relatif à chaque transistor. Que peut-on dire du signe du gain du montage complet ?
2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations du montage complet. On considéra h221 = h222 = 0.
3. Calculer les paramètres hybrides h11 petits signaux de chaque transistor.
4. Déterminer l'expression du gain en tension de l'amplificateur : Av = vs/ve.
5. En déduire la valeur du gain en tension à vide AV0.
6. Déterminer l'expression de la résistance d'entrée Re du montage vue par le générateur d'excitation eg, RG. Faire l'A.N.
7. L'entrée de l'amplificateur est telle conforme au cahier des charges à savoir adaptation
8. en puissance du générateur d'excitation ? Commenter.
9. En utilisant la méthode habituelle de "l'ohmmètre» dessiner le schéma qui permet de déterminer la résistance de sortie RS du
montage vue par la résistance d'utilisation RU.10. Déterminer l'expression de la résistance de sortie RS vue par la résistance d'utilisation RU
11. La sortie de l'amplificateur est telle aussi adaptée en puissance ? Faire un schéma et commenter. Déterminer le gain en puissance
du montage exprimé en dB.12. On se place maintenant à une fréquence où l'impédance des condensateurs de liaisons n'est pas négligeable. Cependant à cette
fréquence, le condensateur de découplage est encore un court-circuit. Déterminer, dans ces conditions, l'atténuation en dB du
gain du montage complet provoqué par les capacités de liaisons. Faire le schéma permettant de faire cette analyse.