[PDF] Module : Technologie et fabrication des circuits intégrés



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OUTILS DE DÉMONSTRATION AUTOMATIQUE ET PREUVE DE CIRCUITS

Efforts towards the use of Coq for circuits: "Circuits as streams in Coq: verification of a sequential multiplier", C Paulin-Mohring, Research report, LIP, 1995 "Certifying circuits in Type Theory", S Coupet-Grimal, L Jakubiec, Formal Aspects of Computing, 2004 17 Forum Méthodes Formelles - Février 2014



Électronique - Tout le cours en fiches - Dunod

Fiche 94 Circuits TTL et CMOS 268 Fiche 95 La classification des circuits numériques 270 Fiche 96 Les circuits PLD 272 Fiche 97 Les circuits FPGA 274 Fiche 98 Mémoires, notions générales 276 Fiche 99 Mémoires RAM et PROM 278 Fiche 100 Les circuits combinatoires à base de RAM 280



neu-2 - Analog Devices

parametres importants pour les circuits électroniques utilisés dans les dispositifs médicaux Jusque récemment les optocoupleurs étaient les appareils de choix pour le transfert des signaux travers les limites d'isolation Une nouvelle famille d'isolateurs numériques 4 canaux ràgle directement les problèmes associés aux optocoupleurs



Module : Technologie et fabrication des circuits intégrés

I-1 Bref rappel de l’historique des circuits intégrés Introduction La découverte du transistor bipolaire a permis de remplacer efficacement les tubes électroniques dans les années 1950 et ainsi de perfectionner la miniaturisation et la fiabilisation des montages électroniques La première machine mathématique (machine PC)



ROYAUME DU MAROC OFPPT

5 Expliquer le fonctionnement des circuits d’amorçage des thyristors 6 Décrire les limites absolues d’utilisation des thyristors 7 Interpréter des schémas de circuits électroniques de puissance Avant d’apprendre à effectuer des vérifications sur le circuit (B) : 8 Analyser un circuit à c c 9 Analyser un circuit à c a 10



Les fonctions de lappareillage électrique

Protection des circuits électroniques : diodes, transistors, triacs, etc contre les faibles surcharges de longue durée et contre les courts-circuits Courbe K (fig 4) Déclenchement entre 10 In et 14 In Commande et protection contre les surcharges et les courts-circuits d'installations présentant des



Electronic Design Circuits And Systems Savant

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1jfssf bzÏ-&4 "-* &/5"5*0/4 ²-&$530/*26&4 "mjnfoubujpot mjoÏbjsft fu Ë eÏdpvqbhf 1jmft fu bddvnvmbufvst 3Ïdpmuf e Ïofshjf 3e édition doc pdf 3 02/05/2018 13:10:22



Gradateur SF10P et DF10P, 0-10 VCC, 120 VCA, 60 Hz, 1 200 W

maximum de ballasts ou de circuits électroniques par gradateur, consulter le tableau sur le feuillet inclus Instructions d’installation : • Détermination du type d’installation Installation unipolaire - Commande d’éclairage depuis un seul endroit Installation à 3 voies - Commande d’éclairage depuis 2 endroits

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Module: Technologie et fabrication des circuits intégrés Module: Technologie et fabrication des circuits intégrés Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques

Technologies SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI

Salle blanche

Effet de la contamination

Les plus importants fabricants de CI dans le monde Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque, Si dope type n, Si dope type p) Description schématique des étapes technologiques (cycle complet de fabrication †ǯ— ...‹"...—‹- intègre). Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs

1-Le premier transistor

2-Le premier circuit intégré

3-Loi de Moore

1-Le premier transistor

représenterchaquebit)

1-Le premier transistor

1-1 Définition: Le transistor bipolaire est un composant électronique

utilisé comme : interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur de VLJQMO"

1-1 Histoire du transistor :

™1947:JohnBARDEENetWalter

BRATTAINinvententletransistorà

contact(transistor)aulaboratoirede physiquedelasociétéBELL(USA).

1948.Ceschercheursontreçupour

cetteinventionleprixNobelde physiqueen1956.

Une réplique du premier transistor

1-Le premier transistor

1-Le premier transistor

deceluideBELL.

1-Le premier transistor

1948:enjanvierWilliamSHOCKLEY

inventeletransistoràjonction (bipolaire)maislatechniquede

1-Le premier transistor

tension,

Conclusion

1-Le premier transistor

Lestransistorsremplacentles

contacteursélectromécaniques descentrauxtéléphoniquesetles tubesdanslescalculateurs.

1953::première

applicationportative dutransistorentant quesonotone..

1954 :

première radio à

Transistors

2-Le premier circuit intégré

2-Le premier circuit intégré

unautreAméricain,JackKilby,deTexas

Instruments,réussitàintégrerun

suruneplaquedesemi-conducteurKilbya toutsimplementreliéentreeux main. deuxtransistorsbipolaires,aété

Semiconductoren1958parl'Américain

RobertNoyce

2 -Le premier circuit intégré

™1960 : production de la première

mémoire Flip Flop par la société

FairchildSemiconductor.

™1963Lepremiercircuitintégré

CMOSsortsimultanémentdes

laboratoiresR.C.A.(Radio CorporationofAmerica)™1968 production en masse des circuit intégrés

3 -Loi de Moore

64composants).

Il rectifia par la suite en portant à dix-huit mois le rythme de doublement.

3 -Loi de Moore

En 1965, Gordon Moore note que le nombre de transistors sur une puce double à tous les 18 à 24 mois. Il prédit que la technologie des semi-conducteurs doublera en efficacité à tous les 18 mois.

3 -Loi de Moore

cerveauxetnosautresorganesvitaux.

3 -Loi de Moore

I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques transistor. onentendplutôtuncircuitmonolithique. I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques unmorceaudesiliciummonocristallin. (ultralargescaleintegration). I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques

10transistors,datedesortieest1964.

I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques est1980.

1000000transistors,datedesortieest1984.

I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques -1961 Début de la production en série des CI -1964 Intégration à petite échelle (SSI de 1 à 10 transistors) -1968 Intégration à moyenne échelle (MSI de 10 à 500 transistors) -1971 Intégration à grande échelle (LSI de 500 à 20 000 transistors) -1980 Intégration à très grande échelle (VLSI plus de 20 000 à 1000

000 transistors).

-1984 Intégration à très grande échelle (ULSI plus de 1000000 transistors)

Des dates importante

I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques Les circuits intégrés sont aussi classés par leur technologie :

Classification des circuits intégrés

9le type de transistors,

9la manière dont les transistors sont connectés,

9la technique utilisée pour fabriquer les transistors.

Cette dernière classification est plus significative. Deux exemples de cette classification : les circuits TTL (transistor-transistor logic) et les circuits MOS (metal-oxidesemiconductor). I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques

LatechnologieTTLestnormalisée

pourunetensiond'alimentation de5V.UnsignalTTLestdéfini commeniveaulogiquebasentre0 et1,4V,etcommeniveaulogique hautentre2,4Vet5V I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques

´thickILOPµ.

Salle blanche

Unesalleblanche(ouplusexactementsalle

propreselonlanormeISO14644-1)estune pièceouunesériedepiècesoù afindeminimiserl'introduction,la spécifiqueindustrielouderecherche scientifique.Lesparamètrestelsque relativesontégalementmaintenusàun

14644-1).

Salle blanche

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Les plus importants fabricants de CI dans le mondequotesdbs_dbs6.pdfusesText_11