Recristallisation et température de fusion
Déterminez avec la mesure du point de fusion la pureté de vos cristaux 18 Cahier de laboratoire Dans votre cahier, indiquez: • si vous avez fait une recristallisation à chaud ou à froid • quel(s) solvant(s) vous avez utilisé(s) • Notez l’aspect de votre solide avant et après • Mesurez le point de fusion du produit sec obtenu,
Fusion Engineering and Design
recrystallization temperature of tungsten confines its application in intermediate temperature region since recrystallization embrit-tlement does not allow the application at very high temperatures Alloying or dispersion strengthening methods of W matrix mate-rials are expected to solve these problems by refining the grains,
Hardness loss and microstructure evolution of 90% hot-rolled
recrystallization The incubation periods, occurs, depend strongly on the annealing during which only recovery temperature They are taken as the times when onset of recrystallization becomes recognizable, highlighted in Fig 3 and summarized in Table 1 The evolution of recrystallizedthe volume fraction X is shown in Fig 2
Effect of Minor Amounts of Scandium on Recrystallization
higher recrystallization temperature and effective - ly inhibit recrystallization Scandium is the most effective recrystallization inhibitor element for al - uminium alloys The anti-recrystallization effect of scandium additive is attributed to high density (number of particles per unit volume) of dispersed Al 3 Sc particles
Simulation thermique de la fusion et de la recristallisation
Simulation thermique de la fusion et de la recristallisation par lasers à excimères du silicium amorphe pour les applications transistors en couches minces S de Unamuno et E Fogarassy Laboratoire PHASE-CNRS, BP 20, 67037 Strasbourg cedex, France Résumé: L'optimisation des technologies de fabrication de transistors en couches minces au
1/2000 - Mettler Toledo
Fusion, cristallisation, transforma-tions de mésophases Le pic de fusion permet de calculer la cha-leur et la température de fusion La tempé-rature de fusion des substances pures, dont la pente du pic est pratiquement droite (fig 4a), est définie par le point de départ Celui des échantillons impurs et des polymères,
Recristallisation du silicium dopé par faisceau laser pulsé
Recristallisation du silicium dopé par faisceau laser pulsé : Etude numérique du couplage champ thermique et diffusion du bore en extrême surface (< 50 nm)
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