TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTÉGRÉS
Les technologies des circuits analogiques et programmés seront abordés ultérieurement mais reprendront certaines notions vues ici. II/ TECHNO. DES CIRCUITS
techno ci
Chapitre IV : Technologie des circuits intégrés numérique
niveau logique 0 dans des conditions de charge spécifiées. 2. Tension caractéristique a. Tension d'alimentation. Les circuits intégrés sont alimentés sous
chapitre technologies circuits integres numeriques
II TECHNOLOGIES DES CIRCUITS INTEGRES
TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES - D ANGELIS. 40. IV TECHNOLOGIE À TRANSISTORS BIPOLAIRES NON SATURÉS. IV - 1 - Base de la technologie ECL.
partie
Technologie des circuits intégrés numériques
Les premiers circuits logiques intégrés ont été des transpositions des circuits à composants discrets : RTL (Résistor Transistor Logic) puis DTL (Diode
technocin
Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction
1 janv. 1991 Technologie des circuits intégrés bil)olees a hétérojonction. Journal de Physique III EDP Sciences
Caractéristiques des circuits intégrés numériques I Caractéristiques
Les circuits intégrés numériques s'alimentent grâce à une alimentation unipolaire II Caractéristiques dynamiques (temporelles) d'un circuit intégré.
Technologie circuits integres
II TECHNOLOGIES DES CIRCUITS INTEGRES
TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES LOGIQUES - D ANGELIS. 25. LES DIFFÉRENTES TECHNOLOGIES. III - Technologies à base de Transistors Bipolaires Saturés.
Module : Technologie et fabrication des circuits intégrés
Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs. 1- Le premier transistor. 2- Le premier circuit intégré. 3- Loi de Moore.
technologie et fabrication des circuits intc a grc a s partie
Conception et caractérisation de circuits intégrés en technologie
19 févr. 2007 CIRCUITS INTEGRES EN TECHNOLOGIE. BICMOS SIGE POUR APPLICATION DE ... II. +. = I. 3. Le courant de collecteur s'exprime par : MBI. II.
Contribution à la conception de circuits intégrés analogiques en
La conception de circuits intégrés analogiques en technologie CMOS basse tension 5.10 : Miroir de courant cascode à large excursion (II) .
standarovski
Technologies SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI
Salle blanche
Effet de la contamination
Les plus importants fabricants de CI dans le monde Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque, Si dope type n, Si dope type p) Description schématique des étapes technologiques (cycle complet de fabrication ǯ ..."...- intègre). Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs1-Le premier transistor
2-Le premier circuit intégré
3-Loi de Moore
1-Le premier transistor
IntroductionLadécouvertedutransistorbipolaireapermisderemplacer efficacementlestubesélectroniquesdanslesannées1950etainside perfectionnerlaminiaturisationetlafiabilisationdesmontagesélectroniques.Lapremièremachinemathématique(machinePC)
quioccupaitunesalleentière,étaitéquipéde17468 tubesélectroniques(untubeétaitnécessairepour représenterchaquebit)1-Le premier transistor
1-1 Définition: Le transistor bipolaire est un composant électronique
utilisé comme : interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur de VLJQMO"1-1 Histoire du transistor :
1947:JohnBARDEENetWalter
BRATTAINinvententletransistorà
contact(transistor)aulaboratoirede physiquedelasociétéBELL(USA).Cettedécouverteestannoncéeenjuillet
1948.Ceschercheursontreçupour
cetteinventionleprixNobelde physiqueen1956.Une réplique du premier transistor
1-Le premier transistor
1-Le premier transistor
1948:HerbertMATAREetHeinrichWELKERinventent
(indépendammentdeBELL)aussiletransistoràcontactenjuin1948 (enFrance).CetransistorseraappeléleTransistronpourledistinguer deceluideBELL.1-Le premier transistor
1948:enjanvierWilliamSHOCKLEY
inventeletransistoràjonction (bipolaire)maislatechniquede fabricationneseramaitriséeTX·HQ19511-Le premier transistor
Letransistorestconsidérécommeunénormeprogrès faceautubeélectronique:beaucouppluspetit,plus légeretplusrobuste,fonctionnantavecdestensions faibles,autorisantunealimentationparpiles,etil fonctionnepresqueinstantanémentunefoismissous tension,Conclusion
contrairementauxtubesélectroniquesquidemandaient unedizainedesecondesdechauffage,généraientune consommationimportanteetnécessitaientunesource detensionélevée(plusieurscentainesdevolts).1-Le premier transistor
Lestransistorsremplacentles
contacteursélectromécaniques descentrauxtéléphoniquesetles tubesdanslescalculateurs.1953::première
applicationportative dutransistorentant quesonotone..1954 :
première radio àTransistors
2-Le premier circuit intégré
Introduction:Lecircuitintégré(CI),aussiappelépuceélectronique,est uncomposantélectroniquereproduisantune,ouplusieurs,fonction(s) électronique(s)plusoumoinscomplexe(s),intégrantsouventplusieurstypesde composantsélectroniquesdebasedansunvolumeréduit(surunepetiteplaque), rendantlecircuitfacileàmettreen±XYUH.2-Le premier circuit intégré
Histoiredespremierscircuitsintégrés:
Lamêmeannéeetdemanièreindépendante, unautreAméricain,JackKilby,deTexasInstruments,réussitàintégrerun
transistor,troisrésistancesetunecapacité suruneplaquedesemi-conducteurKilbya toutsimplementreliéentreeux différentstransistorsenlescâblantàla main.Lepremiercircuitintégré,constituéde
deuxtransistorsbipolaires,aété développéauseindelasociétéFairchildSemiconductoren1958parl'Américain
RobertNoyce
2 -Le premier circuit intégré
Histoiredespremierscircuitsintégrés:
1960 : production de la première
mémoire Flip Flop par la sociétéFairchildSemiconductor.
1963Lepremiercircuitintégré
CMOSsortsimultanémentdes
laboratoiresR.C.A.(Radio CorporationofAmerica)1968 production en masse des circuit intégrés3 -Loi de Moore
CofondateurdelasociétéIntel,GordonMooreavaitaffirmédès1965quele nombredetransistorsparcircuitdemêmetailleallaitdoubler,àprixconstants, touslesans(àcetteépoque,lecircuitintégrélepluscomplexecomportait64composants).
Il rectifia par la suite en portant à dix-huit mois le rythme de doublement. Ilendéduisitquelapuissancedesordinateursallaitcroîtredemanière exponentielle,etcepourdesannées.Ilavaitraison.Saloi,fondéesurun constatempirique,aétévérifiéejusqu'àaujourd'hui.Ilacependantdéclaréen1997quecettecroissancedesperformancesdespucesseheurteraitaux
environsde2017àunelimitephysique:celledelatailledesatomes.3 -Loi de Moore
En 1965, Gordon Moore note que le nombre de transistors sur une puce double à tous les 18 à 24 mois. Il prédit que la technologie des semi-conducteurs doublera en efficacité à tous les 18 mois.3 -Loi de Moore
LaloideMooreveutquelatechnologiedoubledepuissancepourlemêmeprixtousles12à18mois.Cequipermetd'entrevoirque,sansrépit,latechnologiedevientplusrapide,plus
petiteetmoinschère,etparconséquentàlaportéedetous. Cetteloi,expriméepourlapremièrefoisen1965,portelenomdeGordonMoore,undes fondateursd'IntelCorp.,géantmondialdesmicroprocesseurs.Confirmantleconstatde Moore,leMIPS(milliond'instructionsparseconde)coûtaitauxalentoursde100dollarsily aencore15ansetcoûteraitmoinsde1dollaraujourd'hui.Ceprixrendparticulièrement accessibleunetechnologiehautementsophistiquéeluiconférantuneubiquitéinédite;le microprocesseurestdésormaisomniprésentdanslesréfrigérateurs,lesmachinesàlaver,les réveille-matin,lesbraceletsmontres,lesvoitures,lestéléviseurs,leslecteursvidéoet,bien sûr,lesmicro-ordinateurs.Sansenêtrepleinementconscients,noussommeslittéralement assiégésparlesmicroprocesseurs.Atelleenseignequ'ilestaujourd'huiparfaitement envisageablequelesprocesseurssoientunjourprochainincrustésdansnoscorps,nos cerveauxetnosautresorganesvitaux.3 -Loi de Moore
I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques Introduction:OnconsidèreMXÓRXUG·OXLqueO·MUULYpHducircuit intégrédansledomaineG·pOHŃPURQLTXHàmarqueruneévolutionau moinsaussiimportantequecellemarquéeparlanaissancedu transistor. IlestalorsdevenupossibleG·MVVRŃLHUdansunseulblocdesilicium deO·RUGUHdemillimètredecôté,descomposantsactifs(diodes, transistors)etpassifs(résistances,capacités). Ilexistedeuxlargesclassificationsdescircuitsintégrés,lescircuits hybridesetlescircuitsmonolithiques.Lescircuitsmonolithiques sontdevenustellementcommunsque,parl'expressioncircuitintégré, onentendplutôtuncircuitmonolithique. I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques LescircuitsintégrésMonolithiqueveutdired'uneseulepierre,ce quiveutdirequetoutlecircuitestcontenudansunseulmorceau monocristallindesilicium.Leséléments(transistors,résistors, condensateursetdiodes)sontisoléslesunsdesautrespardes Module: Technologie et fabrication des circuits intégrés Module: Technologie et fabrication des circuits intégrés Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiquesTechnologies SSI, MSI, LSI, VLSI, ULSI
Salle blanche
Effet de la contamination
Les plus importants fabricants de CI dans le monde Rappels sur les matériaux et les semi-conducteurs (Métal, Isolant, SC, Silicium intrinsèque, Si dope type n, Si dope type p) Description schématique des étapes technologiques (cycle complet de fabrication ǯ ..."...- intègre). Chapitre 1: Introduction à la technologie des semi-conducteurs1-Le premier transistor
2-Le premier circuit intégré
3-Loi de Moore
1-Le premier transistor
IntroductionLadécouvertedutransistorbipolaireapermisderemplacer efficacementlestubesélectroniquesdanslesannées1950etainside perfectionnerlaminiaturisationetlafiabilisationdesmontagesélectroniques.Lapremièremachinemathématique(machinePC)
quioccupaitunesalleentière,étaitéquipéde17468 tubesélectroniques(untubeétaitnécessairepour représenterchaquebit)1-Le premier transistor
1-1 Définition: Le transistor bipolaire est un composant électronique
utilisé comme : interrupteur commandé, amplificateur, stabilisateur de tension, modulateur de VLJQMO"1-1 Histoire du transistor :
1947:JohnBARDEENetWalter
BRATTAINinvententletransistorà
contact(transistor)aulaboratoirede physiquedelasociétéBELL(USA).Cettedécouverteestannoncéeenjuillet
1948.Ceschercheursontreçupour
cetteinventionleprixNobelde physiqueen1956.Une réplique du premier transistor
1-Le premier transistor
1-Le premier transistor
1948:HerbertMATAREetHeinrichWELKERinventent
(indépendammentdeBELL)aussiletransistoràcontactenjuin1948 (enFrance).CetransistorseraappeléleTransistronpourledistinguer deceluideBELL.1-Le premier transistor
1948:enjanvierWilliamSHOCKLEY
inventeletransistoràjonction (bipolaire)maislatechniquede fabricationneseramaitriséeTX·HQ19511-Le premier transistor
Letransistorestconsidérécommeunénormeprogrès faceautubeélectronique:beaucouppluspetit,plus légeretplusrobuste,fonctionnantavecdestensions faibles,autorisantunealimentationparpiles,etil fonctionnepresqueinstantanémentunefoismissous tension,Conclusion
contrairementauxtubesélectroniquesquidemandaient unedizainedesecondesdechauffage,généraientune consommationimportanteetnécessitaientunesource detensionélevée(plusieurscentainesdevolts).1-Le premier transistor
Lestransistorsremplacentles
contacteursélectromécaniques descentrauxtéléphoniquesetles tubesdanslescalculateurs.1953::première
applicationportative dutransistorentant quesonotone..1954 :
première radio àTransistors
2-Le premier circuit intégré
Introduction:Lecircuitintégré(CI),aussiappelépuceélectronique,est uncomposantélectroniquereproduisantune,ouplusieurs,fonction(s) électronique(s)plusoumoinscomplexe(s),intégrantsouventplusieurstypesde composantsélectroniquesdebasedansunvolumeréduit(surunepetiteplaque), rendantlecircuitfacileàmettreen±XYUH.2-Le premier circuit intégré
Histoiredespremierscircuitsintégrés:
Lamêmeannéeetdemanièreindépendante, unautreAméricain,JackKilby,deTexasInstruments,réussitàintégrerun
transistor,troisrésistancesetunecapacité suruneplaquedesemi-conducteurKilbya toutsimplementreliéentreeux différentstransistorsenlescâblantàla main.Lepremiercircuitintégré,constituéde
deuxtransistorsbipolaires,aété développéauseindelasociétéFairchildSemiconductoren1958parl'Américain
RobertNoyce
2 -Le premier circuit intégré
Histoiredespremierscircuitsintégrés:
1960 : production de la première
mémoire Flip Flop par la sociétéFairchildSemiconductor.
1963Lepremiercircuitintégré
CMOSsortsimultanémentdes
laboratoiresR.C.A.(Radio CorporationofAmerica)1968 production en masse des circuit intégrés3 -Loi de Moore
CofondateurdelasociétéIntel,GordonMooreavaitaffirmédès1965quele nombredetransistorsparcircuitdemêmetailleallaitdoubler,àprixconstants, touslesans(àcetteépoque,lecircuitintégrélepluscomplexecomportait64composants).
Il rectifia par la suite en portant à dix-huit mois le rythme de doublement. Ilendéduisitquelapuissancedesordinateursallaitcroîtredemanière exponentielle,etcepourdesannées.Ilavaitraison.Saloi,fondéesurun constatempirique,aétévérifiéejusqu'àaujourd'hui.Ilacependantdéclaréen1997quecettecroissancedesperformancesdespucesseheurteraitaux
environsde2017àunelimitephysique:celledelatailledesatomes.3 -Loi de Moore
En 1965, Gordon Moore note que le nombre de transistors sur une puce double à tous les 18 à 24 mois. Il prédit que la technologie des semi-conducteurs doublera en efficacité à tous les 18 mois.3 -Loi de Moore
LaloideMooreveutquelatechnologiedoubledepuissancepourlemêmeprixtousles12à18mois.Cequipermetd'entrevoirque,sansrépit,latechnologiedevientplusrapide,plus
petiteetmoinschère,etparconséquentàlaportéedetous. Cetteloi,expriméepourlapremièrefoisen1965,portelenomdeGordonMoore,undes fondateursd'IntelCorp.,géantmondialdesmicroprocesseurs.Confirmantleconstatde Moore,leMIPS(milliond'instructionsparseconde)coûtaitauxalentoursde100dollarsily aencore15ansetcoûteraitmoinsde1dollaraujourd'hui.Ceprixrendparticulièrement accessibleunetechnologiehautementsophistiquéeluiconférantuneubiquitéinédite;le microprocesseurestdésormaisomniprésentdanslesréfrigérateurs,lesmachinesàlaver,les réveille-matin,lesbraceletsmontres,lesvoitures,lestéléviseurs,leslecteursvidéoet,bien sûr,lesmicro-ordinateurs.Sansenêtrepleinementconscients,noussommeslittéralement assiégésparlesmicroprocesseurs.Atelleenseignequ'ilestaujourd'huiparfaitement envisageablequelesprocesseurssoientunjourprochainincrustésdansnoscorps,nos cerveauxetnosautresorganesvitaux.3 -Loi de Moore
I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques Introduction:OnconsidèreMXÓRXUG·OXLqueO·MUULYpHducircuit intégrédansledomaineG·pOHŃPURQLTXHàmarqueruneévolutionau moinsaussiimportantequecellemarquéeparlanaissancedu transistor. IlestalorsdevenupossibleG·MVVRŃLHUdansunseulblocdesilicium deO·RUGUHdemillimètredecôté,descomposantsactifs(diodes, transistors)etpassifs(résistances,capacités). Ilexistedeuxlargesclassificationsdescircuitsintégrés,lescircuits hybridesetlescircuitsmonolithiques.Lescircuitsmonolithiques sontdevenustellementcommunsque,parl'expressioncircuitintégré, onentendplutôtuncircuitmonolithique. I-2 Evolution des technologies des CI et leurs caractéristiques LescircuitsintégrésMonolithiqueveutdired'uneseulepierre,ce quiveutdirequetoutlecircuitestcontenudansunseulmorceau monocristallindesilicium.Leséléments(transistors,résistors, condensateursetdiodes)sontisoléslesunsdesautrespardes- circuits intégré
- circuit intégré numérique