an extrinsic semiconductor the increase in one type of carrier (n or p) reduces the concentration of the other through recombination so that the product of the two (n and p) is a constant at a any given temperature The carriers whose concentration in extrinsic semiconductors is the larger
F in extrinsic semiconductors In an intrinsic semiconductor, the Fermi level is located close to the center of the band gap Fermi level represents the average work done to remove an electron from the material (work function) and in an intrinsic semiconductor the electron and hole concentration are equal In an extrinsic semiconductor,
Intrinsic Semiconductor Extrinsic Semiconductor Intrinsic Semiconductor An intrinsic type of semiconductor material is made to be very pure chemically It is made up of only a single type of element Germanium (Ge) and Silicon (Si) are the most common type of intrinsic semiconductor elements They have
Extrinsic Semiconductor Where as an extrinsic semiconductor is an improved intrinsic semiconductor with a small amount of impurities added by a process, known as doping, which alters the electrical properties of the semiconductor and improves its conductivity Depending on whether the added impurities have “extra”
semiconductor = material for which gap between valence band and conduction band is small; (gap width in Si is 1 1 eV, in Ge 0 7 eV) at T = 0, there are no electrons in the conduction band, and the semiconductor does not conduct (lack of free charge carriers); at T > 0, some fraction of electrons have sufficient
Intrinsic and extrinsic semiconductors Fermi level in a semiconductor p-type and n-type semiconductors Compensated semiconductors Charge neutrality and law of mass action Intrinsic Semiconductors An intrinsic semiconductor is a pure semiconductor, i e , a sample without any impurity At absolute zero
In an intrinsic semiconductor, n e = n h = n i where n e = the free electron density in conduction band, n h = the hole density in valence band, and n i = the intrinsic carrier concentration 2 Extrinsic Semiconductors A Semiconductor doped with suitable impurity atoms so as to increase its conductivity is called an extrinsic semiconductor
Discuss about Extrinsic semiconductor and it’s the necessity P Type and N Type semiconductor and their differences 1–3 Current in Semiconductor( Intrinsic and Extrinsic) As we have learned, the electrons in a solid can exist only within prescribed energy bands Each shell corresponds to a
a semiconductor are compared The effects of impurities on conduction in semiconductors are dis-cussed The formation of a p-n semiconductor junction is described and its conduction properties are discussed 1 2 Classification of Conductors Figure 1 1 illustrates a two-dimensional view of an atom that is called the Bohr model of the atom
Semi-conducteur extrinsèque Introduction La concentration (n ou p) en porteurs libres (électrons de la bande de conduction, trous de la bande de valence) et donc la conductivité d’un semi-conducteur intrinsèque à
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Chapitre 1 : Les semi-conducteurs
~ pour un semi-conducteur extrinsèque type N: W Fn = Wc - kBT ln(N C/N D) ~ pour un semi-conducteur extrinsèque type P : W Fp = WV + k BT ln(PV / N A) 5 Transport dans les semi-conducteurs Dans un semi-conducteur l’accroissement des charges libres peut avoir trois origines : le phénomène de génération-recombinaison (négligé), l’arrivée de charge due à un champ électrique ou Taille du fichier : 241KB
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Les semi-conducteurs
Isolant Conducteur Bande interdite Semi-conducteurs Fig 1 2 – Semi-conducteurs 2 1 – Structure des semi-conducteurs Fig 2 Diamant La structure du silicium et du germanium est la même que celle du diamant (cubique Fd3m) Chaque atome est lié à 4 voisins placés aux sommets d’un tétraèdre par une liaison covalente : Ces éléments sont « tétravalent » La igure 3 correspond à u
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Semiconducteurs - École Normale Supérieure
extrinsèque pente Eg/ 2 haute T° basse T° très basse T° __1 kT ln(r) accepteur (densité Na) E’ ionisation II) Variation de la conductivité d’un semiconducteur avec la tem-pérature L’observation, à température ordinaire, de la conduction intrinsèque requiert un semiconducteur non dopé On propose ici d’étudier un barreau de Germanium non dopé 1 Une résistance chauffante
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Cours de physique des SC - unicefr
Semi-conducteur extrinsèque : dopage Semi-conducteurs de type p Semi-conducteur non dopéou dopé Apparition d’un niveau d’énergie E D dans la BI A partir d’environ 50 K toutes les impuretés sont ″dégelées ″ p0= N A>> n i >> n 0 Comportement intrinsèque du matériau pour T > 500 K Alain CHOVET & Pascal MASSON Physique des semi-conducteurs Semi-conducteur extrinsèque : dopage Taille du fichier : 2MB
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Semi-conducteur extrinsèque
Semi-conducteur extrinsèque Introduction La concentration (n ou p) en porteurs libres (électrons de la bande de conduction, trous de la bande de valence) et donc la conductivité d’un semi-conducteur intrinsèque à température ambiante sont généralement trop faibles (cf TD sur le semi-conducteur intrinsèque) pour atteindre les densités de courant utiles dans la plupart des
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RBENBRAHIM - ESTF THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI
2 1) Liaison de covalence : semi-conducteur non excite Considérons un cristal de silicium non excité au zéro absolu (0°K) dans l’obscurité Afin de voir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 électrons périphériques en commun avec les atomes voisins On obtient ainsi, pour le cristal de silicium la représentation de la figure 1a C’est la mise en
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PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS - unicefr
Physique des semi-conducteurs – A Chovet & P Masson 10 q C Valeur absolue de la charge de l’électron (1,6 ×10-19 C) RH m3C-1 Coefficient de Hall Rn,p m-3s-1 Taux de recombinaison des électrons (indice n) et des trous (indice p) T K Température absolueTaille du fichier : 851KB
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Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN
Intérêt des semi-conducteurs: possibilité de contrôler la quantité de porteurs de charges libres (e-et trous) et par conséquent la résistivité Comment ? ®dopage, radiations, température, injection de courant, etc b Semi-conducteur extrinsèque de type N (négatif = signe des porteurs de charge majoritaires)
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Chapitre 3 - Wikis
II 2 4 Semiconducteur dopé (ou extrinsèque) II 2 4 A Occupation des niveaux donneurs et accepteurs II 2 4 B Détermination des concentrations de porteurs Science et génie des matériaux, Romuald Houdré - 2006 /2007 Chapitre 3 1 Plan du cours 1 Introduction - Caractéristiques physiques des semiconducteurs - Quels Matériaux pour quel type d’applications 2 Propriétés électroniques
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Physique des Solides, des Semiconducteurs et Dispositifs
La physiqu du semi ondu teur e des dispo itifs est don d’un appro he, a priori, difficile mais qui donne habituellement une ouv rture d’esp it fortement app éciée Un minimum d’inv i ment personnel et une at ntion particulière aux p opos et analogies émis en cours permet nt en général aux élèves-ingénieurs SUPELEC d bien as imiler cet enseignement Olivier BONNAUD SOMMAIRE
Semi-conducteur pur ⇒ intrinsèque dopé ⇒ extrinsèque ▫ Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de Silicium ⇒ ρ passe
Cours de physique des SC SLIDES BAC+
1 Evolution de la concentration intrinsèque en représentation semi-log pour le silicium, le germanium et le GaAs a En fonction de la température
Cours de physique des SC Poly BAC+
Semi-conducteur extrinsèque Introduction La concentration (n ou p) en porteurs libres (électrons de la bande de conduction, trous de la bande de valence) et
semiconducteur extrinseque
d'autres e- : C'est le cas des Semi conducteur {Silicium (Si), Germanium (Ge)} Un semi-conducteur à l'état pur (intrinsèque ) n'est pas un bon conducteur ni
Technologies Industrielles de l
Semi-conducteurs extrinsèques – le dopage • Le dopage d'un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du réseau par des
Jonction P N
degré de pureté (moins de 1 atome étranger pour 1011 atomes de semi- conducteur) : on parle alors de S C intrinsèque 2 1) Liaison de covalence
PHYS SC BENBRAHIM
II 2 2 Semiconducteur intrinsèque II 2 3 Semiconducteur fortement dopé ( dégénéré) II 2 4 Semiconducteur dopé (ou extrinsèque) II 2 4 A Occupation des
chapitre occupation
Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur) I – Matériaux semi-conducteurs Cristal de silicium : 4 e- de valence Si → association avec 4 atomes voisins pour
bis diode intro semiconducteurs
Semi-conducteurs (intrinsèques et extrinsèques) ▫ Semi-conducteurs de type N et de type P ▫ La jonction PN ▫ Caractéristique de la jonction PN
PHYS F ch
2 3 – Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques Dans un matériau pur, on introduit des impuretés par dopage Pour que celui-ci soit contrôlable, il faut que le
semicon
La figure 3 montre que pour un semi-conducteur intrinsèque (sans impuretés) à chaque électron de la bande de conduction correspond un trou dans la bande de
Semi-conducteur pur ? intrinsèque dopé ? extrinsèque. ? Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de.
Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur). I – Matériaux semi-conducteurs. Cristal de silicium : 4 e- de valence. Si. ? association
Figure III.1. Evolution de la concentration intrinsèque en représentation semi-log pour le silicium le germanium et le GaAs. a. En fonction de la
? est la conductivité de l'échantillon ? sa résistivité. Doc 4 : les semi-conducteurs. A. Le semi conducteur pur ou intrinsèque : (Ge
2.3 – Semi-conducteurs dopés ou extrinsèques. Dans un matériau pur on introduit des impuretés par dopage. Pour que celui-ci soit contrôlable
II.2.4 Semiconducteur dopé (ou extrinsèque). II.2.4.A Occupation des niveaux donneurs et accepteurs. II.2.4.B Détermination des concentrations de porteurs.
Différents types de semi-conducteurs. • 2.1. Semi-conducteur intrinsèque: C'est le semi-conducteur non dopé i.e. sans impuretés et sans défauts.
Semi-conducteur extrinsèque. Introduction. La concentration (n ou p) en porteurs libres (électrons de la bande de conduction trous.
Semi-conducteur extrinsèque : La résistivité du silicium dopé par le Bore ou le phosphore est de l'ordre de 10-2 ?.cm. Figure 1.10 : Structure en bandes
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux
Semi-conducteur pur ? intrinsèque dopé ? extrinsèque ? Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de
IV – Le semiconducteur extrinsèque Le dopage consiste à insérer dans le cristal des atomes : pentavalents (ayant 5 électrons périphériques)
1 – Introduction Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur) Semi-conducteur extrinsèque de type N (négatif = signe des porteurs de charge
Semi-conducteur extrinsèque Introduction La concentration (n ou p) en porteurs libres (électrons de la bande de conduction trous
Semi-conducteurs : description Un cristal semiconducteur intrinsèque est un solide dont les noyaux d' atomes sont disposés aux nœuds d'un réseau régulier
Le tableau ci-dessous donne les principales caractéristiques du semiconducteur dopé ou extrinsèque 34 Page 35 Dopage d'un semiconducteur par un atome
Semi-conducteurs extrinsèques – le dopage • Le dopage d'un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du réseau par des
1 Evolution de la concentration intrinsèque en représentation semi-log pour le silicium le germanium et le GaAs a En fonction de la température
Ce polycopié de cours de physique des semi-conducteurs est destiné aux étudiants de 3ème année licence Physique des Matériaux Il est conforme au programme
Quelle est la différence entre un semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque ?
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques (diodes, transistors, etc) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc).Quels sont les différents types de semi-conducteurs ?
Les principaux semi-conducteurs sont le germanium (Ge), le silicium (Si), le sélénium (Se), les composés binaires : arséniure de gallium (GaAs), antimoniure d'indium (InSb), phosphure de gallium (GaP) et phosphure d'indium, ainsi que les composés ternaires et quaternaires.Quelle est la charge globale d'un semi-conducteur Dopé-n ?
4.5 Quelle est la charge globale d'un semi-conducteur dopé N ? Le semi-conducteur dopé reste neutre.- Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur non dopé, c'est à dire qu'il contient peu d'impuretés (atomes étrangers) en comparaison avec la quantité de trous et d'électrons générés thermiquement.
Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux