Le courant électrique résultant est la somme des courants des deux types de porteurs de charge : , = , + , = − + = ???? ' = ' ????, où = e(- nµ n + pµ p) γ est la conductivité de l’échantillon, ρ sa résistivité Doc 4 : les semi-conducteurs A Le semi conducteur pur ou intrinsèque : (Ge, Si)
– Germanium is another semiconductor material with four valence electrons • In the crystalline lattice structure of Si, the valence electrons of every Si atom are locked up in covalent bonds with the valence electrons of four neighboring Si atoms – In pure form, Si wafer does not contain any free charge carriers
Le courant électrique résultant est la somme des courants des deux types de porteurs de charge : γ est la conductivité de l’échantillon, ρ sa résistivité Doc 4 : les semi conducteurs A Le semi conducteurs purs : (Ge, Si) A l’état solide, ils sont cristallisés, nous supposerons sans impuretés (en pratique, le taux d’impuretés
Détermination de l’intervalle de bande ou largeur de bande interdite Eg du germanium Notions de base Pour la densité de courant j à travers un corps et l’influence d’un champ électrique E, on a la loi d’Ohm exprimée comme suit: j = s ⋅ E (I) Le facteur de proportionnalité s est caractérisé de conductivité électrique
Conduction électrique ⇒électrons libres (de 10 22 à10 23 cm −3) (Germanium) 0 7 semi-conducteur 5 646 Sn(Etain) 0 conducteur 6 489 Gap direct ou indirect
Cadmium, Germanium, Indium, Gallium Cadmium, germanium et indium sont essentiellement des sous-produits de la métallurgie du zinc (Cd,Ge) ou des minerais de cuivre et d’étain (In) Le germanium est dans certains cas récupéré des cendres de combustion de certains charbons et lignites (Russie, Chine) Ces métaux sont récupérés en fin de
La conductivité électrique s’étend sur 22 ordres de grandeur comparativement à 6 pour la conductivité thermique La conductivité électrique est liée au mouvement relativement indépendant des électrons, alors que la conductivité thermique nécessite l’action collective des phonons
tique) en énergie électrique avec dissipation d’énergie sous forme thermique 4 a Faux : le doc 2 ne montre aucune absorbance pour le silicium à la longueur d’onde de 1 500 nm b Vrai : le spectre d’absorption du germanium s’étend de 900 à 1 800 nm ; celui du silicium s’étend de 250 à 1 100 nm
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UE6020100 UE6020100 la CondUCtion ElECtriqUE dans lEs sEMi
bande) du germanium GEnEralitES La conductivité électrique est une grandeur qui dépend fortement de la nature du matériau Par conséquent, il est courant de classifier les matériaux en fonction de leur conductivité élec-trique On appelle semi-conducteurs les corps solides qui ne présentent une conductivité élec-
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Physique des Composants – Conductivité des semi-conducteurs
Germanium Ge, DE = 0,66 eV Silicium Si, DE = 1,12 eV Carbure de silicium SiC, DE = 3 eV Arseniure de gallium GaAs, DE = 1,43 eV Indium antimoine InSb, DE = 0,16 eV La zone de conduction des semi-conducteurs est séparée, elle aussi, de la zone de valence par une zone interdite, mais
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LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI
Germanium (semi conducteur) 2 cm 3 mm 1700 Ω 0,60 Ω m 0,10 Ω m ln(ρ)=c+b/T ρ=K Les courbes d’évolution de la résistivité en fonction de la température sont les suivantes : Pour un métal, la résistivité croît linéairement (dans l’intervalle d’étude de 20 à 80 °C), alors que pour
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Doc 1 : Etude expérimentale de l’évolution de la
La vitesse moyenne de déplacement des porteurs est proportionnelle au champ électrique : = µ ' , où µ est la mobilité des porteurs de charge : µ p > 0 pour un trou, µ n < 0 pour un électron et µ p < -µ n Dans le cuivre : - µ n = 3,2 10-3 m2 V-1 s-1 Dans le germanium : - µ n Taille du fichier : 1MB
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Physique des solides LEYBOLD - LD Didactic
influence dominante, la conductivité peut être représentée en bonne approximation comme suit: si = s0 ⋅ e − E g 2 ⋅ kT ⋅ (VIII) ou ln si = ln s0 − Eg 2 ⋅ kT (IX) Pour vérifier l’équation (VIII) et pour déterminer l’intervalle de bande Eg, on détermine dans l’expérience la conductivité du germanium non dopé en fonction de la température T On
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Corrigé exercice 9 - Chimie - PCSI
Le germanium est un métalloïde: ce n’est pas métal (on peut le vérifier car sa conductivité électrique augmente quand la température augmente, alors que pour un métal, c’est l’inverse), mais il possède des caractéristiques proches des métaux : conductivité électrique déjà élevée à température ambiante, aspect brillant Dans le tableau périodique, il est situé au niveau de la frontière métaux-non métaux et
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Les semi-conducteurs - Jonction PN
conductivité électrique intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants • Exemples (Silicium, germanium, ) • Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des isolants est décrit via la théorie des bandes • Dans la suite, nous utiliserons des modèles simplifiésTaille du fichier : 274KB
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1ère Ecole thématique « Thermoélectricité » 5-9 mai 2008
Résistivité électrique : ordre de grandeur à T = 300 K Diagramme de bandes J Tobola Bismuth Ag, Cu, Au, Na Arsenic 10-8 10-6 10-4 10-2 100 102 104 106 108 1010 1012 1014 1016 Germanium fortement dopé Germanium pur Sil i cium pur Verre TiO Téflon 2 ρ(Ω m) Métaux Semi-métaux Semi-conducteurs Isolants E E F : énergie de Fermi E G > 2 eV E F E F E F SC type p SC type n E
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Partie IV: Propriétés électriques et magnétiques des matériaux
La conductivité électrique s’étend sur 22 ordres de grandeur comparativement à 6 pour la conductivité thermique La conductivité électrique est liée au mouvement relativement indépendant des électrons, alors que la conductivité thermique nécessite l’action collective des phonons Taille du fichier : 2MB
PhEnomEnES dE conduction oBJEctiF Calcul de l'énergie de gap (intervalle de bande) du germanium GEnEralitES La conductivité électrique est une
UE FR
Ainsi le silicium et le germanium sont des semi-conducteurs IV Toutefois, on peut associer La conduction électrique est schématisée sur la figure suivante
MC EN Ch
a) Déterminer l'unité de la constante A b) Calculer la densité de population des paires électrons trous crées par agitation thermique à la température T 0
EX a
Semi-conducteurs de la colonne IV (Ge, Si) - Réseau ″diamant″ 13 II 1 2 La conduction électrique se fait par les électrons et les trous, ou de façon
Cours de physique des SC Poly BAC+
Effet Hall Mesure du taux de dopage dans le Germanium dopé n, semiconducteur au Germanium par une mesure de conductivité électrique en fonction de la
TPPhysiqueSolideMaster NOA
L'objectif de cette expérience est de caractériser la conductivité électrique en fonction de la germanium (Ge), silicium (Si) et d'arséniure de gallium (GaAs)
Exp Semi conducteurs
électriques du germanium pour la conception et la réalisation et de conductivité ce qui a conduit à mener une étude de la forme de l'électrode supérieure
CHAABANE Ibtihel
les bandes de conduction et de valence sont respectivement données par les équations : relation permettant de calculer le niveau de Fermi à l'équilibre thermique en fonction de Silicium (Si) Germanium (Ge) Arséniure de Gallium ( GaAs)
td PEOS
Dans un métal certains électrons sont libres d'évoluer dans le réseau
4 févr. 2008 densite des electrons dans la bande de conduction du germanium n pour un champ electrique constant et une temperature de reseau donnee peut ...
Mesurer la conductivité électrique du germanium non dopé en fonction de la température. • Déterminer l'énergie de gap du germa- nium entre la bande de valence
4 févr. 2008 Sur la modulation de la résistivité électrique du germanium par une onde sta- tionnaire acoustique de haute fréquence. J. Phys. Radium 1953 ...
C'est cet agencement sous la forme de couches d'électrons différent selon les éléments
4 mars 2015 - être capable de supporter les abus de type électrique thermique et mécanique
conductivité thermique de la conductivité électrique d'un matériau. Toutefois germanium a une conductivité thermique trois fois plus faible que celle du ...
Les semi-conducteurs par exemple
Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall conductivité électrique. (3) et la mobilité de Hall. (4). Les densités ...
Ge Si et. GaAs en utilisant le graphe précédent. 1) A l'aide des deux lois fondamentales : • Loi d'action de masse. • Equation de neutralité électrique.
Ce sont des corps comme le germanium le silicium (éléments du groupe IV de la électrons sous l'effet du champ électrique appliqué
courant pour une valeur critique du champ électrique. La croissance de la conductibilite avec le champ electrique [1] et 1'etablissement de l'avalanche sont.
PhEnomEnES dE conduction. oBJEctiF. Calcul de l'énergie de gap (intervalle de bande) du germanium. GEnEralitES. La conductivité électrique est une grandeur
semiconducteur au Germanium par une mesure de conductivité électrique en fonction de la température. I Théorie. La conductivité électrique ? d'un matériau a
Ainsi le silicium et le germanium sont des semi-conducteurs IV. Toutefois La conduction électrique est schématisée sur la figure suivante.
1) Calculer le nombre d'atomes de germanium par cm-3. 2) On donne l'expression de la concentration intrinsèque d'un semi-conducteur :ni = AT. 3.
1 – Conduction électrique électrique E = V/L. Si µ désigne la mobilité on a : v = µ.E ... Pour le silicium et le germanium
Étude des mécanismes de la conduction électrique dans le germanium dopé avec effet Hall. GEnEralitES. L'effet Hall intervient dans des matériaux conducteurs
trou » en présence des défauts de structure introduits dans le germanium de type N fet Hall et de résistivité électrique en fonction de la température.
germanium dope a l'arsenic dont la concentration varie de 7 X 1013 cm-3 a 3 X 1017 cm-3 nous avons mesure le coefficient de Hall R et la resistivite p en.
Germanium (semi conducteur) 2 cm 3 mm 1700 ? 060 ? m 010 ? m Les courbes d'évolution de la résistivité en fonction de la température sont les suivantes
La conductivité électrique est une grandeur qui dépend fortement de la nature du matériau Par conséquent il est courant de classifier les matériaux en
Étude expérimentale de la conductivité du germanium de type n à 42 °K en fonction du champ électrique Journal de Physique 1967 28 (10) pp 805-814
La conduction électrique se fait par les électrons et/ou les trous ? Semi-conducteur pur ? intrinsèque dopé ? extrinsèque
germanium Ge de la colonne IV du tableau périodique La conduction électrique résulte du déplacement des électrons à l'intérieur de chaque bande Sous
2 3 Conductivité électrique dans un semiconducteur 3 Applications Le silicium et le germanium qui cristallisent dans la
25 sept 2015 · conductivité électrique est directement proportionnelle au « nombre valeurs des échantillons intrinsèques de Germanium et Silicium
a) Déterminer l'unité de la constante A b) Calculer la densité de population des paires électrons trous crées par agitation thermique à la température T 0
conductivité électrique Les électrons d'un atomes peuvent électrons de conduction : ceux-ci sont responsables de la circulation du courant électrique
bande de conduction et un trou dans la bande de valence sous l'action d'un champ électrique E Physique des solides Phénomènes de conduction Effet Hall
Pourquoi l'utilisation du germanium dans les semi-conducteurs ?
Le germanium fait également partie des semi-conducteurs. De plus, tout comme le gallium, le germanium est l'un des rares éléments qui voit son volume augmenter lorsqu'il passe de l'état liquide à l'état solide. Tout comme l'acier, la structure du germanium ne peut pas être altéré par le rayonnement neutronique.Quelle sont les caractéristique des semi-conducteur ?
Un semi-conducteur est un matériau isolant, qui ne laisse donc pas passer le courant électrique, mais que l'on peut rendre conducteur dans certaines conditions (en augmentant sa température par exemple).Comment un matériau semi-conducteur peut devenir conducteur ?
Le dopage, c'est une technique qui vise à modifier l'énergie nécessaire pour rendre le semi-conducteur plus ou moins conducteur. Il consiste à injecter dans les cristaux de silicium des atomes bien choisis pour le rendre soit un peu plus conducteurs, soit un peu moins.- Le "gap" énergétique Eg est de l'ordre de 1eV pour les semi-conducteurs et de l'ordre de 6 eV pour les isolants. les électrons de valence participant à des liaisons, il n'existe pas d'électrons libres. La conductivité d'un monocristal de silicium est donc quasi-nulle.
LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI