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Le transistor à effet de champ (TEC) Field Effect Transistor (FET) 1 2 Présentation générale • Transistor à effet de champ se présente comme une résistance variable commandée par une tension extérieure • Comparaison avec le transistor bipolaire : – fonctionnement lié au déplacement d'un seul type de porteur (porteur majoritaire) – Très forte impédance d’entrée (M Ω


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charges, les trous ou les électrons Le transistor à effet de champ à jonction est un premier exemple de transistor unipolaire Pour ces transistors canal P, toutes les tensions et les courants sont à inverser (Figure VIII-1) Le symbole utilisé pour les représenter est donné ci-dessous Le trait qui correspond au canal est continu La grille et le canal forment une jonction PN ; la flèche correspondante est orientéeTaille du fichier : 292KB


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TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP La dénomination « transistor à effet de champ » (TEC ou FET) regroupe deux types de transistors : le TEC à jonction (JFET) le TEC à grille isolée (IGFET : insulated gate FET, MOSFET : Métal Oxyde Semiconductor FET) Comparaison au transistor bipolaire :Taille du fichier : 1MB


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En fin en arrive à l'application spécifique des FET tout en citons des exemples détaillés que Le transistor à effet de champ à jonction est un premier.



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  • Comment calculer VGS ?

    Comme le courant grille est nul, le potentiel de grille est nul. Le courant drain produit dans la résistance de source une chute de tension égale à RS.ID . La tension grille-source vaut donc : VGS = VGM – VSM = – RS.ID .
  • Ils fonctionnent de la même manière que les transistors bipolaires : comme ces derniers, ils peuvent servir d'interrupteurs ou d'amplificateurs. Cependant, les transistors à effet de champ sont un petit peu différents du transistor bipolaire, ce qui fait qu'ils sont vus dans des chapitres à part.
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