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TD 2

semi-conducteurs quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la plus faible ? 2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2.



Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux

Semi-conducteurs de type N Exercices. B. Exercice n°2. Jonction PN. La jonction est réalisée en silicium ...



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Le sixième chapitre est une introduction aux transistors bipolaires. Afin de permettre aux étudiants d'assimiler le cours j'ai traité plusieurs exercices d' 



Physique des semi-conducteurs

des semi-conducteurs. Page 4. Page 5. Physique des semi-conducteurs. Cours et exercices corrigés. Christian Ngô. Hélène Ngô. 4e édition. Page 6. © Dunod Paris



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6. Semi-conducteur à l'équilibre. 7. Dopage des semi-conducteurs. 8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3. Page 4 



Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6

Cours et exercices corrigés. Henry Mathieu. Professeur à l'université proche de l'isolant que du conducteur on l'appelle alors semi-isolant. Le niveau de.



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Devoir 7 : Semi-conducteurs et supraconducteurs- Correction. Exercice 3 : Conductivité d'un cristal de silicium. 1.a. = √2821025 × 1



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Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2. Le Germanium est caractérisé par : masse atomique M = 726 g. masse volumique d = 5



Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6

DES SEMICONDUCTEURS. ET DES COMPOSANTS. ÉLECTRONIQUES. Cours et exercices corrigés. Henry Mathieu. Professeur à l'université Montpellier II. Hervé Fanet.



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6.9 Semi-conducteurs extrinsèques. 114. Exercices. 116. Corrigés. 117. CHAPITRE 7 • DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS. 119. 7.1 Dérive dans un champ électrique.



Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux

Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé. 25. Page 26. Exercices. B.



PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS

8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3 



correction examen fondamental

donneurs quelle sera la concentration de trous ? Exercice n°1 : (8pts). Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1



Electricite. Exercices et methodes

La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs Tous les exercices et problèmes sont entièrement corrigés la résolution étant systématiquement.



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29 févr. 2016 CORRIGE. Partiel de Physique des Composants. Durée 3 heures ... I. Choix de matériaux semiconducteurs ... Exercices / Réponses courtes.



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Ex-E1.2 Semi-conducteur : Les semi-conducteurs sont des matériaux utilisés en électronique et dont la conduction varie fortement avec la température ou avec 

Physique

des semi-conducteurs

Physique

des semi-conducteurs

Cours et exercices corrigés

Christian Ngô

Hélène Ngô

4 e

édition

© Dunod, Paris, 1998, 2003, 2007, 2012

ISBN 978-2-10-057896-2Illustration de couverture : © DJM-Photo - Fotolia.com

Table des matières

AVANT-PROPOSxi

RAPPELS UTILESxiv

CHAPITRE 1•PHYSIQUE QUANTIQUE1

1.1 Dualité onde-corpuscule2

1.2 Relation de de Broglie3

1.3 Postulats4

1.4 États stationnaires6

1.5 Mesures simultanées d"observables6

1.6 Relations d"incertitude7

1.7 Nombres quantiques8

1.8 Spin8

1.9 Bosons et fermions9

1.10 Quantique ou classique ?9

1.11 États liés et états du continu10

Exercices15

Corrigés16

CHAPITRE 2•PHYSIQUE STATISTIQUE17

2.1 Postulats17

2.2 Entropie statistique18

2.3 Travail, chaleur20

2.4 Conditions d"équilibre21

2.5 Ensembles24

2.6 Théorème d"équipartition de l"énergie27

2.7 Statistiques quantiques27

2.8 Gaz parfait de Fermi29

Exercices33

Corrigés34?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit viiiTable des matières

CHAPITRE 3•STRUCTURE CRISTALLINE39

3.1 Le cristal idéal39

3.2 Réseaux cristallins40

3.3 Diffraction par un réseau cristallin49

3.4 Défauts cristallins54

Exercices56

Corrigés57

CHAPITRE 4•BANDES D"ÉNERGIE59

4.1 Approximations59

4.2 Méthode des liaisons fortes62

4.3 Symétries65

4.4 Approche des liaisons faibles67

4.5 Propriétés statiques des électrons71

4.6 Schéma réduit de Brillouin72

4.7 L"équation centrale74

4.8 Surface de Fermi75

4.9 Métaux, isolants, semi-conducteurs76

4.10 De l"isolant au métal79

Exercices81

Corrigés82

CHAPITRE 5•DYNAMIQUE DU RÉSEAU83

5.1 Vibrations du réseau83

5.2 Phonons87

5.3 Propriétés thermiques88

Exercices92

Corrigés93

CHAPITRE 6•SEMI-CONDUCTEURS À L"ÉQUILIBRE95

6.1 Notion de trou95

6.2 Gap96

6.3 Masse effective98

6.4 Structure des bandes d"énergie102

6.5 Densité d"états104

6.6 Densité d"électrons et de trous105

Table des matièresix

6.7 Semi-conducteurs intrinsèques107

6.8 Dopage108

6.9 Semi-conducteurs extrinsèques114

Exercices116

Corrigés117

CHAPITRE 7•DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS119

7.1 Dérive dans un champ électrique120

7.2 Réponse à un champ électrique123

7.3 Diffusion des porteurs126

7.4 Potentiel externe et bandes d"énergie129

7.5 L"effet Hall129

Exercices131

Corrigés133

CHAPITRE 8•DISPOSITIFS ÉLÉMENTAIRES (I)137

8.1 La jonction pn137

8.2 Perturbations dues à la surface144

8.3 La jonction métal-métal147

8.4 La jonction métal-semi-conducteur148

Exercices151

Corrigés153

CHAPITRE 9•DISPOSITIFS ÉLÉMENTAIRES (II)157

9.1 Le transistor bipolaire157

9.2 La diode tunnel161

9.3 Transistors à effet de champ162

9.4 Structures MIS et MOS166

9.5 Le transistor MOS168

9.6 Hétérojonctions172

Exercices174

Corrigés175

CHAPITRE 10•PROPRIÉTÉS OPTIQUES177

10.1 Absorption de photons177

10.2 Émission spontanée de photons185

10.3 Émission stimulée187?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit

xTable des matières

Exercices190

Corrigés191

CHAPITRE 11•VERS L"ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE193

11.1 Systèmes mésoscopiques194

11.2 Puits, fils et boîtes quantiques195

11.3 Densité de niveaux196

11.4 Puits quantiques197

11.5 Multipuits quantiques et superréseaux199

11.6 Transmission résonante sous la barrière200

11.7 Le blocage de Coulomb201

11.8 Dispositifs à un électron204

11.9 Effet Hall quantique204

11.10 Spintronique206

11.11 L"électronique moléculaire208

11.12 La technologie208

11.13 Conclusion209

Exercices210

Corrigés210

CHAPITRE 12•DU NANOMONDE AUX APPLICATIONS211

12.1 La nano-électronique : pourquoi ?212

12.2 Voir et manipuler l"infiniment petit215

12.3 Nouvelles formes de carbone217

12.4 À l"échelle du nanomètre, le monde change219

12.5 Top-down ou bottom-up ?221

12.6 La nanomédecine225

12.7 Nanoparticules et santé228

12.8 Nano-électronique et libertés individuelles229

Exercices230

Corrigés230

BIBLIOGRAPHIE233

INDEX235

Avant-propos

Les dispositifs électroniques à semi-conducteurs ont maintenant une importance éco- nomique et stratégique considérable pour le traitement de l"information et de la com- munication. Ils ont un rôle clef dans la réalisation et le fonctionnement de beaucoup de biens de consommation. Leur importance est née avec la découverte, en 1948, du transistor. Le développement de l"industrie électronique s"est par la suite accé-

léré avec, dans les années 1970, l"arrivée des circuits intégrés. Le silicium occupe la

position dominante parmi les semi-conducteurs et cette situation devrait encore durer longtemps. Les circuits intégrés concentrent, sur une faible surface, un nombre de plus en plus grand de transistors et leur puissance augmente sans cesse. Ils répondent à une demande du consommateur qui souhaite avoir de plus en plus de confort dans la vie courante en se débarassant des tâches fastidieuses. Pour cela il faut des dispositifs de traitement de l"information de plus en plus puissants. Une simple carte de cré- dit contient environ 2 millions de transistors et une automobile actuelle embarque plus d"électronique que les premiers avions Airbus. Les circuits intégrés peuvent être fabriqués simultanément en grand nombre si bien que leur coût de production dimi- nue considérablement alors que leurs performances augmentent. L"industrie micro-

électronique est gouvernée par la nécessité de réaliser des composants électroniques

(mémoires ou circuits intégrés) toujours plus rapides, plus petits et moins chers. L"électronique a beaucoup évolué depuis la réalisation du premier transistor. En vingt-cinq ans les performances des microprocesseurs ont été multipliées par 25000. Sur une surface inférieure à celle du premier transistor, on peut maintenant en mettre plus d"un million. Le prix d"un million de transistors était d"environ 75 000?en 1973, soit le prix d"une maison. Il est descendu à 6 centimes d"euros en 2000 puis, en 2005, à seulement 0,5 centime d"euro. Alors que le premier microprocesseur d"INTEL,le4004, contenait 2300 transistors, le Pentium IV des années 2001 en contenait 55 millions, les premiers centrinos d"INTEL plus de 77 millions et le core duo plus de 150 millions sur une surface de moins de 100 mm 2 . Entre 1964 et la fin des années 1970 le nombre de transistors d"un circuit intégré doublait tous les ans. Depuis cette date, il ne double plus que tous les 18 mois ce qui reste une performance impressionnante. Cette observation, ?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit xiiAvant-propos connue sous le nom de loi de Moore, montre l"extraordinaire vitalité de l"électronique des semi-conducteurs. L"intégration croissante des composants est en grande partie due à la possibilité de graver des motifs de plus en plus fins dans le silicium. La célèbre série de micropro- cesseurs 8086 (environ 29000 transistors), développée par la société INTEL pour les premiers micro-ordinateurs PC, était réalisée avec une technologie dans laquelle onquotesdbs_dbs4.pdfusesText_8
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