TD 2
semi-conducteurs quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la plus faible ? 2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2.
Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
Semi-conducteurs de type N Exercices. B. Exercice n°2. Jonction PN. La jonction est réalisée en silicium ...
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Le sixième chapitre est une introduction aux transistors bipolaires. Afin de permettre aux étudiants d'assimiler le cours j'ai traité plusieurs exercices d'
Physique des semi-conducteurs
des semi-conducteurs. Page 4. Page 5. Physique des semi-conducteurs. Cours et exercices corrigés. Christian Ngô. Hélène Ngô. 4e édition. Page 6. © Dunod Paris
PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
6. Semi-conducteur à l'équilibre. 7. Dopage des semi-conducteurs. 8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3. Page 4
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6
Cours et exercices corrigés. Henry Mathieu. Professeur à l'université proche de l'isolant que du conducteur on l'appelle alors semi-isolant. Le niveau de.
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1. Exercice II : Détermination du type de dopage d'un semi-conducteur. Un échantillon de silicium contient à
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Devoir 7 : Semi-conducteurs et supraconducteurs- Correction. Exercice 3 : Conductivité d'un cristal de silicium. 1.a. = √2821025 × 1
TD 2
Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2. Le Germanium est caractérisé par : masse atomique M = 726 g. masse volumique d = 5
Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6
DES SEMICONDUCTEURS. ET DES COMPOSANTS. ÉLECTRONIQUES. Cours et exercices corrigés. Henry Mathieu. Professeur à l'université Montpellier II. Hervé Fanet.
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6.9 Semi-conducteurs extrinsèques. 114. Exercices. 116. Corrigés. 117. CHAPITRE 7 • DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS. 119. 7.1 Dérive dans un champ électrique.
Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé. 25. Page 26. Exercices. B.
PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS
8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3
correction examen fondamental
donneurs quelle sera la concentration de trous ? Exercice n°1 : (8pts). Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1
Electricite. Exercices et methodes
La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs Tous les exercices et problèmes sont entièrement corrigés la résolution étant systématiquement.
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Ex-E1.2 Semi-conducteur : Les semi-conducteurs sont des matériaux utilisés en électronique et dont la conduction varie fortement avec la température ou avec
Physique
des semi-conducteursPhysique
des semi-conducteursCours et exercices corrigés
Christian Ngô
Hélène Ngô
4 eédition
© Dunod, Paris, 1998, 2003, 2007, 2012
ISBN 978-2-10-057896-2Illustration de couverture : © DJM-Photo - Fotolia.comTable des matières
AVANT-PROPOSxi
RAPPELS UTILESxiv
CHAPITRE 1PHYSIQUE QUANTIQUE1
1.1 Dualité onde-corpuscule2
1.2 Relation de de Broglie3
1.3 Postulats4
1.4 États stationnaires6
1.5 Mesures simultanées d"observables6
1.6 Relations d"incertitude7
1.7 Nombres quantiques8
1.8 Spin8
1.9 Bosons et fermions9
1.10 Quantique ou classique ?9
1.11 États liés et états du continu10
Exercices15
Corrigés16
CHAPITRE 2PHYSIQUE STATISTIQUE17
2.1 Postulats17
2.2 Entropie statistique18
2.3 Travail, chaleur20
2.4 Conditions d"équilibre21
2.5 Ensembles24
2.6 Théorème d"équipartition de l"énergie27
2.7 Statistiques quantiques27
2.8 Gaz parfait de Fermi29
Exercices33
Corrigés34?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit viiiTable des matièresCHAPITRE 3STRUCTURE CRISTALLINE39
3.1 Le cristal idéal39
3.2 Réseaux cristallins40
3.3 Diffraction par un réseau cristallin49
3.4 Défauts cristallins54
Exercices56
Corrigés57
CHAPITRE 4BANDES D"ÉNERGIE59
4.1 Approximations59
4.2 Méthode des liaisons fortes62
4.3 Symétries65
4.4 Approche des liaisons faibles67
4.5 Propriétés statiques des électrons71
4.6 Schéma réduit de Brillouin72
4.7 L"équation centrale74
4.8 Surface de Fermi75
4.9 Métaux, isolants, semi-conducteurs76
4.10 De l"isolant au métal79
Exercices81
Corrigés82
CHAPITRE 5DYNAMIQUE DU RÉSEAU83
5.1 Vibrations du réseau83
5.2 Phonons87
5.3 Propriétés thermiques88
Exercices92
Corrigés93
CHAPITRE 6SEMI-CONDUCTEURS À L"ÉQUILIBRE956.1 Notion de trou95
6.2 Gap96
6.3 Masse effective98
6.4 Structure des bandes d"énergie102
6.5 Densité d"états104
6.6 Densité d"électrons et de trous105
Table des matièresix
6.7 Semi-conducteurs intrinsèques107
6.8 Dopage108
6.9 Semi-conducteurs extrinsèques114
Exercices116
Corrigés117
CHAPITRE 7DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS119
7.1 Dérive dans un champ électrique120
7.2 Réponse à un champ électrique123
7.3 Diffusion des porteurs126
7.4 Potentiel externe et bandes d"énergie129
7.5 L"effet Hall129
Exercices131
Corrigés133
CHAPITRE 8DISPOSITIFS ÉLÉMENTAIRES (I)1378.1 La jonction pn137
8.2 Perturbations dues à la surface144
8.3 La jonction métal-métal147
8.4 La jonction métal-semi-conducteur148
Exercices151
Corrigés153
CHAPITRE 9DISPOSITIFS ÉLÉMENTAIRES (II)1579.1 Le transistor bipolaire157
9.2 La diode tunnel161
9.3 Transistors à effet de champ162
9.4 Structures MIS et MOS166
9.5 Le transistor MOS168
9.6 Hétérojonctions172
Exercices174
Corrigés175
CHAPITRE 10PROPRIÉTÉS OPTIQUES177
10.1 Absorption de photons177
10.2 Émission spontanée de photons185
10.3 Émission stimulée187?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit
xTable des matièresExercices190
Corrigés191
CHAPITRE 11VERS L"ÉCHELLE NANOMÉTRIQUE19311.1 Systèmes mésoscopiques194
11.2 Puits, fils et boîtes quantiques195
11.3 Densité de niveaux196
11.4 Puits quantiques197
11.5 Multipuits quantiques et superréseaux199
11.6 Transmission résonante sous la barrière200
11.7 Le blocage de Coulomb201
11.8 Dispositifs à un électron204
11.9 Effet Hall quantique204
11.10 Spintronique206
11.11 L"électronique moléculaire208
11.12 La technologie208
11.13 Conclusion209
Exercices210
Corrigés210
CHAPITRE 12DU NANOMONDE AUX APPLICATIONS211
12.1 La nano-électronique : pourquoi ?212
12.2 Voir et manipuler l"infiniment petit215
12.3 Nouvelles formes de carbone217
12.4 À l"échelle du nanomètre, le monde change219
12.5 Top-down ou bottom-up ?221
12.6 La nanomédecine225
12.7 Nanoparticules et santé228
12.8 Nano-électronique et libertés individuelles229
Exercices230
Corrigés230
BIBLIOGRAPHIE233
INDEX235
Avant-propos
Les dispositifs électroniques à semi-conducteurs ont maintenant une importance éco- nomique et stratégique considérable pour le traitement de l"information et de la com- munication. Ils ont un rôle clef dans la réalisation et le fonctionnement de beaucoup de biens de consommation. Leur importance est née avec la découverte, en 1948, du transistor. Le développement de l"industrie électronique s"est par la suite accé-léré avec, dans les années 1970, l"arrivée des circuits intégrés. Le silicium occupe la
position dominante parmi les semi-conducteurs et cette situation devrait encore durer longtemps. Les circuits intégrés concentrent, sur une faible surface, un nombre de plus en plus grand de transistors et leur puissance augmente sans cesse. Ils répondent à une demande du consommateur qui souhaite avoir de plus en plus de confort dans la vie courante en se débarassant des tâches fastidieuses. Pour cela il faut des dispositifs de traitement de l"information de plus en plus puissants. Une simple carte de cré- dit contient environ 2 millions de transistors et une automobile actuelle embarque plus d"électronique que les premiers avions Airbus. Les circuits intégrés peuvent être fabriqués simultanément en grand nombre si bien que leur coût de production dimi- nue considérablement alors que leurs performances augmentent. L"industrie micro-électronique est gouvernée par la nécessité de réaliser des composants électroniques
(mémoires ou circuits intégrés) toujours plus rapides, plus petits et moins chers. L"électronique a beaucoup évolué depuis la réalisation du premier transistor. En vingt-cinq ans les performances des microprocesseurs ont été multipliées par 25000. Sur une surface inférieure à celle du premier transistor, on peut maintenant en mettre plus d"un million. Le prix d"un million de transistors était d"environ 75 000?en 1973, soit le prix d"une maison. Il est descendu à 6 centimes d"euros en 2000 puis, en 2005, à seulement 0,5 centime d"euro. Alors que le premier microprocesseur d"INTEL,le4004, contenait 2300 transistors, le Pentium IV des années 2001 en contenait 55 millions, les premiers centrinos d"INTEL plus de 77 millions et le core duo plus de 150 millions sur une surface de moins de 100 mm 2 . Entre 1964 et la fin des années 1970 le nombre de transistors d"un circuit intégré doublait tous les ans. Depuis cette date, il ne double plus que tous les 18 mois ce qui reste une performance impressionnante. Cette observation, ?Dunod - Toute reproduction non autorisée est un délit xiiAvant-propos connue sous le nom de loi de Moore, montre l"extraordinaire vitalité de l"électronique des semi-conducteurs. L"intégration croissante des composants est en grande partie due à la possibilité de graver des motifs de plus en plus fins dans le silicium. La célèbre série de micropro- cesseurs 8086 (environ 29000 transistors), développée par la société INTEL pour les premiers micro-ordinateurs PC, était réalisée avec une technologie dans laquelle onquotesdbs_dbs4.pdfusesText_8[PDF] exercices corrigés statique pfs
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