correction examen fondamental PDF donneurs quelle sera la concentration

TD 2

semi-conducteurs quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la plus faible ? 2. Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2.

Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux

Semi-conducteurs de type N Exercices. B. Exercice n°2. Jonction PN. La jonction est réalisée en silicium ...

polycopié physique des semi-conducteurs.pdf

Le sixième chapitre est une introduction aux transistors bipolaires. Afin de permettre aux étudiants d'assimiler le cours j'ai traité plusieurs exercices d'

Physique des semi-conducteurs

des semi-conducteurs. Page 4. Page 5. Physique des semi-conducteurs. Cours et exercices corrigés. Christian Ngô. Hélène Ngô. 4e édition. Page 6. © Dunod Paris

PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS

6. Semi-conducteur à l'équilibre. 7. Dopage des semi-conducteurs. 8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3. Page 4

Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6

Cours et exercices corrigés. Henry Mathieu. Professeur à l'université proche de l'isolant que du conducteur on l'appelle alors semi-isolant. Le niveau de.

Théorie sur le transistor MOS

1. Exercice II : Détermination du type de dopage d'un semi-conducteur. Un échantillon de silicium contient à

PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS

6. Semi-conducteur à l'équilibre. 7. Dopage des semi-conducteurs. 8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3. Page 4

Théorie sur le transistor MOS

1. Exercice II : Détermination du type de dopage d'un semi-conducteur. Un échantillon de silicium contient à

Physique des Matériaux I Devoir 7 : Semi-conducteurs et

Devoir 7 : Semi-conducteurs et supraconducteurs- Correction. Exercice 3 : Conductivité d'un cristal de silicium. 1.a. = √2821025 × 1

TD 2

Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 K. **exercice 2.2. Le Germanium est caractérisé par : masse atomique M = 726 g. masse volumique d = 5

Physique des semiconducteurs et des composants électroniques - 6

DES SEMICONDUCTEURS. ET DES COMPOSANTS. ÉLECTRONIQUES. Cours et exercices corrigés. Henry Mathieu. Professeur à l'université Montpellier II. Hervé Fanet.

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6.9 Semi-conducteurs extrinsèques. 114. Exercices. 116. Corrigés. 117. CHAPITRE 7 • DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS. 119. 7.1 Dérive dans un champ électrique.

Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux

Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé. 25. Page 26. Exercices. B.

PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS

8. Semi-conducteur hors équilibre: courant dans les semi-conducteurs. Jonction PN. 3

correction examen fondamental

donneurs quelle sera la concentration de trous ? Exercice n°1 : (8pts). Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap) Eg=1

Electricite. Exercices et methodes

La jonction PN et les diodes à semi-conducteurs Tous les exercices et problèmes sont entièrement corrigés la résolution étant systématiquement.

L3 Physique et Applications CORRIGE Partiel de Physique des

29 févr. 2016 CORRIGE. Partiel de Physique des Composants. Durée 3 heures ... I. Choix de matériaux semiconducteurs ... Exercices / Réponses courtes.

1EXERCICE 1 : RESISTIVITE DU GERMANIUM PUR On considère

EXERCICE 2 : TEMPERATURE « INTRINSEQUE » D'UN SEMI-CONDUCTEUR. On dope un semi-conducteur intrinsèque avec un nombre N. D d'atomes donneurs par unité de

Exercices dÉlectrocinétique

Ex-E1.2 Semi-conducteur : Les semi-conducteurs sont des matériaux utilisés en électronique et dont la conduction varie fortement avec la température ou avec

Le silicium est dopé avec du phosphore

2- Calculez à 27°C, la densité d'électron

Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ? 3- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi E diagramme de bandes du silicium ainsi dopé. p.n = n → p =n

La densité d'électrons du Si dopé

Le phosphore est une impureté de type donneur

Donc la densité d'électrons est égale à la densité de donneurs

La densité des trous à T =300 K

On sait que :

le semi-conducteur est de type n =ND =

ND = --

La position du niveau de Fermi

L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit AN : Représentation du diagramme de bandes du Silicium dopé ium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.

Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.

conducteur ainsi obtenu ? Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

N =100 cm

N ≫ 2 n = N = 100 cm n n=n

N → p =1,012 10

100=102

densité d'électrons du Si dopé : e phosphore est une impureté de type donneur : est égale à la densité de donneurs

La densité des trous à T =300 K :

type n . → (5ND

6= - &- &

0,538 +

0,026.(510

1,012 1046= 1,0166 eV

du niveau de Fermi : L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit Représentation du diagramme de bandes du Silicium dopé : s du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous. puis donnez une représentation du

102,414 cm

+#$.(5ND 6 eV

Exercice n°2 : (8pts)

Soit une jonction PN

abrupte issus d'un même cristal.

1- Donnez le schéma de la v

d'accepteurs pour une jonction abrupte

2- Donnez la r

eprésentation schématique des liaisons PN de semi-conducteurs en silicium (Si). Le dopage N est obtenue par de l'arsenic (As) et le dopage P par du Bohr (B) déplétion)

3- Donnez l'expression du

cou pour un modèle à une dimension, en déduire l'équation différentielle concentration de porteurs C 88%
! 9 A A 2 D% B%88% 8 B ! 9 2 2 B%88% Bquotesdbs_dbs4.pdfusesText_8

[PDF] correction examen fondamental donneurs quelle sera la concentration

Le silicium est dopé avec du phosphore

2- Calculez à 27°C, la densité d'électron

La densité d'électrons du Si dopé

Le phosphore est une impureté de type donneur

La densité des trous à T =300 K

On sait que :

ND = --

La position du niveau de Fermi

N =100 cm

N → p =1,012 10

100=102

La densité des trous à T =300 K :

6= - &- &

0,538 +

0,026.(510

1,012 1046= 1,0166 eV

102,414 cm

Exercice n°2 : (8pts)

Soit une jonction PN

1- Donnez le schéma de la v

2- Donnez la r

3- Donnez l'expression du