Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN
Ne fait plus partie du cours d'électronique analogique 1A ISMIN. Ces notions sont abordées dans d'autres cours de 1A. Page 2. Introduction aux semi-conducteurs
Jonction p-n Chapitre 5
Plan du cours. 1. Introduction. - Caractéristiques physiques des semiconducteurs. - Quels Matériaux pour quel type d'applications. 2. Propriétés électroniques
Chapitre 1 : La diode à jonction
Jonction P-N (Figure 5). Figure 5 : Jonction P-N. 5-2- Jonction P-N non ... Milsant Cours d'électronique : Composants électroniques. Edition : Eyrolles
Les semi-conducteurs - Jonction PN
des transistors (se reporter au cours sur les semi- conducteurs pour avoir une explication physique et quantitative des phénomènes de conduction. Page 3. Semi
LA-JONCTION-PN.pdf
13 fév. 2016 1.2) Structure d'un atome. L'existence de l'électricité réside dans la capacité d'un corps à laisser circuler des charges.
5. Semi-conducteurs et jonction p-n
cours. Université de Bordeaux 1
THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS
Figure 14 : origine du courant inverse de saturation IS d'une jonction bloquée. 16. Page 18. 2.2) Capacité de transition. La jonction PN est constituée de deux
Les composants discrets La jonction PN
Résumé de cours M1 Microélectronique. Module : Physique des composants semi jonction pn;. ▫ Autres variantes de la jonction pn;. ▫ Applications. Page 4 ...
Les composants discrets La jonction PN
Résumé de cours M1 Microélectronique. Module : Physique des composants semi jonction pn;. ▫ Autres variantes de la jonction pn;. ▫ Applications. Page 4 ...
Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux
16. Figure EC4 : Diagramme d'énergie d'une jonction PN à l'équilibre thermodynamique. cours du temps. Considérons un volume de semi-conducteur élémentaire de ...
Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN
La jonction PN. ISMIN 1A 2021-22. J.-M. Dutertre https://www.emse.fr/~dutertre/enseignement.html. Ne fait plus partie du cours d'électronique analogique 1A
Les semi-conducteurs - Jonction PN
des transistors (se reporter au cours sur les semi- conducteurs pour avoir une explication physique et quantitative des phénomènes de conduction
chapitre 05 jonction pn.pdf
Page 2. Plan du cours. 1. Introduction. - Caractéristiques physiques des semiconducteurs. - Quels Matériaux pour quel type d'applications.
Chapitre 1 : La diode à jonction
Support de cours : Figure 6 : Jonction P-N non polarisée à l'équilibre ... peuvent franchir librement la jonction P-N celle-ci devient passante et un ...
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semi-conducteurs et de la jonction PN on va se suffire du modèle représenté par la figure 2. Cette représentation est relative à l'atome de Silicium.
6. Bandes dénergie semi-conducteurs
4. Exemple du platinocyanure. 1. Bandes d'énergie. 2. Constitution. 3. Dopage des semi-conducteurs. 4. Jonction p-n. Sommaire
Les composants discrets La jonction PN
MATHIEU physique des semi-conducteurs et des composants électroniques
Photodiode à jonction pn Cellule photovoltaïque Photodiode Cellule
Photodiode à jonction pn Courant maxi pour ?W>>1 (utilisation de jonctions pin) ... La détectivité (D*) augmente si la jonction est polarisée.
Cours Electronique 1 : La Diode à Jonction
semiconducteur de type P. 2.2. Jonction PN non polarisée : Au voisinage de la jonction les électrons libres (porteurs majoritaires) de la zone N.
Cours Electronique II.pdf
1.2 Différents types de diodes à jonction PN : 1.2.1 Diode redresseuse. 1.2.2 Diode tunnel. 1.2.3 Diode Schottky. 1.2.3 Diode Varicap (Varactor).
Jonction p-n
IV. La jonction p-n
Caractéristiques de base
A l'équilibre
Zone de charge d'espace
caractéristiques courant-tensionChamp de claquage
Hétérojonction
Chapitre 5
Science et génie des matériaux, Romuald Houdré - 2006 /2007 1Plan du cours
1. Introduction
- Caractéristiques physiques des semiconducteurs - Quels Matériaux pour quel type d'applications2. Propriétés électroniques des semiconducteurs
- Structure de bandes - Statistiques d'occupation des bandes - Propriétés de transport - Processus de recombinaison3. Jonctions et interfaces
- Jonctions métal/semi-conducteurs - Jonction p-n à l'équilibre, Jonction p-n hors-équilibre4. Composants électroniques
- Transistors bipolaires - Transistors à effet de champ - Dispositifs quantiques - Nouveaux matériaux5. Composants optoélectroniques
- Détecteurs - Diodes électroluminescentes - Diodes lasers - Lasers à émission par la surface - Lasers à cascade quantique 1/3 bases1/3 transport1/3 optique 2Circuits microélectroniques
3La jonction p-n
Une jonction p-n correspond à la juxtaposition de deux matériaux identiques ou non de type p et de type n Type nType p VUne jonction p-n est une diode
4La jonction p-n
Applications• Transistors bipolaires
• Diodes électroluminescentes • Diodes laser • Cellules solaires • Détecteurs 5Substrat type n
Fabrication
Pendant la croissance
Si + donneurs
Si + accepteurs
Image SEM d'une jonction p-n
6Fabrication
Par implantation ou diffusion
7Jonction p-n fabrication
8Fabrication
Composant final
9La jonction p-n
Type n Type p 10Diagramme de bande
• A l'équilibreType p
Type n
E V E C Gradients de concentration il existe un courant de diffusion J diff Les impuretés ne sont plus compensées un champ électrique se forme J condLes deux courants sont de signe opposé
11Diagramme de bande
• A l'équilibre 12Diagramme de bande
• A l'équilibre (pas d'excitation externe)Le niveau de Fermi doit être constant
J n n grad V F or grad V F = 0 d'où J n = 0 (idem pour J p J = J dérive + J diffusion = 0Equation générale des courantsIl n'y a pas de courant dans la jonction
Le courant de dérive compense exactement le courant de diffusion 13Zone de charge d'espace
La zone de charge d'espace ou zone de déplétionCharges fixesCharges mobiles
14Diagramme de bande
• A l'équilibre (pas d'excitation externe) Cette barrière de potentiel est la conséquence directe de l'apparition de zones chargées positivement et négativement sous l'effet de la diffusion des porteurs. C'est ce qui conduit à l'équilibreavec (nN D et pN ACalcul de la hauteur de barrière de potentiel
En considérant que toutes les impuretés sont ionisées, nous obtenons (built-in potential) qV bi =E g k B TlnN v N c N A N D qV bi = E G -(E C - E F n - (E F - E V p 15 Zone de char g e d'es p ace ZCEApproximation d'une jonction abrupte
-x p x n N D - N AType pType n
Calcul du champ électrique dans ZCE
Neutralité électrique: x
p N A = x n N DExtension de la ZCE: W = x
p + x n nDp A xxpourNqdxdxxpourNqdxd 00 222216
Zone de charge d'espace
Cas d'une jonction abrupte
-x p xn N D - N AType pType n
-E max E V bi =E(x)dx x p x n =qN A (x+x p )dx x p 0 +qN D (xx n )dx 0x n =qN A x p2 2 +qN D x n2 2 =E max x p 2 +E max x n 2 =1 2 E max WExtension de la zone de charge d'espace
W=2 q N A +N D N A N D V bi 17Exemple: Silicium Type n: N
D =10 18 cm -3 et p=n i2 /N D =10 2 cm -3Type p: N
A =10 16 cm -3 et n=n i2 /N A =10 4 cm -3 N c =2.7x10 19 cm -3 et N v =1.1x10 19 cm -3On trouve:
qV bi = 0.84 eVW = 334 nm
Zone de charge d'espace
0 r 0 =8.85x10 -12 F/m R = 11.9 q = 1.6x10 -19 C E max =5x10 4 V/cm W=2 q N A +N D N A N D V bi qV bi =E g k B TlnN v N c N A N D 18En pratique N
D >>N A d'où et x p = WLa zone de charge d'espace est principalement du côté le moins dopé (333 nm)Zone de charge d'espace
W = x n +x p et x n N D =x p N AD'où
x n = N A /(N D +N A )W x p = N D /(N D +N A )WZone de charge d'espace dans types n et p 19Jonction pn à l'équilibre
Résumé
Le courant de dérive compense
exactement le courant de diffusionZone de charge d'espace
20Jonction p-n: nanofils
C. Lieber, Harvard (USA)
1 m http://cmliris.harvard.edu 21LEDs à nanofils
C. Lieber, Harvard (USA)
22Diagramme de bande
• A l'équilibre 23• Apparition d'une zone de déplétion (zone dequotesdbs_dbs18.pdfusesText_24
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