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II. Les Semi-Conducteurs. – Les Semi-Conducteurs intrinsèques. – Les Semi-Conducteurs dopés. » Dopage N. » Dopage P. • III. La jonction P-N
Les semi-conducteurs - Jonction PN
Par exemple les atomes de silicium qui possèdent 4 électrons sur leur dernière couche se regroupent entre eux en échangeant leurs.
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4. Exemple du platinocyanure. 1. Bandes d'énergie. 2. Constitution. 3. Dopage des semi-conducteurs. 4. Jonction p-n. Sommaire
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Définition de la jonction PN. III. La diode PN : caractéristique. ? Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les.
(Microsoft PowerPoint - Réalisation d?une cellule photovolta
La jonction PN Si dopé P + Si dopé N Fonctionnement d'une cellule solaire P/N. Contacts ... 5) Ouverture de la jonction : gravure latérale par plasma.
chapitre 05 jonction pn.pdf
La jonction p-n. Caractéristiques de base. A l'équilibre. Zone de charge d'espace caractéristiques courant-tension. Champ de claquage. Hétérojonction.
Diapositive 1
Définition de la jonction PN. II. La diode PN : caractéristique. ? Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les.
Caractérisation de panneaux solaires photovoltaïques en conditions
17 juin 2015 En 1939 l'ingénieur Russel Ohl découvre la jonction. P-N. En 1954
Caractérisation électrique de nanofils de semi-conducteurs III-V
24 nov. 2020 En fonction de la direction de cette polarisation on peut soit agrandir la barrière Schottky et augmenter le courant induit dans la jonction p-n ...
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Jonction PN. Physique des semi-conducteurs. Diode. Transistor. Avant équilibre. 9. Des électrons porteurs libres majoritaires apportés par les impuretés.
Jonction p-n
IV. La jonction p-n
Caractéristiques de base
A l'équilibre
Zone de charge d'espace
caractéristiques courant-tensionChamp de claquage
Hétérojonction
Chapitre 5
Science et génie des matériaux, Romuald Houdré - 2006 /2007 1Plan du cours
1. Introduction
- Caractéristiques physiques des semiconducteurs - Quels Matériaux pour quel type d'applications2. Propriétés électroniques des semiconducteurs
- Structure de bandes - Statistiques d'occupation des bandes - Propriétés de transport - Processus de recombinaison3. Jonctions et interfaces
- Jonctions métal/semi-conducteurs - Jonction p-n à l'équilibre, Jonction p-n hors-équilibre4. Composants électroniques
- Transistors bipolaires - Transistors à effet de champ - Dispositifs quantiques - Nouveaux matériaux5. Composants optoélectroniques
- Détecteurs - Diodes électroluminescentes - Diodes lasers - Lasers à émission par la surface - Lasers à cascade quantique 1/3 bases1/3 transport1/3 optique 2Circuits microélectroniques
3La jonction p-n
Une jonction p-n correspond à la juxtaposition de deux matériaux identiques ou non de type p et de type n Type nType p VUne jonction p-n est une diode
4La jonction p-n
Applications• Transistors bipolaires
• Diodes électroluminescentes • Diodes laser • Cellules solaires • Détecteurs 5Substrat type n
Fabrication
Pendant la croissance
Si + donneurs
Si + accepteurs
Image SEM d'une jonction p-n
6Fabrication
Par implantation ou diffusion
7Jonction p-n fabrication
8Fabrication
Composant final
9La jonction p-n
Type n Type p 10Diagramme de bande
• A l'équilibreType p
Type n
E V E C Gradients de concentration il existe un courant de diffusion J diff Les impuretés ne sont plus compensées un champ électrique se forme J condLes deux courants sont de signe opposé
11Diagramme de bande
• A l'équilibre 12Diagramme de bande
• A l'équilibre (pas d'excitation externe)Le niveau de Fermi doit être constant
J n n grad V F or grad V F = 0 d'où J n = 0 (idem pour J p J = J dérive + J diffusion = 0Equation générale des courantsIl n'y a pas de courant dans la jonction
Le courant de dérive compense exactement le courant de diffusion 13Zone de charge d'espace
La zone de charge d'espace ou zone de déplétionCharges fixesCharges mobiles
14Diagramme de bande
• A l'équilibre (pas d'excitation externe) Cette barrière de potentiel est la conséquence directe de l'apparition de zones chargées positivement et négativement sous l'effet de la diffusion des porteurs. C'est ce qui conduit à l'équilibreavec (nN D et pN ACalcul de la hauteur de barrière de potentiel
En considérant que toutes les impuretés sont ionisées, nous obtenons (built-in potential) qV bi =E g k B TlnN v N c N A N D qV bi = E G -(E C - E F n - (E F - E V p 15 Zone de char g e d'es p ace ZCEApproximation d'une jonction abrupte
-x p x n N D - N AType pType n
Calcul du champ électrique dans ZCE
Neutralité électrique: x
p N A = x n N DExtension de la ZCE: W = x
p + x n nDp A xxpourNqdxdxxpourNqdxd 00 222216
Zone de charge d'espace
Cas d'une jonction abrupte
-x p xn N D - N AType pType n
-E max E V biquotesdbs_dbs8.pdfusesText_14[PDF] jordan bebe fille
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