Microsoft PowerPoint _ SEMCO12_PPT
II. Les Semi-Conducteurs. – Les Semi-Conducteurs intrinsèques. – Les Semi-Conducteurs dopés. » Dopage N. » Dopage P. • III. La jonction P-N
Les semi-conducteurs - Jonction PN
Par exemple les atomes de silicium qui possèdent 4 électrons sur leur dernière couche se regroupent entre eux en échangeant leurs.
Présentation PowerPoint
4. Exemple du platinocyanure. 1. Bandes d'énergie. 2. Constitution. 3. Dopage des semi-conducteurs. 4. Jonction p-n. Sommaire
Présentation PowerPoint
Définition de la jonction PN. III. La diode PN : caractéristique. ? Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les.
(Microsoft PowerPoint - Réalisation d?une cellule photovolta
La jonction PN Si dopé P + Si dopé N Fonctionnement d'une cellule solaire P/N. Contacts ... 5) Ouverture de la jonction : gravure latérale par plasma.
chapitre 05 jonction pn.pdf
La jonction p-n. Caractéristiques de base. A l'équilibre. Zone de charge d'espace caractéristiques courant-tension. Champ de claquage. Hétérojonction.
Diapositive 1
Définition de la jonction PN. II. La diode PN : caractéristique. ? Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les.
Caractérisation de panneaux solaires photovoltaïques en conditions
17 juin 2015 En 1939 l'ingénieur Russel Ohl découvre la jonction. P-N. En 1954
Caractérisation électrique de nanofils de semi-conducteurs III-V
24 nov. 2020 En fonction de la direction de cette polarisation on peut soit agrandir la barrière Schottky et augmenter le courant induit dans la jonction p-n ...
Présentation PowerPoint
Jonction PN. Physique des semi-conducteurs. Diode. Transistor. Avant équilibre. 9. Des électrons porteurs libres majoritaires apportés par les impuretés.
Pascal MASSON Les diodes
Les diodes
-AntipolisCycle Initial Polytechnique
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)Edition 2015-2016
Pascal MASSON Les diodes
Sommaire
I. Historique
II. La diode PN : caractéristique
III. La diode PN : applications
VI. Effet photoélectrique : absorption
V. La diode Zener
VII. Effet photoélectrique : émission
IV. La diode PN : physique
Pascal MASSON Les diodes
I.1. Définition
I. Historique
19031901
LED Solaire Photosensible Laser OLED
1950 1956
1939Pascal MASSON Les diodes
I.2. Histoire de la diode à semi-conducteur
I. Historique
19561901
Chandra BOSE pour de la
galène avec contact métallique comme détecteur électromagnétiques.Russell OHL.
découvert en 1948 par William SHOCKLEY.Pascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
GUTHRIE. Cet effet est redécouvert par Thomas EDISON en 1880 (puis breveté en 1883).1903 1950
1879brevette la diode à vide.
Pascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
‰ Fonctionnement vide filamentPascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
‰ Fonctionnement vide filamentPascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
‰ Fonctionnement vide filamentPascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
‰ Fonctionnement vide filamentPascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
‰ Fonctionnement vide filament I IPascal MASSON Les diodes
I.3. Histoire de la diode à tube
I. Historique
‰ Fonctionnement vide filament I = 0 I = 0Pascal MASSON Les diodes
II.1. Définition de la jonction PN
II. La diode PN : caractéristique
électrons sont majoritaires) avec un semi-conducteur dopé P (les trous sont majoritaires).II.2. Représentation
cathode anode VD ID P N anneau de repéragePascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale
II. La diode PN : caractéristique
VD (V) 0 1 1
ID (mA)
inverse directe 1 sinon elle en laisse passer sans limitation. Cela revient à un interrupteur qui est ouvert ou fermé directe. cathode anode VD ID P NPascal MASSON Les diodes
EG VR VD R IDII.3. Caractéristique idéale
EG = VD + VR
II. La diode PN : caractéristique
variable EG qui peut prendre des valeurs positives et négatives. uniquement positif. résistance :Pascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale
tensionEG (V)
t 0 1 1 t 0 1 1VD (V)
t 0 1ID (mA) EG = VD + VR
II. La diode PN : caractéristique
EG VR VD R IDPascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale EG (V)
t 0 1 1 t 0 1 1VD (V)
t 0 1ID (mA)
II. La diode PN : caractéristique
tensionEG = VD + VR
EG VR VD R IDPascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale EG (V)
t 0 1 1 t 0 1 1VD (V)
t 0 1ID (mA)
II. La diode PN : caractéristique
tensionEG = VD + VR
EG VR VD R IDPascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale EG (V)
t 0 1 1 t 0 1 1VD (V)
t 0 1ID (mA)
II. La diode PN : caractéristique
tensionEG = VD + VR
EG VR VD R IDPascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale EG (V)
t 0 1 1 t 0 1 1VD (V)
t 0 1ID (mA)
II. La diode PN : caractéristique
tensionEG = VD + VR
EG VR VD R IDPascal MASSON Les diodes
II.3. Caractéristique idéale EG (V)
t 0 1 1 t 0 1 1VD (V)
t 0 1ID (mA)
II. La diode PN : caractéristique
tensionEG = VD + VR
EG VR VD R IDPascal MASSON Les diodes
quotesdbs_dbs8.pdfusesText_14[PDF] jordan bebe fille
[PDF] jordan shoes femme
[PDF] jordan shoes homme
[PDF] jordan shoes pas cher
[PDF] jordanisation exercice corrigé
[PDF] jort juillet 2017
[PDF] jort loi de finance 2017
[PDF] jort n°68 du 22 août 2008
[PDF] jort recherche
[PDF] jort tunisie
[PDF] jort tunisie augmentation salaire 2016
[PDF] jort tunisie juillet 2016
[PDF] jort tunisie juillet 2017
[PDF] joseph de la selle biographie