[PDF] Diapositive 1 Définition de la jonction





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Microsoft PowerPoint _ SEMCO12_PPT

II. Les Semi-Conducteurs. – Les Semi-Conducteurs intrinsèques. – Les Semi-Conducteurs dopés. » Dopage N. » Dopage P. • III. La jonction P-N 



Les semi-conducteurs - Jonction PN

Par exemple les atomes de silicium qui possèdent 4 électrons sur leur dernière couche se regroupent entre eux en échangeant leurs.



Présentation PowerPoint

4. Exemple du platinocyanure. 1. Bandes d'énergie. 2. Constitution. 3. Dopage des semi-conducteurs. 4. Jonction p-n. Sommaire 



Présentation PowerPoint

Définition de la jonction PN. III. La diode PN : caractéristique. ? Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les.



(Microsoft PowerPoint - Réalisation d?une cellule photovolta

La jonction PN Si dopé P + Si dopé N Fonctionnement d'une cellule solaire P/N. Contacts ... 5) Ouverture de la jonction : gravure latérale par plasma.



chapitre 05 jonction pn.pdf

La jonction p-n. Caractéristiques de base. A l'équilibre. Zone de charge d'espace caractéristiques courant-tension. Champ de claquage. Hétérojonction.



Diapositive 1

Définition de la jonction PN. II. La diode PN : caractéristique. ? Une jonction P-N est créée en juxtaposant un semi-conducteur dopé N (les.



Caractérisation de panneaux solaires photovoltaïques en conditions

17 juin 2015 En 1939 l'ingénieur Russel Ohl découvre la jonction. P-N. En 1954



Caractérisation électrique de nanofils de semi-conducteurs III-V

24 nov. 2020 En fonction de la direction de cette polarisation on peut soit agrandir la barrière Schottky et augmenter le courant induit dans la jonction p-n ...



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Jonction PN. Physique des semi-conducteurs. Diode. Transistor. Avant équilibre. 9. Des électrons porteurs libres majoritaires apportés par les impuretés.

Pascal MASSON Les diodes

Les diodes

-Antipolis

Cycle Initial Polytechnique

Pascal MASSON

(pascal.masson@unice.fr)

Edition 2015-2016

Pascal MASSON Les diodes

Sommaire

I. Historique

II. La diode PN : caractéristique

III. La diode PN : applications

VI. Effet photoélectrique : absorption

V. La diode Zener

VII. Effet photoélectrique : émission

IV. La diode PN : physique

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I.1. Définition

I. Historique

1903
1901

LED Solaire Photosensible Laser OLED

1950 1956

1939

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I.2. Histoire de la diode à semi-conducteur

I. Historique

1956
1901

Chandra BOSE pour de la

galène avec contact métallique comme détecteur électromagnétiques.

Russell OHL.

découvert en 1948 par William SHOCKLEY.

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I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

GUTHRIE. Cet effet est redécouvert par Thomas EDISON en 1880 (puis breveté en 1883).

1903 1950

1879
brevette la diode à vide.

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I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

‰ Fonctionnement vide filament

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I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

‰ Fonctionnement vide filament

Pascal MASSON Les diodes

I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

‰ Fonctionnement vide filament

Pascal MASSON Les diodes

I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

‰ Fonctionnement vide filament

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I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

‰ Fonctionnement vide filament I I

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I.3. Histoire de la diode à tube

I. Historique

‰ Fonctionnement vide filament I = 0 I = 0

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II.1. Définition de la jonction PN

II. La diode PN : caractéristique

électrons sont majoritaires) avec un semi-conducteur dopé P (les trous sont majoritaires).

II.2. Représentation

cathode anode VD ID P N anneau de repérage

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II.3. Caractéristique idéale

II. La diode PN : caractéristique

VD (V) 0 1 1

ID (mA)

inverse directe 1 sinon elle en laisse passer sans limitation. Cela revient à un interrupteur qui est ouvert ou fermé directe. cathode anode VD ID P N

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EG VR VD R ID

II.3. Caractéristique idéale

EG = VD + VR

II. La diode PN : caractéristique

variable EG qui peut prendre des valeurs positives et négatives. uniquement positif. résistance :

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II.3. Caractéristique idéale

tension

EG (V)

t 0 1 1 t 0 1 1

VD (V)

t 0 1

ID (mA) EG = VD + VR

II. La diode PN : caractéristique

EG VR VD R ID

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II.3. Caractéristique idéale EG (V)

t 0 1 1 t 0 1 1

VD (V)

t 0 1

ID (mA)

II. La diode PN : caractéristique

tension

EG = VD + VR

EG VR VD R ID

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II.3. Caractéristique idéale EG (V)

t 0 1 1 t 0 1 1

VD (V)

t 0 1

ID (mA)

II. La diode PN : caractéristique

tension

EG = VD + VR

EG VR VD R ID

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II.3. Caractéristique idéale EG (V)

t 0 1 1 t 0 1 1

VD (V)

t 0 1

ID (mA)

II. La diode PN : caractéristique

tension

EG = VD + VR

EG VR VD R ID

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II.3. Caractéristique idéale EG (V)

t 0 1 1 t 0 1 1

VD (V)

t 0 1

ID (mA)

II. La diode PN : caractéristique

tension

EG = VD + VR

EG VR VD R ID

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II.3. Caractéristique idéale EG (V)

t 0 1 1 t 0 1 1

VD (V)

t 0 1

ID (mA)

II. La diode PN : caractéristique

tension

EG = VD + VR

EG VR VD R ID

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