Chapitre 1 : La diode à jonction
Une diode Zener est une diode spécialement conçue pour exploiter le claquage inverse. La tension de claquage est appelée tension Zener. Symbole : A I . K.
Les diodes
Zone 0A : la diode est polarisée dans le sens directe mais la tension est trop faible pour débloquer la jonction : zone de blocage directe.
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19 déc. 2012 Au sein du groupe électronique organique mes remerciements sont nombreux : merci à. Stéphanie Jacob (maman) pour tous les fous rires (courage ...
LA DIODE
La diode est un dipôle à semi-conducteur (jonction PN). Les 2 bornes sont repérées anode « A » et cathode « K ». La bague indique la cathode. Une diode est un
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Par contre dans le sens inverse (VD = VA – VK < 0) aucun courant ne circule quelque soit la valeur de la tension inverse appliquée. La diode peut-être
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Ce sont des diodes stabilisatrices de tension. SPECIFICATIONS TYPES. Puissance nominale PZ NOM : [W]. Tension inverse nominale : UZ [V]. Courant Zener
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10 déc. 2018 Figure 1.7 – Caractéristique de la diode PiN-SiC 26.9 kV [37]. 1.3.1.2 Transistors JFETs. Le transistor à effet de champ à jonction est un ...
UTILISATION DE LA DIODE TUNNEL POUR LAMPLIFICATION D
Cet auteur précisait encore que l'on pourrait concevoir un amplificateur de gain g = 4 par étage avec une bande passante de 500 MHz si on associait des diodes
Les diodes dipôles non linéaires
Cette diode polarisée en inverse se comporte comme un condensateur de très faible valeur dont la capacité est variable selon la tension inverse appliquée à
La diode à jonction
Il y a alors circulation d'un courant DIRECT IF de l'Anode vers la Cathode la diode est dite PASSANTE. La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée
Les diodes
LES DIODES. I.2 – Caractéristique d'une diode. Définition : c'est le graphique qui donne l'intensité du courant qui traverse la diode.
LA DIODE
La diode est un dipôle à semi-conducteur (jonction PN). Les 2 bornes sont repérées anode « A » et cathode « K ». La bague indique la cathode. Une diode est un
Chapitre 1 : La diode à jonction
Une diode Zener est une diode spécialement conçue pour exploiter le claquage inverse. La tension de claquage est appelée tension Zener. Symbole : A I . K.
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Sur ce type de diode au silicium le courant croit assez rapidement au delà de 0
La diode
1.2 – Diode réelle à semi-conducteur. L'anode est la zone P d'une jonction P-N. La zone de type N est la cathode. En polarisation inverse le courant
Chapitre 5: Les diodes 5.1 - Introduction
Il existe plusieurs types de diodes. La diode la plus classique est la "diode à jonction PN" qui sera l'objet des sections 5.2 à 5.6.
Chapitre II : La diode en commutation
La diode est encore bloquée seule la tension aux bornes varie
La diode à jonction
Il y a alors circulation d'un courant DIRECT IF de l'Anode vers la Cathode la diode est dite PASSANTE. La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée
Chapitre I : La diode
Le diode à jonction est donc un composant qui est constitué par une jonction PN. Figure 2 : Barreau de silicium extrinsèque (ie dopé). A- Courant de diffusion :.
CARACTERISTIQUE DUNE DIODE (OU LED) ET POINT DE
Par exemple c'est la diode qui va permettre de redresser le courant alternatif issu du secteur. La figure ci-dessous de gauche montre différentes diodes. La
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ou judiciaires implique une limitation correspondante du droit de lecture, utilisation ou redistribution
verbatim ou modifiée du document. 1Table des matières
Table des matières................................................................................................................................................. 1
Introduction........................................................................................................................................................... 3
Principe de fonctionnement.................................................................................................................................. 5
La jonction PN.................................................................................................................................................... 5
Équilibre sans générateur................................................................................................................................ 6
Avec un générateur en sens direct................................................................................................................... 7
Avec un générateur en sens inverse ................................................................................................................ 8
Caractéristiques électriques................................................................................................................................. 9
Caractéristique électrique................................................................................................................................ 9
Caractéristique directe (Vd > 0)...................................................................................................................... 9
Autour de zéro :............................................................................................................................................. 11
Équation :...................................................................................................................................................... 11
Effet de la température :................................................................................................................................ 12
Schéma équivalent............................................................................................................................................... 13
Modélisation n°1 : la diode " idéale »............................................................................................................... 13
Modélisation n°2 : diode avec seuil.................................................................................................................. 14
Modélisation n°3 : diode avec seuil et résistance.............................................................................................. 15
Exemple d'utilisation des 3 modèles de la diode.............................................................................................. 16
Premier cas : E = 200 V et R = 1000 ......................................................................................................... 17
Deuxième cas : E = 2 V et R = 1000 ......................................................................................................... 18
Troisième cas : E = 2 V et R = 2 ............................................................................................................... 20
Utilisation.......................................................................................................................................................... 22
Paramètres essentiels des diodes....................................................................................................................... 22
Diodes de redressement..................................................................................................................................... 23
Caractéristiques physiques............................................................................................................................ 23
Redressement simple alternance ................................................................................................................... 24
Redressement double alternance................................................................................................................... 25
Avec transfo double enroulement ou transformateur à point milieu......................................................... 25
Avec pont de Graëtz...................................................................................................................................... 26
Filtrage.......................................................................................................................................................... 27
Redressement simple alternance ............................................................................................................... 27
Redressement double alternance............................................................................................................... 29
Fonctionnement des diodes et transformateurs...................................................................................
31Alimentations doubles symétriques .............................................................................................................. 31
Doubleur de tension.......................................................................................................................................... 32
Diodes Zener........................................................................................................................................................ 33
Caractéristique .............................................................................................................................................. 33
Schéma équivalent :...................................................................................................................................... 34
Modèle hydraulique de la diode Zener.......................................................................................................... 35
Régulation de tension........................................................................................................................................ 36
Diodes à avalanche contrôlée............................................................................................................................ 39
Caractéristiques physiques............................................................................................................................ 39
Protection contre les surtensions................................................................................................................... 39
Mise en série de diodes................................................................................................................................. 39
Diodes de redressement rapides........................................................................................................................ 40
Notions de charge recouvrée......................................................................................................................... 40
Utilisation...................................................................................................................................................... 40
Diodes de signal................................................................................................................................................ 41
Caractéristiques physiques............................................................................................................................ 41
Détecteur de crête.......................................................................................................................................... 41
Détection AM.................................................................................................................................................... 42
Écrêtage des surtensions ................................................................................................................................... 43
Diodes électroluminescentes............................................................................................................................. 43
2 Caractéristique .............................................................................................................................................. 43
Utilisation...................................................................................................................................................... 43
Autres diodes................................................................................................................................................. 44
Les symboles des différentes diodes................................................................................................................... 45
Exercices.............................................................................................................................................................. 46
Solutions............................................................................................................................................................... 57
3Introduction
La diode est le composant électronique de base : on ne peut pas combiner du silicium dopé plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur commandé par une tension (V d qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.Figure 1
Analogie hydraulique de la diode
Cette propriété lui ouvre un champ d'applications assez vaste en électronique dont les plus courantes
sont : Le redressement du courant alternatif issu du secteur ; la régulation de tension à l'aide de diodes Zener, qui ont un comportement de source de tension quasi idéale.La fonction diode a existé bien avant l'arrivée du silicium : on utilisait alors des diodes à vide (les
lampes ou tubes, voir Figure 2) dont le fonctionnement était basé sur l'effet thermoélectronique. Le
silicium a apporté une amélioration de la fiabilité du composant, une réduction de son encombrement,
une plus grande simplicité d'utilisation et une réduction de prix.Figure 2
Diode " tube »
4 La jonction PN est un élément fondamental de l'électronique. En modifiant certains paramètres
(concentration en impureté, géométrie de la jonction, etc.) on obtient des composants diversifiés
utilisables dans de nombreux domaines dont le classement succinct est le suivant : Diodes de redressement et de l'électronique de puissance o Diodes de redressement classique, o Diodes à avalanche contrôlée, o Diodes rapides de commutation et de récupération, o Diodes haute tension, etc.Diodes de signal dans le domaine général
o Diodes rapides 1 o Diodes à faible courant de fuite, etc.Diodes utilisées en avalanche inverse
o Diodes stabilisatrices de tension (diodes " Zener »), o Diodes de référence, o Diodes de protection, etc.Diodes de l'électronique rapide
o Diodes tunnel et backward, o Diodes Schottky, o Dioses varicap, o Diodes PIN, o Diodes gunn, o Dioses Impatt, etc.Diodes de l'optoélectronique
o Diodes électroluminescentes LED, o Diodes laser, o Photodiodes, o Photopiles, o Cellules photovoltaïques, etc.Autres dispositifs
o Thermistance, o Varistances, o Cellules photorésistantes, o Cellules de Hall, etc. Dans les pages qui suivent, nous nous intéresserons seulement aux diodes de redressement et aux diodes Zener. 1Les diodes rapides de signal peuvent travailler à des fréquences élevées aussi bien en régime de
petits signaux qu'en régime de commutation. 5Principe de fonctionnement
La jonction PN
Figure 3
Jonction PN
Un matériau semi conducteur est composé d'atomes qui possèdent 4 électrons sur la coucheextérieure (atome quadrivalent). Le matériau semi conducteur le plus employé à l'heure actuelle est le
silicium.Considérons un petit morceau de silicium. Si on en dope une partie avec des atomes à 5 électrons
périphériques, le semi conducteur devient de type N, c'est-à-dire que les des porteurs majoritairement
présents dans la maille cristalline sont des électrons. Si l'on dope l'autre partie avec des atomes à 3
électrons périphériques, le silicium devient de type P, c'est-à-dire que les charges mobiles majoritaires
sont des trous (positifs) dans cette région du silicium. On a crée une jonction PN, qui est la limite de
séparation entre les deux parties.Nous avons fabriqué une diode à jonction.
6Équilibre sans générateur
Figure 4
Équilibre au niveau de la jonction PN sans champ électrique extérieur.Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les électrons libres de la zone N
(il y a diffusion des charges). Ce phénomène va s'arrêter quand le champ électrique E int créé par lesatomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va être suffisant
pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrière de potentiel pour les
porteurs majoritaires. Par contre, cette barrière de potentiel va favoriser le passage des porteurs
minoritaires (conduction électrique).Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'équilibrent
et leur somme est nulle en régime permanent et en l'absence de champ électrique extérieur. 7Avec un générateur en sens direct
Figure 5
Jonction PN soumise à un champ électrique extérieur : passage du courantLa barrière de potentiel interne empêche donc toute circulation de courant. Si on applique un champ
externe à l'aide d'un générateur en branchant le pôle + sur la zone P et le pôle - sur la zone N, on peut
annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler : le phénomène d'attraction
des électrons libres de la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrarié, et le
générateur va pouvoir injecter des électrons dans la zone N et les repomper par la zone P.Le courant de conduction constitué par les porteurs minoritaires prend une valeur If indépendante du
champ extérieur.Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct dû aux porteurs
majoritaires dès que la tension atteint la centaine de mV.La diode est alors polarisée dans le sens direct, et un courant relativement intense peut circuler : de
quelques dizaines de milliampères pour des diodes de signal à quelques ampères pour des diodes de
redressement standard, voire à des centaines d'ampères pour des diodes industrielles de très forte
puissance. 8Avec un générateur en sens inverse
Figure 6
Jonction PN soumise à un champ extérieur : blocageSi on branche le générateur dans le sens inverse du cas précédent, on renforce le champ électrique
interne, et on empêche le passage des porteurs majoritaires : les électrons libres sont repoussés dans
la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la séparation des charges (zone de déplétion).
Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et électrons libres pour la zone P) peuvent
traverser la jonction et reboucler par le générateur : ils forment le courant inverse I f qui dépend essentiellement de la température. Le champ extérieur repousse les charges qui vont se trouver à une distance sensiblementproportionnelle à |V|, créant ainsi une capacité proportionnelle à cette distance, donc à |V|.
Cette capacité est inhérente à toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la principale
limitation (en régime linéaire tout du moins) au fonctionnement à haute fréquence des composants
électroniques (diodes, transistors et circuits intégrés les employant). 9Caractéristiques électriques
Caractéristique électrique
C'est la caractéristique globale courant/tension. On a vu précédemment que le courant était
négligeable pour une tension Vd = Vp-Vn négative (ceci est vrai jusqu'à une tension Vc dite tension de
claquage). Au dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit très rapidement avec Vd.Le seuil Vo (barrière de potentiel) dépend du semi conducteur intrinsèque de base utilisé. Il est
d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium.La caractéristique a la forme suivante :
Figure 7
Caractéristique complète
Caractéristique directe (Vd > 0)
Figure 8
Caractéristique directe d'une diode.
Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au delà de 0,7V. C'est une diode
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