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Physique des semi-conducteurs : Fondamentaux

Pour les semi-conducteurs extrinsèques la densité de dopant est toujours très supérieure à la densité de porteurs intrinsèques NA>>ni. Dans le cas d'un type P



Cours de Physique des Semi-conducteurs

Semi-conducteur pur ? intrinsèque dopé ? extrinsèque. ? Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de.



Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN

Concentration intrinsèque de porteurs à l'équilibre thermodynamique : Semi-conducteur extrinsèque de type N (négatif = signe des porteurs de charge ...



Chapitre 3

II.2.2 Semiconducteur intrinsèque. II.2.3 Semiconducteur fortement dopé (dégénéré). II.2.4 Semiconducteur dopé (ou extrinsèque). II.2.4.



Les semi-conducteurs - Jonction PN

Semi-conducteurs extrinsèques – le dopage. • Le dopage d'un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du réseau par des.



PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

Semi-conducteur extrinsèque : dopage. doivent être égaux et pour un semi-conducteur intrinsèque : ( ) ( ) g T r T n. E. kT i i i. G. = ?. ?. ?.



1.1 Introduction 1.2 Définition

Un semi-conducteur peut être soit intrinsèque (pur) ou extrinsèque (dopé) par des impuretés. ? Semi-conducteur intrinsèque : La résistivité du silicium pur 



TD 2

Le S.C intrinsèque ni ; le S.C extrinsèque dopé n



LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI

? est la conductivité de l'échantillon ? sa résistivité. Doc 4 : les semi-conducteurs. A. Le semi conducteur pur ou intrinsèque : (Ge



THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS

intrinsèque. 2.1) Liaison de covalence : semi-conducteur non excite. Considérons un cristal de silicium non excité au zéro absolu (0°K) 



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Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux 



[PDF] SEMICONDUCTEURS

IV – Le semiconducteur extrinsèque Le dopage consiste à insérer dans le cristal des atomes : pentavalents (ayant 5 électrons périphériques)



[PDF] Cours de Physique des Semi-conducteurs

Semi-conducteur pur ? intrinsèque dopé ? extrinsèque ? Silicium assez pur + un atome de Bore ou de Phosphore pour 105 atomes de



[PDF] Introduction aux semi-conducteurs La jonction PN

Semi-conducteur intrinsèque (cristal pur) I – Matériaux semi-conducteurs Cristal de silicium : 4 e- de valence Si ? association 



[PDF] Semi-conducteurs

Dans ce chapitre on donnera quelques notions de base sur les matériaux semi-conducteurs On définira les semi-conducteurs intrinsèques et ceux dopés types P et 



[PDF] materiaux semiconducteurs

Le tableau ci-dessous donne les principales caractéristiques du semiconducteur dopé ou extrinsèque 34 Page 35 Dopage d'un semiconducteur par un atome 



[PDF] PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS - clasesadomicilio

Un semi-conducteur peut être soit pur auquel cas il est dit ?intrinsèque? soit dopé par des impuretés (qui permettent de contrôler sa résistivité) auquel cas 



[PDF] Les semi-conducteurs - Jonction PN

Semi-conducteurs extrinsèques – le dopage • Le dopage d'un cristal intrinsèque consiste à substituer des atomes de semi-conducteurs du réseau par des



[PDF] 11 Introduction 12 Définition - CU-ELBAYADHDZ

Un semi-conducteur peut être soit intrinsèque (pur) ou extrinsèque (dopé) par des impuretés ? Semi-conducteur intrinsèque : La résistivité du silicium pur 



[PDF] TD 2

1 Parmi ces trois semi-conducteurs quel est celui qui présente la concentration intrinsèque la plus faible ? 2 Calculer ni pour ce semi-conducteur à 300 

  • Quelle est la différence entre un semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque ?

    Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques (diodes, transistors, etc) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc).
  • Quels sont les différents types de semi-conducteurs ?

    Les principaux semi-conducteurs sont le germanium (Ge), le silicium (Si), le sélénium (Se), les composés binaires : arséniure de gallium (GaAs), antimoniure d'indium (InSb), phosphure de gallium (GaP) et phosphure d'indium, ainsi que les composés ternaires et quaternaires.
  • Comment savoir le type de semi-conducteur ?

    Conclure sur la nature électrique du matériau
    On conclut sur la nature électrique du matériau en fonction de la valeur énergétique du gap ou de la bande interdite (BI) : Si E_{gap} =0 eV, alors le matériau est un conducteur. Si E_{gap} \\leqslant 1 eV, alors le matériau est un semi-conducteur.
  • La densité d'électrons (concentration par unité de volume) est notée n, celle des trous p. est la concentration intrinsèque. Tout dopage sert à modifier cet équilibre entre les électrons et les trous, pour favoriser la conduction électrique par l'un des deux types de porteurs. 1,45 × 1010 électrons/cm3 .
LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI

PSI* CHAMPOLLION 1 AD Semi-Conducteurs

LA CONDUCTIVITE DANS LES CONDUCTEURS ET SEMI CONDUCTEURS Doc 1 : Etude expérimentale de la conductivité des solides avec la température :

Une étude expérimentale permet de distinguer les différences entre deux types de solides : les corps

conducteurs et les corps semi-conducteurs. H La manipulation a donné les résultats suivants : l d R à

20°C

Cuivre

(conducteur)

50 m 0.2 mm ȍ 1,73.10-8 ȍ 1,97.10-8 ȍ

Germanium

(semi conducteur)

2 cm 3 mm ȍ ȍ ȍ

(Fig 1 et 2) :

à 80 °C) avec t, alors

que pour un semi-conducteur, elle décroît fortement quand la température augmente. Une modélisation

de la courbe pour le semi conducteur doȡ (Fig 3).

Fig 1 rĠsistiǀitĠ d'un conducteur

métallique (Cu) en fonction de la température Fig 2 rĠsistiǀitĠ d'un semi conducteur (Ge) en fonction de la température 8

PSI* CHAMPOLLION 2 AD Semi-Conducteurs

Les corps conducteurs sont les métaux et leurs alliages.

Métaux purs :

Leur résistivité est très faible (10-8 à 10-6 ȍcroît en fonction de la température.

Alliages :

Leur résistivité est nettement plus forte que celles des métaux qui les constituent et augmente en

fonction de la température, mais moins que celle des métaux.

Semi conducteurs :

Ce sont des corps comme le germanium, le silicium (éléments du groupe IV de la classification

exemple). Leur résistivité est comprise entre 10-5 et 105 ȍ température augmente.

Fig 3 modğle linĠaire lnʌ = c+b/T pour

un semi conducteur

PSI* CHAMPOLLION 3 AD Semi-Conducteurs

Doc 2 : Structure de bande des solides :

des liaisons

de covalence ou des liaisons métalliques. Ces deux types de liaisons correspondent aux deux

catégories principales de solides : les isolants et les conducteurs.

Dans un isolant, tous les électrons des couches atomiques externes sont liés. Dans un métal, certains

ctrique. anglais).

inférieure à une certaine valeur İf appelée énergie de Fermi sont occupés. La distinction entre isolant et

position du niveau de Fermi dans le digramme énergétique des bandes (cf. Fig 4).

Ge Si GaAs Diamant Silice

İg (eV) 0,67 1,14 1,43 5,4 10

Dans un métal,

est spectaculaire pour un semi conducteur

conductrices ne sont observées que pour des matériaux dont la largeur de bande interdite est faible

(autour de 1 eV). Pour de plus grandes largeurs de bande interdite (plusieurs eV) le matériau reste

isolant à température ambiante. Fig 4 position du niveau de Fermi à T = 0 K dans le diagramme de bandes ou isolant

PSI* CHAMPOLLION 4 AD Semi-Conducteurs

Doc 3 : les porteurs de charge électrique et leur déplacement qe = -e = -1,6.10-19C

Dans les semi trous »,

charge positive : qtrou = +e = 1,6.10-19C uction par unité de volume) et p la densité de trous. champ électrique, les porteurs de charge sont animés de mouvements désordonnés

successifs, le mouvement est rectiligne, à vitesse constante. Le déplacement moyen des porteurs est

nul. Dans un champ électrique, les porteurs sont soumis à une force ܨ

La vitesse moyenne de déplacement des porteurs est proportionnelle au champ électrique : ݒ,,,&= µܧ

où µ est la mobilité des porteurs de charge : µp > 0 pour un trou, µn < 0 pour un électron et µp < -µn.

Dans le cuivre : - µn = 3,2.10-3 m2.V-1.s-1

Dans le germanium : - µn= 0,39 m2.V-1.s-1 et µp = 0,19 m2.V-1.s-1 6 Fig 5

PSI* CHAMPOLLION 5 AD Semi-Conducteurs

Le courant électrique résultant est la somme des courants des deux types de porteurs de charge :

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