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Resume- On discutera les facteurs qui determinent la constante de couplage excitoni- que et on montrera que generalement
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discutera un modèle chinois (Le modèle Xin-An-Jiang) et ses applications. Enfin on discutera également de la prospective et du développement de.
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Dans ce contexte on discutera partant d'exemples de la problematique ecologi- que les implications sociales de cette construction theorique.
CdTe Epitaxial films and their properties
01-Jan-1977 triques et on discutera les problèmes d'homogénéité des couches. Par ailleurs des jonctions p-n ont pu être réalisées
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11-Jan-2011 On discutera brièvement des méthodes parallèles pour la FMM comme la construction de l'arbre
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01-Jan-1982 On discutera les aspects énergétiques et dynamiques de chaque phénomène et les observations expérimentales. Abstract.
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CdTe EPITAXIAL FILMS AND THEIR PROPERTIES
S. N.MAXIMOVSKY,
I. P.REVOCATOVA,
V. M. SALMAN,
M. A. SELEZNEVA and P. N. LEBEDEU
Physics
Institute
Leninsky Prosjekt
53Moscow,
USSRRésumé.
2014Des films de tellurure de cadmium ont
été préparés par épitaxie par
voie gazeuse sur un substrat chauffé paréclairement. Des couches
dopées ou non, de type n ou p, présentant lesécarts de st0153chiométrie souhaités ont
puêtre obtenues. On
présente ici leurs caractéristiquesélec-
triques et on discutera les problèmes d'homogénéité des couches. Par ailleurs, des jonctions p-n ont puêtre
réalisées, leurs propriétés ont été analysées au moyen d'un microscope électronique balayage.Abstract.
2014Undoped
and dopedCdTe films of
p and n type conductivity with a given devia- tion of film composition from stoichiometry, were grown by a vapour epitaxial technique by heating the substrate with light.Measurement results of
electrophysical properties and film homo- genity versus thickness are given. P-N junctions were produced by epitaxy, their properties being investigated with scanning a electron microscope.REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUÉE TOME
12,FÉVRIER
1977,PAGE 161
The design of reliable CdTe nuclear radiation counters requires the production of p-i-n, p+-p, n+-n structures.Vapour epitaxy
should be the most efficient technique for high-purity and structurally perfect CdTe films taking into account the physical-chemical peculia- rities of CdTe. The present paper is dedicated to the investigation of epitaxial structures grown by a photostimulated vapour epitaxial technique. The following peculiarities should be taken into consideration while producing the above structures : 1)CdTe has an
homogenity range with the limits1019 cm-3 of excess Cd and Te atoms
[1] which determine the electro-physical properties of the films being grown.Due to the above reason
epitaxial layer composition should be controlled all through the pro- cess of growing. 2)Intensive diffusion of intrinsic
point defects and impurities from the film to the substrate and back leads to boundary eroding and broad transition layer formation.3) High
Cd and Te
vapour pressure at temperatures exceeding600 °C results in substrate
component evapo- ration and change in electro-physical properties of both the film and the substrate.It follows from the above that
vapour epitaxy of CdTe should be carried out in a closed volume with a controlled vapour composition.Substrate
temperature should not exceed 600 °C and the epitaxial growth rate should be sufficiently high so as to reduce the diffusion process rate between the film and the substrate.To meet the
requirements new devices were deve- loped, their novelty being in the use of an intense light flux used for substrate surface heating that creates a controlled temperature gradient into the depth of the substrate. CdTe epitaxial films were grown on substrates of10 x 10 x 0.5 mm size in
ultra-pure hydrogen. The thickness of the film grown was changed from 10 to 80003BCm according
to growth conditions.Conductivity type
and carrier concentration in CdTe films were defined by C-V dependence measurements of surface-barrier diodes ofHg-CdTe (similarly
to Si film measurements in [2]).The measurement
technique is based on mercury forming a rectifying contact withCdTe of
p and n-type conductivity.Hg-CdTe
contact C- Y measurements were carried out with a device where mercury was brought to CdTe film surface along two channels. Channel areas were more than an order different and at carrier concentra- tion calculations the larger channel influence could be neglected.The measurements were carried out at
465 kHz
frequency.The carrier concentratio was
found from the conventional relation where C is the contact capacity, S is the area of a small channel, s and ao are the dielectric constants of CdTe and the permittivity of vacuum correspondingly. For checking the accuracy of the applied technique the carrier concentration and conductivity type of bulk, samples were carried out both by C V dependence andHall constant measurements. The obtained data is
presented in table 1 which shows concentration values for one and the same sample obtained by different methods do not differ by more than a factor of 5. TheArticle published online by 162TABLE 1
possibility of quick determinations of carrier concen- tration order through measuring Hg-CdTe contact C- V dependence is confirmed by these results. Table II shows the carrier concentration and conduc- tivity type measurements of the films grown.It is seen
from the table that due to deviation of film composition from stoichiometry without additional doping p and n-type films were obtained with carrier concentration from 1.1 x 1013 to 1.4 x 1017 cm- 3 n-type and from2 x 1014 to 4 x 1016 cm - 3
p-type. CdTe charge tem- perature was 800 OC in all the cases and Cd source temperature varied from 00 to 650 OC.Growing
of films doped with In and Cl was also carried out.N-type
films with carrier concentration from 1012 to 1016 cm-3 were obtained.The measurements of film
homogenity in depth by controlled etching proved that carrier concentration in the film does not essentially change with depth (Fig. 1).However,
the transition from n-type film to p-type substrate is rather smooth. This result is in agreement with C-Y measurements of epitaxial diodes mentioned below. By means of the developed technique of CdTe film growing epitaxial diodes were made obtained by In doping an n-typeCdTe film
growing on to a p-type substrate with a 1015-1016 cm- 3 hole concentration.TABLE II
163FIG. 1.
Concentration versus thickness
diagram.Electron concentration in the film amounted to
6 x 1014-3 x 1016 cm-3 versus the deviation from
stoichiometry.The efforts to obtain
p-n junction by vapour pressure change turned out to be fruitless since p substrate changed its conductivity type.quotesdbs_dbs19.pdfusesText_25[PDF] discute en ligne
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