[PDF] Electrónica:Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos

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BOYLESTAD•NASHELSKY

ROBERT L.BOYLESTAD

LOUIS NASHELSKY

BOYLESTAD

NASHELSKY

DÉCIMA EDICIÓN

DÉCIMA EDICIÓN

DÉCIMA

EDICIÓN

Electrónica:

teoría de circuitos y dispositivos electrónicosElectrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos

Esta prestigiosa obra, ideal para un curso de nivel superior sobre dispositivos y circuitos activos, ha

marcado la pauta durante m‡s de tres dŽcadas. Ahora en su dŽcima edici - n, el texto conserva el mismo

nivel de excelencia y ofrece la m‡s completa y actualizada cobertura de todos los temas esenciales,

entre los que se encuentran:¥Diodos semiconductores¥Amplificadores operacionales ¥Transistores de uni - n bipolar¥Amplificadores de potencia ¥Polarizaci - n de CD de los BJT¥Circuitos integrados anal - gicos digitales ¥An‡lisis de ca de un BJT¥Realimentaci - n y circuitos osciladores ¥Transistores de efecto de campo¥Fuentes de alimentaci - n (reguladores de voltaje) ¥Polarizaci - n de los FET¥Dispositivos pnpny de otros tipos TambiŽn se ampli - y actualiz - la cobertura de los siguientes temas clave:

¥Amplificadores operacionales¥FET

Circuitos integrados digitales¥BJT

Estructuras de circuito integrado¥LED

Electr - nica: teor'a de circuitos y dispositivos electr - nicos, dŽcima edici - n, contiene estas importantes

caracter'sticas: ¥Aplicacionespr‡cticas que se resuelven mediante el uso de PSpice y Multisim ¥Extensos conjuntos de problemas y ejemplos actualizados para reforzar los conceptos b‡sicos

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circuitos y dispositivos electrónicosElectrónica: teoría decircuitos y dispositivoselectrónicos

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teoría de circuitos y dispositivos electrónicos

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www.pearsoneducacion.netISBN: 978-607-442-292-4 Prentice HallPortada Boylestad DAN.qxd 11/5/09 17:15 Page 1

1 Diodos semiconductores

2 Aplicaciones del diodoSilicio:germanio:media onda:

onda completa:

3 Transistores de uniÛn bipolar

4 PolarizaciÛn de cd de los BJTEn general:polarizaci - n fija:

estabilizado por el emisor: divisor de voltaje: exacto: aproximado:realimentaci - n de voltaje: base comoen:transistores de conmutaci - n: estabilidad:polarizaci - n fija:polarizaci - n de emisor: divisor de voltaje: polarizaci - n por realimentaci - n: polarizaci - n fija:polarizaci - n de emisor:divisor de voltaje: polarizaci - n por realimentaci - n: polarizaci - n fija: polarizaci - n de emisor: divisor de voltaje: polarizaci - n por realimentaci - n:

5 An·lisis de ca de un BJTCE polarizaci - n fija:polarizaci - n de divisor de voltaje:

CE polarizaci - n de emisor: emisor seguidor:

base comoen: realimentaci - n del colector:realimentaci - n de cd del colector:efecto de la impedancia de carga: efecto de la impedancia de la fuente:efecto combinado de la carga y la impedancia de la fuente: conexi - n cascodo: conexi - n de Darlington: configuraci - n en emisor seguidor: configuraci - n de amplificador b‡sica: par de realimentaci - n:

6 Transistores de efecto de campo

MOSFET:

7 PolarizaciÛn de los FETPolarizaci - n fija:autopolarizaci - n:

divisor de voltaje:configuraci - n en compuerta comoen: caso especial:MOSFET tipo enriquecimiento:polarizaci - n por realimentaci - n: divisor de voltaje: curva universal:

8 Amplificadores con FET

polarizaci - n fija:autopolarizaci - n (RS con puenteo):autopolarizaci - n (RS sin puenteo):polarizaci - n de divisor de voltaje:fuente seguidor: compuerta comoen:MOSFET tipo enriquecimiento: configuraci - n por realimentaci - n del drenaje:polarizaci - n por medio del divisor Z o R D A v -g m R D .de voltaje:,Z i =R 1 7R 2 Z o R D A v -g m R D ;Z i R F >11+g m R D 2 ,g m =2k1V GSQ -V GS 1 Th 2 2 ;Z i =R S 71>g
m , Z o R D , A v =g m R D ;Z i =R G , Z o =R S 71>g
m , A v g m R S >11+g m R S 2 ;Z i =R 1 7R 2 , Z o R D , A v =-g m R D ;Z i =R G Z o =R D A v -g m R D >11+g m R s 2 ;Z i =R G Z o R D A v =-g m R D ;Z o R D A v =-g m R D ;Z i =R G ,¢V DS >¢I D V GS =constante ;g m =g m 0 1I D >I DSS r d =1>y os =g m =g m 0 1 1-V GS >V P 2 ,g m 0 =2I DSS >ÄV P

Ä,g

m =y fs =¢I D >¢V GS ,V G =R 2 V DD >1R 1 +R 2

2m=ÄV

P

Ä>I

DSS R S M=m*V G >ÄV P

Ä,V

G =R 2quotesdbs_dbs22.pdfusesText_28

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