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Sachant que la concentration de porteurs intrinsèques de InSb (Eg=0 18 eV) est de Un semi-conducteur est en silicium de largeur de bande interdite (ou gap)

Le niveau de Fermi intrinsèque se rapproche légèrement de celui de la bande de valence Exercice 2 : Semi-conducteur extrinsèque On considère un matériau

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29 fév 2016 · Densité de trous dans la bande de valence d'un semiconducteur non dégénéré: exp V F V B E E p N commence à se comporter comme un semiconducteur intrinsèque II Exercices / Réponses courtes 1 Définir ce qu'est

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Exercice 1 : Courant de conduction dans un semiconducteur : On considère un échantillon de Silicium (intrinsèque) soumis à une différence de potentiel V>0

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(4) avec EFi le niveau Fermi d'un semi-conducteur intrinsèque Exercice III Dans un semi-conducteur intrinsèque, la concentration en porteurs libres est donnée

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Exercice I : Conduction dans les semi-conducteurs, Approche documentaire 2 Densité de porteurs dans un semi-conducteur intrinsèque On réalise ainsi un semi-conducteur extrinsèque dopé N par ajout de donneurs, comme le

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Rappeler les expressions de la densité d'électrons et de trous dans un semi- conducteur dopé en fonction de la concentration intrinsèque ni, du niveau de Fermi

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Module :Physique des Semi-Conducteurs (LAT312) Série de TD N° :02 Un semi-conducteur intrinsèque (Germanium) Ge à 300°K , on a : Eg = 0,66eV , m

pdf TD 2 - Conservatoire national des arts et métiers

Conservatoire National des Arts et Metiers TD 2 Le S C intrinsèque n i; le S C extrinsèque dopé n p Relation de concentrations **exercice 2 1 On donne le tableau suivant : Eg [eV] Nc [atomes/cm 3] Nv [atomes/cm 3] AsGa 143 47 10 17 7 10 18 Ge 066 104 10 19 6 10 18 Si 112 28 10 19 104 10 19 1

Physique - Dunod

6 7 Semi-conducteurs intrinsèques 107 6 8 Dopage 108 6 9 Semi-conducteurs extrinsèques 114 Exercices 116 Corrigés 117 CHAPITRE 7 • DYNAMIQUE DES ÉLECTRONS 119 7 1 Dérive dans un champ électrique 120 7 2 Réponse à un champ électrique 123 7 3 Diffusion des porteurs 126 7 4 Potentiel externe et bandes d’énergie 129 7 5 L’effet Hall

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1 1 Utiliser le théorème de Thévenin pour simplifier les circuits de la Figure 1-1 et calculer les courants I et les tensions V Figure 1-1 Rth=20//10 =6 66k ; Vth=(20/30)*9=6V ; Diode ON : I=6/26 66 = 0 225mA et V=20*0 225=4 5 V Vth1=4 5V ; Vth2=2 5V ==> Diode OFF

Le silicium est dopé avec du phosphore

2- Calculez à 27°C, la densité d'électron

Quel est le type de semi-conducteur ainsi obtenu ? 3- Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi E diagramme de bandes du silicium ainsi dopé. p.n = n → p =n

La densité d'électrons du Si dopé

Le phosphore est une impureté de type donneur

Donc la densité d'électrons est égale à la densité de donneurs

La densité des trous à T =300 K

On sait que :

le semi-conducteur est de type n =ND =

ND = --

La position du niveau de Fermi

L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit AN : Représentation du diagramme de bandes du Silicium dopé ium est dopé avec du phosphore de concentration 1018cm-3.

Calculez à 27°C, la densité d'électrons du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous.

conducteur ainsi obtenu ? Calculez à 27°C la position du niveau de Fermi EF puis donnez une représentation du diagramme de bandes du silicium ainsi dopé.

N =100 cm

N ≫ 2 n = N = 100 cm n n=n

N → p =1,012 10

100=102

densité d'électrons du Si dopé : e phosphore est une impureté de type donneur : est égale à la densité de donneurs

La densité des trous à T =300 K :

type n . → (5ND

6= - &- &

0,538 +

0,026.(510

1,012 1046= 1,0166 eV

du niveau de Fermi : L'énergie de Fermi peut être déduite de la densité d'électrons comme suit Représentation du diagramme de bandes du Silicium dopé : s du Si ainsi dopé. En déduire la densité de trous. puis donnez une représentation du

102,414 cm

+#$.(5ND 6 eV

Exercice n°2 : (8pts)

Soit une jonction PN

abrupte issus d'un même cristal.

1- Donnez le schéma de la v

d'accepteurs pour une jonction abrupte

2- Donnez la r

eprésentation schématique des liaisons PN de semi-conducteurs en silicium (Si). Le dopage N est obtenue par de l'arsenic (As) et le dopage P par du Bohr (B) déplétion)

3- Donnez l'expression du

cou pour un modèle à une dimension, en déduire l'équation différentielle concentration de porteurs C 88%
! 9 A A 2 D% B%88% 8 B ! 9 2 2 B%88% Bquotesdbs_dbs5.pdfusesText_10

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