Physique-chimie
La tension fournie par le générateur devra constamment rester inférieure à 25 V. 4. Tracer la caractéristique du dipôle étudié grâce à un tableur.
Chapitre 4 : Tension alternative et oscilloscope
Le coefficient de balayage s'exprime en seconde par division (s/Div). 1) Que représente un oscillogramme ? La tension en fonction du temps. 2) Que peux-tu dire
oscillo
Chapitre : Lois de l'électricité Nom de l'activité : Caractéristique d'un
tension-intensité. Cette caractéristique est la courbe représentant la tension U entre les bornes du dipôle étudié en fonction de l'intensité I du courant
tp caracteristique d un conducteur ohmique
Chapitre 10 – Etude des tensions électriques ; Nature de la tension
L'oscillogramme ci-dessous présente la tension étudiée avec le logiciel Oscillo après réglages de II. Catégorisation des différents types de tensions.
e chap
Chapitre 12 Caractéristique d'un dipôle actif
La résistance interne de la pile étudiée ici vaut donc r = 20 Ω. Pour calculer ICC
caracteristiques d un dipole actif cours
Description d'un modèle analytique pour la détermination des
17 oct. 2008 détermination des caractéristiques d'une tension de ... II DESCRIPTION DU MODELE ANALYTIQUE POUR LA CARACTERISATION. DES TENSIONS DE ...
Caractéristique d'une lampe à incandescence
Description succincte Réaliser la caractéristique courant-tension d'une lampe et en déduire si elle peut être lampe étudiée sans réaliser le montage ?
Signaux capteurs TP caracteristique lampe
La diode à jonction
Dans le cas d'un semi-conducteur de type P ce sont des trous. 3. Fonctionnement – Caractéristiques. 3.1. En l'absence de tension (champ) extérieur- diode à
diode
IV. Essai `a vide `a vitesse constante
La machine étudiée sera entraınée en rotation par un moteur `a excitation en Tracer sur un même rep`ere les caractéristiques de chute de tension ...
Polycopié ELT Fondamentale compressed partie ?forcedownload=
DM 1SSI 2ème partie corrigé
On relève les valeurs de la tension et de l'intensité à l'aide d'un tableur et on obtient la caractéristique suivante : On décompose Icc en la différence de 2
DM SSI eme partie corrige
La diode à jonction
1. Les semi-conducteurs : ____________________________________________________________ 2
2. Constitution:_____________________________________________________________________ 2
3. Fonctionnement - Caractéristiques __________________________________________________ 2
3.1. En l"absence de tension (champ) extérieur- diode à l"équilibre ________________________________ 2
3.2. En présence d"une tension extérieure _____________________________________________________ 3
Résumé: _________________________________________________________________________________ 34. Modélisation _____________________________________________________________________ 4
4.1. Diode à l"état bloqué : __________________________________________________________________ 4
4.2. Diode à l"état passant, polarisée en direct. _________________________________________________ 4
4.3. Résumé: _____________________________________________________________________________ 5
5. Caractéristiques constructeur - critères de choix _______________________________________ 6
5.1. Valeurs limites de fonctionnement : Absolute maximun rating ou limiting values ________________ 6
5.2. Caractéristiques électriques : electrical caracteristics _______________________________________ 6
5.2.1. Caractéristiques statiques : DC characteristics ___________________________________________________ 6
5.2.2. Caractéristiques dynamiques : AC characteristics ________________________________________________ 7
5.3. Critères de choix : _____________________________________________________________________ 7
6. Méthode d"études des montages à diodes ______________________________________________ 8
La diode
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1. Les semi-conducteurs :
Un matériau semi-conducteur, comme le silicium, est un mauvais conducteur d"électricité. Un semi-
conducteur dopé est un semi-conducteur dans lequel on diffuse des impuretés pour réduire sa résistivité et
par conséquent le rendre plus conducteur. Le caractère N ou P du dopage dépend de la nature des charges
mises en oeuvre dans le processus de conduction d"électricité.2. Constitution:
Une diode est réalisée par la jonction de deux semi- conducteurs, un dopé P (en manque d"électron, on parle de trous) et l"autre dopé N (en surplus d"électrons).Un semi-conducteur dopé N est un semi-
conducteur dans lequel les porteurs libres (porteurs susceptibles de se déplacer sous l"action d"un champ extérieur) sont des électrons. Dans le cas d"un semi-conducteur de type P, ce sont des trous.3. Fonctionnement - Caractéristiques
3.1. En l"absence de tension (champ) extérieur- diode à l"équilibre
Les électrons libres du coté N proches de la jonction se recombinent avec les trous du coté P jusqu"à création au niveau de la jonction d"une zone neutre, appelée zone de charge d"espace (Z CE), que les différents porteurs libres ne peuvent franchir sans aide extérieure.En effet, au niveau de la jonction, il existe un
champ électrique E int qui s"oppose au franchissement de cette barrière. N PAnode Cathode
EintElectron libre
Trou libre
Recombinaison
électron/trou
Fonctions et composants élémentaires de l"électroniquePage 3 sur 9
3.2. En présence d"une tension extérieure
· Cas ou U>0 :
L"application d"une tension extérieure, se traduit par l"application d"un champ électrique extérieur
E exct qui s"oppose au champ Eint. Lorsque la tension U devient suffisamment élevée, le champextérieur surpasse le champ intérieur et permet aux porteurs libres de franchir la zone de charge
d"espace. Il y a alors circulation d"un courant DIRECT IF de l"Anode vers la Cathode, la diode est
dite PASSANTE. La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: Avec: Is le courant de saturation qui dépend essentiellement du dopage des différents semi- conducteurs. K300 à 25°°°°====××××====mVqTkVT k : constante de Boltzman, k=1.38*10 -23J/K q : charge de l"électron : q = 1.6*10 -19 C.On remarque que le courant augmente très rapidement en fonction de la tension extérieure, c"est
pourquoi dans la pratique, on place une résistance en série avec la diode pour le limiter.· Cas ou U<0 :
Dans ces conditions, le champ extérieur s"ajoute au champ intérieur empêchant ainsi tout
franchissement de la barrière de potentiel. Il n"y a aucune circulation de porteurs et par conséquent
aucun courant dan la diode. La diode est dite BLOQUEE et IF = 0. La diode est alors équivalente à un interrupteur ouvert.Résumé:
-×=1 TFVV SFeIIVAK ou VF
IF IF VF N P U UVAK ou VF
IF IFVF *Diode bloquée si
VF<0 => IF=0
*Diode passante si IF>0 =>0 La diode
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4. Modélisation
Rappel: Modéliser un composant, c"est lui associer un schéma électrique simple dans un mode de
fonctionnement donné. 4.1. Diode à l"état bloqué :
Ce mode est obtenue pour une tension VAK<0 et se
traduit par IF=0. La diode se comporte comme un interrupteur ouvert. 4.2. Diode à l"état passant,
polarisée en direct. Rappel: La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: La modélisation de la diode à l"état passant découle de la linéarisation de cette caractéristique I F=f(VF). En
effet, en observant la caractéristique, on remarque que le courant croit rapidement et que la courbe devient quasiment linéaire au delà d"une certaine tension. On trace alors la tangente à la caractéristique quand V F
La diode à jonction
1. Les semi-conducteurs : ____________________________________________________________ 2
2. Constitution:_____________________________________________________________________ 2
3. Fonctionnement - Caractéristiques __________________________________________________ 2
3.1. En l"absence de tension (champ) extérieur- diode à l"équilibre ________________________________ 2
3.2. En présence d"une tension extérieure _____________________________________________________ 3
Résumé: _________________________________________________________________________________ 3 4. Modélisation _____________________________________________________________________ 4
4.1. Diode à l"état bloqué : __________________________________________________________________ 4
4.2. Diode à l"état passant, polarisée en direct. _________________________________________________ 4
4.3. Résumé: _____________________________________________________________________________ 5
5. Caractéristiques constructeur - critères de choix _______________________________________ 6
5.1. Valeurs limites de fonctionnement : Absolute maximun rating ou limiting values ________________ 6
5.2. Caractéristiques électriques : electrical caracteristics _______________________________________ 6
5.2.1. Caractéristiques statiques : DC characteristics ___________________________________________________ 6
5.2.2. Caractéristiques dynamiques : AC characteristics ________________________________________________ 7
5.3. Critères de choix : _____________________________________________________________________ 7
6. Méthode d"études des montages à diodes ______________________________________________ 8
La diode
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1. Les semi-conducteurs :
Un matériau semi-conducteur, comme le silicium, est un mauvais conducteur d"électricité. Un semi-
conducteur dopé est un semi-conducteur dans lequel on diffuse des impuretés pour réduire sa résistivité et
par conséquent le rendre plus conducteur. Le caractère N ou P du dopage dépend de la nature des charges
mises en oeuvre dans le processus de conduction d"électricité. 2. Constitution:
Une diode est réalisée par la jonction de deux semi- conducteurs, un dopé P (en manque d"électron, on parle de trous) et l"autre dopé N (en surplus d"électrons). Un semi-conducteur dopé N est un semi-
conducteur dans lequel les porteurs libres (porteurs susceptibles de se déplacer sous l"action d"un champ extérieur) sont des électrons. Dans le cas d"un semi-conducteur de type P, ce sont des trous. 3. Fonctionnement - Caractéristiques
3.1. En l"absence de tension (champ) extérieur- diode à l"équilibre
Les électrons libres du coté N proches de la jonction se recombinent avec les trous du coté P jusqu"à création au niveau de la jonction d"une zone neutre, appelée zone de charge d"espace (Z CE), que les différents porteurs libres ne peuvent franchir sans aide extérieure. En effet, au niveau de la jonction, il existe un
champ électrique E int qui s"oppose au franchissement de cette barrière. N P Anode Cathode
Eint Electron libre
Trou libre
Recombinaison
électron/trou
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3.2. En présence d"une tension extérieure
· Cas ou U>0 :
L"application d"une tension extérieure, se traduit par l"application d"un champ électrique extérieur
E exct qui s"oppose au champ Eint. Lorsque la tension U devient suffisamment élevée, le champ extérieur surpasse le champ intérieur et permet aux porteurs libres de franchir la zone de charge
d"espace. Il y a alors circulation d"un courant DIRECT I F de l"Anode vers la Cathode, la diode est
dite PASSANTE. La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: Avec: Is le courant de saturation qui dépend essentiellement du dopage des différents semi- conducteurs. K300 à 25°°°°====××××====mVqTkVT k : constante de Boltzman, k=1.38*10 -23J/K q : charge de l"électron : q = 1.6*10 -19 C. On remarque que le courant augmente très rapidement en fonction de la tension extérieure, c"est
pourquoi dans la pratique, on place une résistance en série avec la diode pour le limiter. · Cas ou U<0 :
Dans ces conditions, le champ extérieur s"ajoute au champ intérieur empêchant ainsi tout
franchissement de la barrière de potentiel. Il n"y a aucune circulation de porteurs et par conséquent
aucun courant dan la diode. La diode est dite BLOQUEE et IF = 0. La diode est alors équivalente à un interrupteur ouvert. Résumé:
-×=1 TFVV SFeII VAK ou VF
IF IF VF N P U U VAK ou VF
IF IF VF *Diode bloquée si
VF<0 => IF=0
*Diode passante si I F>0 =>0 La diode
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4. Modélisation
Rappel: Modéliser un composant, c"est lui associer un schéma électrique simple dans un mode de
fonctionnement donné. 4.1. Diode à l"état bloqué :
Ce mode est obtenue pour une tension VAK<0 et se
traduit par IF=0. La diode se comporte comme un interrupteur ouvert. 4.2. Diode à l"état passant,
polarisée en direct. Rappel: La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: La modélisation de la diode à l"état passant découle de la linéarisation de cette caractéristique I F=f(VF). En
effet, en observant la caractéristique, on remarque que le courant croit rapidement et que la courbe devient quasiment linéaire au delà d"une certaine tension. On trace alors la tangente à la caractéristique quand V F
La diode
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4. Modélisation
Rappel: Modéliser un composant, c"est lui associer un schéma électrique simple dans un mode de
fonctionnement donné.4.1. Diode à l"état bloqué :
Ce mode est obtenue pour une tension VAK<0 et se
traduit par IF=0. La diode se comporte comme un interrupteur ouvert.4.2. Diode à l"état passant,
polarisée en direct. Rappel: La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: La modélisation de la diode à l"état passant découle de la linéarisation de cette caractéristique IF=f(VF). En
effet, en observant la caractéristique, on remarque que le courant croit rapidement et que la courbe devient quasiment linéaire au delà d"une certaine tension. On trace alors la tangente à la caractéristique quand V FLa diode à jonction
1. Les semi-conducteurs : ____________________________________________________________ 2
2. Constitution:_____________________________________________________________________ 2
3. Fonctionnement - Caractéristiques __________________________________________________ 2
3.1. En l"absence de tension (champ) extérieur- diode à l"équilibre ________________________________ 2
3.2. En présence d"une tension extérieure _____________________________________________________ 3
Résumé: _________________________________________________________________________________ 34. Modélisation _____________________________________________________________________ 4
4.1. Diode à l"état bloqué : __________________________________________________________________ 4
4.2. Diode à l"état passant, polarisée en direct. _________________________________________________ 4
4.3. Résumé: _____________________________________________________________________________ 5
5. Caractéristiques constructeur - critères de choix _______________________________________ 6
5.1. Valeurs limites de fonctionnement : Absolute maximun rating ou limiting values ________________ 6
5.2. Caractéristiques électriques : electrical caracteristics _______________________________________ 6
5.2.1. Caractéristiques statiques : DC characteristics ___________________________________________________ 6
5.2.2. Caractéristiques dynamiques : AC characteristics ________________________________________________ 7
5.3. Critères de choix : _____________________________________________________________________ 7
6. Méthode d"études des montages à diodes ______________________________________________ 8
La diode
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1. Les semi-conducteurs :
Un matériau semi-conducteur, comme le silicium, est un mauvais conducteur d"électricité. Un semi-
conducteur dopé est un semi-conducteur dans lequel on diffuse des impuretés pour réduire sa résistivité et
par conséquent le rendre plus conducteur. Le caractère N ou P du dopage dépend de la nature des charges
mises en oeuvre dans le processus de conduction d"électricité.2. Constitution:
Une diode est réalisée par la jonction de deux semi- conducteurs, un dopé P (en manque d"électron, on parle de trous) et l"autre dopé N (en surplus d"électrons).Un semi-conducteur dopé N est un semi-
conducteur dans lequel les porteurs libres (porteurs susceptibles de se déplacer sous l"action d"un champ extérieur) sont des électrons. Dans le cas d"un semi-conducteur de type P, ce sont des trous.3. Fonctionnement - Caractéristiques
3.1. En l"absence de tension (champ) extérieur- diode à l"équilibre
Les électrons libres du coté N proches de la jonction se recombinent avec les trous du coté P jusqu"à création au niveau de la jonction d"une zone neutre, appelée zone de charge d"espace (Z CE), que les différents porteurs libres ne peuvent franchir sans aide extérieure.En effet, au niveau de la jonction, il existe un
champ électrique E int qui s"oppose au franchissement de cette barrière. N PAnode Cathode
EintElectron libre
Trou libre
Recombinaison
électron/trou
Fonctions et composants élémentaires de l"électroniquePage 3 sur 9
3.2. En présence d"une tension extérieure
· Cas ou U>0 :
L"application d"une tension extérieure, se traduit par l"application d"un champ électrique extérieur
E exct qui s"oppose au champ Eint. Lorsque la tension U devient suffisamment élevée, le champextérieur surpasse le champ intérieur et permet aux porteurs libres de franchir la zone de charge
d"espace. Il y a alors circulation d"un courant DIRECT IF de l"Anode vers la Cathode, la diode est
dite PASSANTE. La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: Avec: Is le courant de saturation qui dépend essentiellement du dopage des différents semi- conducteurs. K300 à 25°°°°====××××====mVqTkVT k : constante de Boltzman, k=1.38*10 -23J/K q : charge de l"électron : q = 1.6*10 -19 C.On remarque que le courant augmente très rapidement en fonction de la tension extérieure, c"est
pourquoi dans la pratique, on place une résistance en série avec la diode pour le limiter.· Cas ou U<0 :
Dans ces conditions, le champ extérieur s"ajoute au champ intérieur empêchant ainsi tout
franchissement de la barrière de potentiel. Il n"y a aucune circulation de porteurs et par conséquent
aucun courant dan la diode. La diode est dite BLOQUEE et IF = 0. La diode est alors équivalente à un interrupteur ouvert.Résumé:
-×=1 TFVV SFeIIVAK ou VF
IF IF VF N P U UVAK ou VF
IF IFVF *Diode bloquée si
VF<0 => IF=0
*Diode passante si IF>0 =>0 La diode
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4. Modélisation
Rappel: Modéliser un composant, c"est lui associer un schéma électrique simple dans un mode de
fonctionnement donné. 4.1. Diode à l"état bloqué :
Ce mode est obtenue pour une tension VAK<0 et se
traduit par IF=0. La diode se comporte comme un interrupteur ouvert. 4.2. Diode à l"état passant,
polarisée en direct. Rappel: La loi qui régit le fonctionnement de la diode polarisée en directe est la suivante: La modélisation de la diode à l"état passant découle de la linéarisation de cette caractéristique I F=f(VF). En
effet, en observant la caractéristique, on remarque que le courant croit rapidement et que la courbe devient quasiment linéaire au delà d"une certaine tension. On trace alors la tangente à la caractéristique quand V F
La diode
Page 4 sur 9
4. Modélisation
Rappel: Modéliser un composant, c"est lui associer un schéma électrique simple dans un mode de
fonctionnement donné.